Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Кулигин, О. С. Многокристальные интегральные схемы (опыт проектирования)

.pdf
Скачиваний:
9
Добавлен:
19.10.2023
Размер:
1.36 Mб
Скачать

вый, то последнее выражение можно переписать следующим обра­ зом:

Л = Л (х) = ɪі,

λ

j ∙ ∏j (Xi),

і

 

 

ʌw = 2 M*0.

і

где λι(Xι)—суммарная интенсивность отказов конструктивных

элементов, определяемых выбором степени интегра­

ции кристалла Xt на первом шаге процесса;

λ2(x2)—суммарная интенсивность отказов конструктивных

элементов, определяемых выбором степени интегра­ ции микросхемы X2 на втором шаге процесса;

λ3(X3) —суммарная интенсивность отказов конструктивных элементов, определяемых выбором типа корпуса X3

на третьем шаге процесса.

При анализе решения относительно X1 необходимо учесть ин­ тенсивность отказов кристалла λκp и сварных соединений λι(λ'ι)c, отнесенных к одному вентилю, т. е.

λ 1 (Xi)

= λκp ÷ λ ι(Xι)c,

.

(6)

 

X1

 

λ і (Xi) = λκp + λc • 5 ∕^

X1

 

Основными источниками

отказов, вносимых конструктивными

элементами и технологическими операциями,

являются:

 

гибкие перемычки плата—корпус: λ2(x2) перем.;

пайки на печатной плате коммутации при монтаже микро­

схем на уровне узла: λ2(X2)n.

Для оценки надежности на

уровне субблока необходимо

было

бы учесть отказы межузловых

связей. Однако обычно этн

связи

составляют незначительный процент от общего числа контактов,

поэтому допустимо этим источником отказов пренебречь. Аналити­

ческий учет основных причин отказов дает следующее выражение для описания надежности на втором шаге процесса проектирова­

ния:

λ2(x2) =λ22(x2) =λ 2(X2) перем. +

λ2(x2)n,

(7)

λc.5]∕Γ2. X + λn∙5∕Σ∙ ɪ.

Основные причины уменьшения надежности МИС и аппарату­

ры на МИС, связанные с влиянием типа корпуса:

— температурный перегрев кристаллов за счет конечной ве­ личины теплового сопротивления корпуса: λ3(X3)i;

20

— различная степень герметичности корпусов,

используемых

при изготовлении микросхем: λ3(x3)r.

отказов,

вы­

Аналитический учет увеличения интенсивности

званный указанными причинами, можно представить в

виде:

 

λ 3(x3) = λ3(X3)i ÷ λ3(x3)r∙

один

вентиль-

Оценка увеличения интенсивности отказов на

из-за перегрева кристалла λ3(X3)z строится на основании

дан­

ных [6], согласно которым повышение температуры кристалла на

каждые IO0C приводит к пропорциональному увеличению интен­ сивности отказов кристалла, т. е.

λ3(X3)i= ^-^∞λκp-

Оценка увеличения интенсивности отказов на один вентиль за: счет недостаточной герметичности корпуса для различных типов

корпусов строится на основании данных [1], согласно которым ин­ тенсивность отказов кристалла, герметизируемого в пластмассовые корпуса (x3 = 3), увеличивается примерно в два раза, тогда как

металлостеклянные корпуса (x3=l; 2) в этом смысле почти не-

оказывают влияния, т. е.

0

,

X3= 1;

2 )

ʌ ɪ:p,

X3 =3

/

Вероятно, это преимущество

металлостеклянных (и керамиче­

ских) корпусов является временным.

Имеются данные о том, что-

при достигнутом американской промышленностью состоянии техно­

логии в. 1972 г. надежность пластмассовых и керамических корпу­

сов существенно не отличается. Суммирование λ3(x3)i и λs(x3)τ-

дает значение функции λ3 (х3):

(8>

Результирующая функция для оценки надежности цифрового

устройства на аппаратурном уровне в пересчете на один логичес­

кий вентиль выразится как

Л (х) — λ κp + 5 λ

+ λ и)

U ,

x3=l;

ʌ кр,

X3 = 3 \

21

Функции стоимости

При анализе функций стоимости аппаратуры па МИС следует

учитывать основные технологические операции изготовления такой

аппаратуры:

интегрированные операции по обработке полупроводнико­ вой пластины;

сборка кристаллов с выводами, включая контроль и испыта­

ния;

изготовление платы металлизации;

монтаж кристаллов на плате металлизации;

изготовление корпуса и корпусирование микросхемы;

установка микросхемы на печатную плату.

