Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Венгеровский, Л. В. Прецизионные полупроводниковые стабилизаторы

.pdf
Скачиваний:
22
Добавлен:
19.10.2023
Размер:
4.3 Mб
Скачать

зистора ТЗ в схеме с общим эмиттером;

— статический ко­

эффициент усиления по току транзистора

Т3\

i3TS— ток эмит­

тера транзистора ТЗ', гБ

Т2 — суммарный базовый ток парал-

.лельно включенных транзисторов Т1 и

Т2;

г'Б т з — ток базы

транзистора ТЗ;

 

 

 

 

.Я Ш Я Ш R13,

R5',

 

 

РТ4

 

 

■U3 — перепад напряжения на входе схемы рис. П-3, б при пе­ реходе от нормального к аварийному состоянию. При анализе ‘будем полагать, что запирающий перепад напряжения

6 ~ и д з ' ■иR13

прикладывается к схеме мгновенно в момент возникновения пе­ регрузки.

Последнее допущение основано на пренебрежении време­ нем переключения триггера fTr. Используя известное выраже­

ние для мгновенных значений токов транзистора, представим ■суммарный коллекторный ток транзисторов Т1 и Т2 в следую­ щем виде:

1'к 77, Т 2 ~ Р г /, 771Б Г/, Т2 "Ь ^Ко 77, Т2 (^77, Г2 ^) *

Нетрудно оценить границы справедливости схемы рис. П-3,б, которые определяются тем диапазоном изменения тока базы •/Б х], Т2 параллельно включенных транзисторов Т1 и Т2, в пре­

делах которого величина гвх г/> т2 еще может считаться постоян­

ной.

Из последнего равенства, принимая во внимание, что

 

 

l K Т1, Т 2 ~ 1Э Tl,

Т2

1Б TI. Т2 ’

лскомый перепад тока базы гБ Т1 Т2 будет

^ Б

Tl, Т2

= 1*Б 77, Т2

(

^Ко 77, гг) =

 

 

_

Г/,

Т2

^Ко Tl, Т2 ^ *, ~ ^Ко 77, Т2

 

 

 

Р г /, Т2 1

Р г /, Т2 “Ь 1

где

/ Ко

Х2 — суммарный

обратный

коллекторный ток па­

раллельно включенных транзисторов T l, Т2; iH — ток нагрузки ■стабилизатора.

Используя операционное преобразование Карсона и пола-

тая

1)

R4

гвх г/ Т2’

2)

' к. тз-

тз~^~гвх Tl, Т2'

110

ftга

3) Р „ ( р ) =

1 + р т

1

4 ) Z K

тз ( Р )

=

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

рСк. тз

 

 

 

 

 

 

 

 

получим

следующее операционное

выражение

для

тока базы

' б Т1, Г2*

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

‘‘Б TI, Т2 (Р) ^

1'э

га ( Р ) =

 

 

 

 

 

 

 

 

 

=

 

(р)

[(■„ а д ■+1]

* »

*

’> " ( ; • » + '- » ■ " > .

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

г---- + Г

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

'Э ТЗ т

'вх Г/, Г2

С некоторым приближением

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Б г /. Г2 (р)*

и 3 (ftra +

0 Q +

Р \ )

 

 

 

 

 

 

гвхо ( H - W )

 

 

где

Та =

;

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2л/аГЗ

 

 

усиления

по

току

транзистора ТЗ

(?<хгз — предельная частота

в схеме с общей базой);

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

г в х о =

г нст4 _ г б г а 4 "

( Р т а - !-

 

(гэ

Г З " ^ Гвх TI,

г а ) ’

 

 

 

 

 

г.— + гБ тз+ гв

 

Г2 +

/ э

ГЗ

 

 

 

 

 

 

 

нет '

Б ТЗ ~Г грх,Г/,

(т+ тк );

 

 

 

 

 

 

 

 

rBii о '

 

*

*

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

тк —

га [(гэ га +

гвх г/, га)

|| (г б

га "I- гнст)]>

 

 

 

 

 

 

т = ( Р г з + ! ) V

 

 

 

 

Зная

 

г'Б Г/_Т2 (р),

легко

найти

<э ГА Г2 (р) « <нагр (р).

