рубежка_частичные ответы

Какие диоды используются только в СВЧдиапазоне? Диод Ганна и Лавинно-пролётный диод (ЛПД)

Электромагнитное поле в связанной микрополосковой линии определяется: Чётными нечётным видом возбуждения

Особенностью гетеропереходаявляется: Образование 2D газа

Низшим типом волны в коаксиальной линии является: ТЕМ волна

Параллельный колебательный контур можно реализовать: Четвертьволновой кз, разомкнутый полуволновой

В квазилинейном режиме угол отсечки равен: Менее 180 иболее 90

Укажите формулу для определения эффективной ширины затвора транзистора L:

L=l1+l2+l3 = 1,2L3

Укажите форму для определения времени задержки носителей Tк вобеднённом слое коллектора:

Tк= lк/2v

Низшим типомволны в микрополосковой линии является: Квази ТЕМ волна

Подвижная система радиосвязи включает: МШУ, Синтезатор частоты

Усилитель мощности можно реализовать: На лампе бегущей волны, на транзисторе

К оптическому диапазону относят диапазончастот: Свыше 300 ГГц

В физической эквивалентной схеме полевого транзистора нелинейным элементом является: Емкость обеднённой области со стороны истокаили сопротивление управляемой части канала

Индуцированный шумв полевомтранзисторе восновномзависит от: Сопротивления затвора или истока, либо от граничной частоты

S-параметры используются при описании транзистора в виде: Четырёхполюсника

S-параметрытранзистора позволяют определить: КСВН

Сверхинжекцией называют:

Рост концентрации неравносильных носителей заряда

Укажите формулу для определения времени заряда ёмкости коллекторного перехода Tбк:

T=Cк(rэ+rк)

Противоречивостьтребований, предъявляемых к биполярным СВЧ транзисторам с целью повышения частоты состоит:

Уменьшение ширины коллекторного перехода lк приводит к росту Cк.Требования: Уменьшение lк; уменьшение lб; уменьшение Cэ и Cк; уменьшение rк.

Энергия в осветлителе насвязанных линиях:

Ответвляется во вторичную линию в противоположном направлении

Индуктивностьпорядка100 нГн можно реализовать: Спиральная катушкаиндуктивности, возможно меандр илиМПЛ

Барьер Шоттки вполевомтранзисторе образуется: Между контактом-затвором и обеднённой областью

Структуру мощного биполярного транзистораот маломощного отличает: Использование до 150 единичных структур

Разомкнутый микрополосковый резонаторпо сравнению скороткозамкнутым обладает: Меньшей добротностью, большим концевым излучением

На короткозамкнутомотрезке линии передачи можно реализовать: Резисторы, катушки индуктивности, конденсаторы

К планарнымлиниямпередачи относят: Микрополосковую линию

По характеру энергообмена электровакуумные приборы СВЧ делят: типыО и М

Выводы корпусов свч транзисторов делают в виде коротких полосок:

Удобство сочленения с МПЛ, уменьшение паразитных ёмкостей и индуктивностей

Микрополосковойсвязной линией передачи называют: Линию передачи, связанную с землёй

К шумамактивнойобласти полевого транзистораотносят: Тепловой и индуцированный

Укажите формулу для определения S11:

S11=U1отр/U1пад

Повышение обратного смещения на электроде затвора приводит: К сужению канала

Тепловой шум вбиполярном транзисторе зависит от: Сопротивления базы

HEMT транзистор представляет собой:

Тр-ор с повышеннойподвижностью электронов,транзистор с 2D газом

К эксплуатационным параметрам транзисторов относят: ВАХ

Гребенчатая ёмкость может иметь добротность, равную: Скорее всего 50 и 100

Укажите правильную формулу для определения единицыизмерения мощности – dBm:

10lg(P(Вт)/1мВт)

Повысить эффективность эмиттера в биполярном тр-ре позволяет использование: Гетеропереходы, широкозонный эмиттер

Затвор вполевом тр-ре используется: Для управления током тр-ра