Лекции_Теория / Физика твердого тела БИН / Глава Т6
.pdf
Раздел VII Физика твердого тела Глава VI. Лазеры
1. Основные радиационные процессы в лазерах
Спонтанное излучение, A21 -вероятность спонтанного излучения в единицу времени.
Вынужденное поглощение, P12 - вероятность вынужденного поглощения в единицу времени. Вынужденное испускание, P12 - вероятность вынужденного испускания в единицу времени. Фотон
испускаемый при вынужденном процессе имеет ту же частоту , направление k , фазу, что и первоначальный.
P12 P21 B21U( ), U( ) - спектральная плотность энергии вынуждающего излучения.
В состоянии термодинамического равновесия:
B12U( )N1 B21U( )N2 A21N2  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
|||||||||||||||||||||||||||||
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
||
  | 
	U( )  | 
	A21  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	1  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	(U( )по Планку)  | 
||||||||||||||||||
  | 
	B  | 
	
  | 
	
  | 
	N1  | 
	
  | 
	1  | 
	
  | 
|||||||||||||||||||||||||
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
||||||||||||||
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	21  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
||||||||
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	N2  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
|||||||||||
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
|||
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
||||
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	N  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	2  | 
	
  | 
	
  | 
||||
3  | 
	
  | 
	
  | 
	1  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	A21  | 
	
  | 
	
  | 
	1  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	е kТ  | 
	
  | 
||||||||||||
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
||||||||||||||||||||
2с3  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	B  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	N1  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
||||||||||||
  | 
	е  | 
	kТ  | 
	1  | 
	
  | 
	е  | 
	
  | 
	kТ  | 
	1  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
|||||||||||||||||
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	21  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
|||||||||||||||||||||
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	по Больцманау  | 
||||||||||||||||
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
||
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
|||||||||
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	А  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	3  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
||||||||||
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	21  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
||||
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	В  | 
	
  | 
	2c3  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
|||||||||||||
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
||||||||||||
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	21  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
|||
Соотношение Эйнштейна
2. Основные условия лазерной генерации.
LASER (Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation)
А) Для получения усиления излучения при прохождении через рабочее вещество лазера необходимо создать инверсную населенность:
N2 N1
(В состоянии термодинамического
равновесия N2 e N1
KT 1)
Трехуровневая схема (рубиновый лазер
Al2O3 Cr3 )
Четырехуровневая схема (неодимовый лазер, стекло Nd3 )
Кж – короткоживущий уровень(~10 8c ) Дж – долгоживущий
уровень(~10 3 10 4c)
Б) Положительная обратная связь (оптический резонатор)
R1R2e2 L 1
χ - коэффициент усиления
3. Полупроводниковые инжекционные лазеры
В настоящее время нашли широкое применение в информационной технике (лазерные принтеры, DVD – приводы, сканеры…)
Спонтанное излучение (спонтанная рекомбинация электрона и дырки)
Вынужденное поглощение (внутренний фотоэффект)
Вынужденное испускание (вынужденная рекомбинация электрона и дырки)
Инверсная населенность:
e g E
Ширина спектра спонтанного излучения
E e g .
Положительная обратная связь. В качестве зеркал
используются сколы граней кристалла. Инжекционные п/п лазеры представляют из себя диоды на p-n переходе, включаемые в прямом
направлении. В тонком слое p-n перехода (1- 2 к ) за счет инжекции электронов и дырок создается инверсная населенность.
GaAs j  | 
	~102  | 
	
  | 
	A  | 
	
  | 
	,P ~10BT ,kn ~ 50% ,  | 
|
cm  | 
	
  | 
|||||
  | 
	порог  | 
	
  | 
	2  | 
	
  | 
||
  | 
	8200 9000A0  | 
	(ИК излучение)  | 
||||
Вопросы:
1.Основные радиационные процессы в лазерах.
2.Что такое инверсная населенность.
3.Как осуществляется положительная обратная связь в лазерах.
4.Устройство полупроводникового инжекционного лазера.