Считая Pj.s = РГ/, гг =

Р>

имеем

 

 

 

 

 

1Э Г/, Г2 (р) = г Б Г/, га (р) [^Г/. Г2 (р) “Ь 1] ^

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

^ „ ( P + D M l+ P f r g )

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

гвх о [1 + (т +

Тэкв) р]

Этому

изображению

с

учетом

начального

тока

гэ Г1> Т2 -

= / э

нач,

соответствует

оригинал

вида:

 

 

t

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

“э

г /. Г2 (О = / э

 

 

t/a(-P+-1)a V1 -

ке(Х+Хэкв)) ,

где k = \ -

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Гэкв 4“ Г

111

Знак «—» перед вторым членом в правой части этого выражения означает, что имеет место спад эмиттерного тока регулирующих транзисторов.

Полагая в последнем равенстве i3 Т] T2(t) = 0,1 / Энач и t — ^выкл, найдем

tвыкл : (ТЭКВ+ Т)1П У3(Р+1)2-0 ,9 /э пачгвх0

kU 3

=(* + * экв) 1П —

 

и 3

0.9'э начгвх О

 

(Р + 1)2

 

 

Для большинства практических

случаев / э нач« / нагр.

Тогда окончательно имеем

 

 

tвыкл (T.KB + t ) l n -

kU 3

(П11)

 

и.

0,9/нагргвх о

 

(Р + 1)2

 

Из выражения (П-11) следует, что tBMKn растет с увеличе­ нием /цагр И Г нет*

Экспериментально полученная зависимость времени сраба­

тывания схемы защиты от тока нагрузки стабилизатора

иллю­

стрируется следующими данными:

 

 

 

 

 

 

^выкл. мксек..............................

1,5

2,0

3,3

5

6,4

7нагр> о . . .

1

2

3

4

5

 

Исследования проводились применительно к германиевым транзисторам типа П210 (77, Т2) и П215 (ТЗ). Опытные данные хорошо согласуются с выведенным соотношением (П11), харак­ теризующим быстродействие рассматриваемой схемы защиты.

Чувствительность защиты определяется минимальным при­ ращением тока нагрузки (свыше максимального рабочего тока нагрузки / н тах), вызывающим переход схемы в аварийное со­ стояние.

Этот параметр определяется величинами резистора R3, пря­ мого напряжения стабилитрона Д2 и напряжения перехода эмиттер—база насыщенного транзистора Тб.

При этом чувствительность защиты не может быть сделана сколь угодно высокой за счет подбора вышеуказанных величин, поскольку она ограничена температурной зависимостью и тех­ нологическим разбросом параметров элементов схемы (при не­ обходимости обеспечения взаимозаменяемости элементов без перестройки схемы), а также помехоустойчивостью схемы. В этой связи целесообразно настраивать схему защиты на величину порогового значения тока нагрузки /„. пор > 1,3 / н тах-

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

1. Венгеровский Л. В., Вайнштейн П. X. Системы термостатирования в радиоэлектронике. Л., «Энергия», 1969, 77 с. с ил.

2.Венгеровский Л. В., Вайнштейн А. X., Дворецкий В. А. Двухпозиционный регулятор. Авт. свид. № 249804 (СССР). Кл. 42 у, 2/05.— «Бюллетень. Открытия. Изобретения. Промышлен­ ные образцы. Товарные знаки». 1969, № 25, с. 112.

3.Венгеровский Л. В., Каганов М. А ., Ривкин А. С. Пе­ реходные процессы в термоэлектрических устройствах.— «Сб. трудов по агрономической физике», 1970, вып. 25, с. 29—49 с ил.

4.Вострокнутов Н; Н. Параметрические стабилизаторы напряжения постоянного тока на стабилитронах Д818.— «Изме­ рительная техника», 1964, № 8, с. 37—39 с ил.

5.Гейлер Л. Б. Введение в теорию автоматического регу­

лирования. Минск, «Наука и техника», 1967, 527 с. с ил.

6. Голембо В. А ., Кирианаки Н. В. Источники опорного напряжения с малым временным дрейфом.— В кн.: Методы и средства преобразования информации. Киев, «Наукова думка», 1966, с. 150— 155 с ил.

7.Горовиц А. М. Синтез систем с обратной связью. Пер.

сангл. М., «Советское радио», 1970. 600 с. с ил.

8.Горюнов П. Н. Образцовые стабилизаторы напряжения

на диодах типа Д818.— «Труды ВНИИМ. Исследования в об­ ласти электрических измерений». 1965, вып. 82.