Степень интеграции кристалла характеризует стоимость интег­ рированных операций по обработке полупроводниковой пластины при изготовлении кристалла Сі(Хі)пл, стоимость сборки, контроля и испытаний кристалла C1(x1)lφ и стоимость монтажа кристалла на плате металлизации Ci (x )m, что аналитически можно предста­ вить как

' Ci(Xi) = C1 (xι)π,-1 + Cι (Xι)κp+Ci (X])m.

Для определения стоимости интегрированных операций можно

воспользоваться известной моделью аппроксимации процесса из­

готовления кристаллов [ 7 ]. Стоимость сборки и монтажа кристал­ ла будем считать пропорциональными числу выводов. Тогда

C1 (χ1) = -L . -J- (-⅛i α0(l - /ʧ exp. Bda. (1 + ∕x?)2 +

)

X1 /сб \ -^пл

+ ( C,c6 ɪ ÷ ^c62) • 5 ɪʌ -və .

C повышением степени интеграции микросхемы связано увели­

чение площади платы металлизации и числа внешних выводов, что приводит к росту трудоемкости сборочных операций при корпусировании C2(X2)c6, операции по изготовлению платы металлизации

C2(X2)mi и операций по установке микросхемы на печатную плату

C2(x2)∏∏:

C2 (x2) =C2(x2)∏m+ C2(x2) cs + C2(x2)∏∏.

Стоимость платы металлизации зависит от ее топологических па­ раметров и уровня технологического процесса. Выход годных плат

можно рассчитать аналогично выходу годных кристаллов, полагая

основной причиной производственного брака нарушение изоляции

между перекрещивающимися проводниками. Тогда

f,∏M=exp. (—B2d2ksx2).

22

Таким образом, аналитическое выражение стоимости платы ме­ таллизации будет иметь вид

 

C

'

(∙^2) им ~

ks×2 “

eXp,

""1

•^пм

-V2

При условии, что стоимость корпусирования и установки микро­

схем на печатную плату пропорциональна числу выводов корпуса:

C*2 (∙^2) сб — ɑr *

5j∕r

 

,

-V2

-V2

C2 (-V2) пп “ ɑɪr * 5 J/"-V2

Xq

C2 (x2) —ks

 

для

функции

C2(x2) x2получим

суммированиемx9-.

:

Полное выражение

єхр

 

 

-L≡-

 

B2⅛⅛sx2 + 5Cκ 1Λ

——H5C∏1∕^

(11)

 

Ли

 

 

 

 

 

- Xz

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Стоимость корпуса зависит от числа выводов. Оценка стоимости корпуса в зависимости от числа выводов делается в предположе­ нии, что эта зависимость квадратичная. Действительно, с ростом числа выводов не только увеличиваются размеры корпуса и свя­ занные с этим затраты на изготовление, но и уменьшается вы­

ход годных, т. е.

C3(x3) = C(x3) •

п2,

(зависит

от типа

где C(x3) — коэффициент пропорциональности

корпуса), определенный в соответствии с таблицей.

 

 

числа

Если в последнее выражение ввести

определение для

 

выводов и нормировать его по

X2,

то

 

 

 

 

(12)

C3(x3)

=25

C (X3).

 

 

 

Результирующая функция стоимости будет иметь вид

 

 

с (X) = ɪ . -L (-⅞L a0 (1

+ УX1)2

exp Bda0

(1 ÷]∕^x1)2 +

+ 5 Cc6,1 Уx1 + 5 Cc6.2

У

x1/) + ks -∙^ΠM

 

 

+

(13)

 

 

 

 

⅛*-expB2d2 ksx2

 

+ 5 Ck λx2 ∙ -L÷ 5

 

 

X3 .-ɪ + 25

C

(X3).

