Минобрнауки России

Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский университет

«Московский институт электронной техники»

Лабораторная работа №7 по дисциплине

«Схемотехника телекоммуникационных устройств: аналоговые устройства»

«Изучение основных способов уменьшения нелинейных искажений проходного

ключа в схемах на переключаемых конденсаторах»

Вариант 1

№ варианта	Wn, мкм	Ln,p, мкм	Mn,Mp
1	1	0.6	1

Таблица 1: Вариант

Исследуемая схема	Входное напряжение, В	Экспериментальное значение тока стока, А	Экспериментальная проводимость ключа, А/В
КМДП-ключ с компенсацией инжекции заряда	0,1 Vdd	445.614n	445.614u
	0,5 Vdd	117.877n	11.877u
	0,9 Vdd	89.2297n	82.2297u
КМДП-ключ с макс.линейностью проводимости	0,1 Vdd
	0,5 Vdd
	0,9 Vdd
n-МДП ключ с вольтодобавкой	0,1 Vdd
	0,5 Vdd
	0,9 Vdd

Ввод схемы формирования постоянных потенциалов по варианту

Рисунок 1 – Схема измерения проводимости КМДП ключа

Рисунок 2 – График зависимости тока и проводимости КМДП-ключа от входного напряжения

Рисунок 3 – Результат более точного анализа

Рисунок 4 – Установление тока через резистор

Моделирование схемы и подбор параметров транзисторов с целью получения требуемых рабочих характеристик

Рисунок 5 – Приближение рисунка 4

Рисунок 6 – Результаты параметрического анализа для vbn2

Рисунок 7 – Результаты моделирования с wtn = 510n

Рисунок 8 – Результаты параметрического анализа для vbp2

Рисунок 9 – Результаты моделирования с wtp = 2.745u

Рисунок 10 – Общая схема, где видно, что значения напряжений в узлах vbn2 и vbp2 совпадают со значениями по варианту

Вывод

При выполнении данной лабораторной работы было проведено моделирование источника опорного тока и каскодного источника смещений. Также были подобраны параметры транзисторов, чтобы работа схемы отвечала требованиям по заданию.

2022