9.Додик С. Д. К теории стабилизаторов тока и напряже­ ния.— «Электричество», 1960, № 4, с. 73—76 с ил.

10.Додик С. Д. Полупроводниковые стабилизаторы посто­

янного напряжения и тока. М., «Советское радио», 1962. 352 с. с ил.

11.Иванчук Б. Н., Рувинов Б. Я. Параметрические стаби­ лизаторы напряжения на полупроводниковых приборах и маг­ нитных усилителях. М., «Энергия», 1971. 128 с. с ил.

12.Источники электропитания на полупроводниковых при­ борах. М., «Советское радио», 1969. 448 с. с ил.

13.Каганов М. А ., Привин М. Р. Термоэлектрические теп­ ловые насосы. Л., «Энергия», 1970. 175 с. с ил.

14.Карпов В. И. Полупроводниковые компенсационные ста­ билизаторы напряжения и тока. Л., «Энергия», 1967, 177 с. с ил.

15.Михин Д. В. Кремниевые стабилитроны. Л., «Энергия», 1965. 112 с. с ил.

16.Николаевский И. Ф. Эксплуатационные параметры и

113

особенности применения транзисторов. М., Связьиздат, 1963.

224с. с ил.

17.Прецизионные кремниевые стабилитроны.— «Измери­ тельная техника», 1964, № 8, с. 39—42 с ил.

18. Проволочные резисторы. М., «Энергия», 1970. 240 с.

сил.

19.Расчет электрических допусков радиоэлектронной аппа­ ратуры. М., «Советское радио», 1963. 368 с. с ил.

20.Сафрошкин Ю. В. Переходные характеристики и устой­ чивость транзисторных стабилизаторов напряжения и тока. М., «Энергия», 1968. 168 с. с ил.

21.Степаненко И. П. Основы теории транзисторов и транзи­ сторных схем. М., «Энергия», 1973. 608 с. с ил.

22.Тихонов В. И. Методика выбора и расчета транзистор­ ных стабилизаторов напряжения. М., ГОСИНТИ, 1968. 30 с.

23.Уэлш Н. Диоды стабилизаторы тока. Пер. с англ.— «Электроника», 1963, № 4, с. 37—39.

24.Электронные и полупроводниковые устройства систем

автоматического управления. М., «Машиностроение», 1966. 372 с. с ил.

ОГЛАВЛЕНИЕ

Предисловие....................................................

 

 

 

 

 

3

 

Глава первая.

ПСН как система автоматического

ре­

5

 

 

 

гулирования

................................................

 

 

1.

Статическая точность П С Н .............................................................

 

 

 

2.

Структурные

схемы П С Н .........................................................

 

 

 

9*

3.

Элементы структурной схемы основного контура ПСН .

14

 

Глава вторая.

Характеристика воздействий по элек­

 

 

 

 

трическим

соединениям,

анализ

их

 

 

 

 

влияния на работу ПСН и методы

30

 

 

 

уменьшения этого влияния

.........................

 

4.

Характеристика

воздействий.....................................................

 

 

5.

Влияние напряжения питания звеньев ПСН и изменения

34

6.

нагрузки. Методы уменьшения

их вли ян и я ...........................

 

 

Влияние на работу ПСН электромагнитных помех. Методы

38

 

подавления

п о м е х ..............................

 

 

 

 

Глава третья.

Воздействия

окружающей среды,

ана­

 

 

 

 

лиз влияния

и способы его

уменьше­

45

 

 

 

ния ..............................................................

 

 

 

7.

Характеристика

воздействий.....................................................

 

. .

8.

Влияние изменения температуры на звенья ПСН .

47

9.

Влияние температуры на элементы ПСН: резисторы,

ста­

52

 

билитроны,

транзисторы и микросхемы ...................................

 

 

10.Способы уменьшения температурной погрешности ПСН 58

Глава четвертая. Собственные возмущения, их влияние

на ПСН и пути снижения этого влияния

11.Временная нестабильность резисторов и ее уменьшение

12.Временной дрейф кремниевых стабилитронов и транзи­

 

сторов ................................................................................................

 

 

74

13.

Временная нестабильность твердых линейных микросхем

78

 

Глава пятая.

Основы проектирования

и примеры

 

 

 

практической реализации

ПСН . . .

81

14.