 

 

 

 

Cπy

 

 

 

 

Xq

 

 

 

 

Xq

 

 

 

 

23

да из принципа оптимальности динамического

программирования

Ín( g)

функциональное

уравнениеKn(Xn), g—

 

 

 

вытекает

 

 

 

 

 

gw(*Λ')], N=2,3. (17)

λ,

=mz7z[C.v(λλj

-ιv) +fjv-ι ( λ —

 

 

 

V

 

 

g)

= min

 

справедливо

 

При этом для одношагового

процесса

(18)

 

 

Λ(λ,

 

 

C1(Xi)

 

 

Реккурентное соотношение (17)

 

 

 

 

 

g).

дает теоретический метод для по­

лучения последовательности {Av(λ, g)},

если

известно ∕l(λ,

 

Таким образом, вместо оптимальной последовательности решении в условиях некоторого фиксированного состояния находят опти­ мальное решение, на каждом шаге процесса. Это уменьшает раз­

мерность процесса до присущего ему уровня — до размерности

решения, с

которым приходится

сталкиваться на любом конкрет­

ном шаге.

Решение частной задачи оказывается связанным

(ре-

куррентно)

с решением семейства задач подобного типа.

будет

Программное обеспечение

процесса проектирования

состоять из двух основных программ: программы решения .семей­

ства задач оптимизации и программы для поиска частного реше­

ния при. фиксированных требованиях.

Затраты машинного времени при принятых начальных данных, соответственно, составят 20 и 1,5 минуты. Вторая программа позво­

ляет эффективно организовать анализ чувствительности процесса

проектирования к изменению требований по надежности и плотно­ сти компоновки.

 

 

Литература

 

 

 

1.

Скрупски С.

Конструирование

интегральных

схем. — Электроника.

2.

1971, № 9.

 

 

Некоторые вопросы конструктивного

БородинН. II., К у л и г и н О. С.

 

проектирования многогалетных микросхем. — В. сб.: Вопросы радиоэлектро­

3.

ники, сер. ОТ, вып. 14, 1969.

 

 

 

метод разбиения и

отображе-

Руссо, Вольф. Машинно-ориентированный

4.

ʒ ния графов логических схем ЭВМ. ТИИЭР.

1972, № 1, стр. 49.

 

Бородин Н. И. К вопросу об

определении

оптимальной функциональной

 

сложности логических модулей

и

путей

повышения

плотности

упаковки. —

 

В сб.: Вопросы

радиоэлектроники,

сер.

ОТ,

вып. 9,

1968.

 

5.OCT 4 Г0.010.009. .Установка микросхем на печатные платы.

6.Валиев К. А. и др. Большие интегральные схемы. — В. сб. «Микроэлектро­ ника», вып. 3. 1969.

7.Вал'иев К- А. и др. О выходе годных полупроводниковых интегральных.

схем и их стоимости. — В сб.: «Микроэлектроника»,, вып. 3, 1969.

8.Беллман P., Д р е й ф у с С. Прикладные задачи динамического программи­ рования. Μ., «Наука», 1965.

9.Беллман P., К а л а б а Р. Динамическое программирование и современная теория управления. Μ.. «Наука», 1969.

ОГЛАВЛЕНИЕ

Cτρ.

Введение

. ............................................................

 

3

. Значение и-достоинства МИС...........................................................

-

3-

Основные, учитываемые факторы ............................................

.

6

Этапы разработки

 

8

Проектирование

 

9

Параметры и критерии .....................................................................

 

И

Допущения и

ограничения........................ .........

 

II

Анализ параметров и критериев.................................................

 

14

Машинное проектирование.........................

 

24

Л и.т ер ату р а .

 

27

О. С.

К, у л и г и и, Н. И. Бородин

Мно.гокристальные интегральные схемы

(опыт проектирования) •

Редактор Μ. К. Запольное ■-

Изд. редактор Р. А. Кострюкова

Техн, редактор Л. П. Горова

Корректор Л. К. Я ч м е н ц е в а

■Ленинградский Дом научно-технической пропаганды. (ЛДНТП), Невский пр., 58

Сдано в набор

16/10-74 г.

Подписано к печати

І9/ХІ-74

г.

Тираж 4200

Уч.-изд. л, 1,5

Печ. л. 1,75

Цена

15 коп.

 

Изд. № 266

M-06586

 

Типография

ЛДНТП

 

Зак. •№ 1436

Цена 15 код.

*

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