Организационно-методические основы проектирования

 

 

ПСН .....................................................................................................

 

 

15.

ПСН для цифроаналоговых преобразователей......................

89

115

16.

ПСН для аналоговой вычислительной техники

. . . . 93

17.

ПСН для метрологических и зм ер ен и й ...................................

95

 

П рилож ение..........................................

101

I. Анализ схемы ПСН с ИС в обратной связи ...........................

II.

Эффективная триггерная защита для П С Н ..........................

106

 

Список л и те ратур ы .................................

113

ЛЕОНИД ВЕНИАМИНОВИЧ ВЕНГЕРОВСКИЙ

АРКАДИЙ ХЕМОВИЧ ВАЙНШТЕЙН

ПРЕЦИЗИОННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СТАБИЛИЗАТОРЫ

Редакторы: В. К. Захаров, Б, И. Леонова Художественный редактор Г. А . Гудков Технический редактор Е. А . Хмелннская Корректор М . Э. Орешенкова

Сдано в

набор

26/11 1974

г.

Подписано к

печати

12, IV

1974 г.

М-22532.

Ф ормат 84X108V32-

Бумага

типографская №

2.

Уел.

печ. л. 6,3. Уч.-иэд. л. 7,3.

Тираж

12 000

экэ.

Заказ

N9

530.

Цена 37 коп.

 

 

 

 

 

 

 

 

Ленинградское

отделение

 

издательства

«Энергия».

192041,

Ленинград, М арсово поле,

1.

 

 

 

 

 

 

Ленинградская типография N9 4 Союэполиграф прома при Го­ сударственном комитете Совета М инистров СССР по делам издательств, полиграф ии и книжной торговли. 196126, Ленин­ град, Ф-126, Социалистическая ул., 14.

s ИЗДАТЕЛЬСТВО «ЭНЕРГИЯ»

ГОТОВЯТСЯ К ВЫПУСКУ СЛЕДУЮЩИЕ книги

А у э н Л. Ф. Цифровые и переключающие устрой­ ства на тиристорах. (Библиотека по автоматике). Объ­ ем 9 л. Ориентировочная цена 46 коп.

Рассматриваются основные характеристики пере­ ключающих приборов с отрицательным сопротивлени­ ем (однопереходных транзисторов и некоторых типов тиристоров). Поясняются физические основы и анали­ зируются условия устойчивой работы этих приборов, на которых предполагается выполнять принципиаль­ ные схемы ряда элементов автоматики. Приводятся и подробно описываются принципиальные схемы раз­ личных вариантов счетных, логических, запоминаю­ щих, распределительных и коммутирующих устройств, выполненных на тиристорах и однопереходных транзи­ сторах. Большое внимание уделено изложению усло­ вий проектирования и инженерных методов расчета триггеров, регистров, логических, управляющих и ком­ мутирующих схем, предназначенных для использова­ ния в устройствах дискретной автоматики различного целевого назначения.

Книга рассчитана на инженеров и конструкторов, работающих в области проектирования аппаратуры дискретной автоматики, вычислительной техники и ра­ диотехнических устройств, а также на студентов соот­ ветствующих специальностей.

118

^ИЗДАТЕЛЬСТВО «ЭНЕРГИЯ»

3 а р е ц к и й М.М., М о в ш о в и ч М. Е. Синтеза­ торы частоты с кольцом фазовой автоподстройки: 20 л. Ориентировочная цена 1 р. 23 к.

В книге изложены методы анализа и синтеза схем для оформления сетки дискретных частот с кольцом фазовой автоподстройки, а также рекомендации по выбору структуры синтезаторов и их основных узлов. Приведены примеры расчета реальных систем.

Книга предназначена для инженеров, работающих в области синтеза частот, передающих и приемных устройств и измерительной техники.

М у т т е р В. М. Аналого-цифровые следящие систе­ мы. Объем 17 л. Ориентировочная цена 99 коп.

В книге излагаются теоретические основы и методы проектирования аналого-цифровых регуляторов и пре­ образователей, находящих широкое применение в раз­ личных системах технической кибернетики. Рассмот­ рены принципы построения аналого-цифровых систем, приведена их подробная классификация, описаны функциональные и принципиальные схемы.

Книга предназначена для широкого круга инжене­ ров, занимающихся измерительной и вычислительной техникой, а также для студентов вузов.

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