2 КР / kr2
.pdf
☼Сверхинжекция – рост концентрации неравновесных электронов в р- полупроводнике при протекании тока.
☼Время задержки в обеднённой области коллектора для биполярного транзистора
к = |
|
; = 8 106 |
см |
или 107 − кремний 10−2 если в метрах |
||||||
2нас |
|
|||||||||
|
|
с |
|
|
|
|
|
|
|
|
☼Граничная частота полевого транзистора |
|
|
||||||||
|
|
= |
|
1 |
= нас = |
нас |
||||
|
|
гр |
2пр |
|
2 |
|
2 1.2З |
|
||
|
|
|
|
|
||||||
☼Нелинейные элементы в эквивалентной схеме биполярного транзистора –
диф − диффузионная ёмкость − сопротивление рекомбинации
☼Определить 1-ую гармонику коллекторного тока, если биполярный транзистор работает с отсечкой 90
=
☼2D газ – скопление электронов в тонком слое вблизи металлургической границы перехода
☼Время прохождения через базу
2б = б ; = 3; б = 8см2/с
б
☼Ширина затвора через частоту
= 1 |
= нас = |
нас |
→ |
|
= |
нас |
|||
гр |
2пр |
|
2 |
|
2 1.2З |
|
з |
|
2 1.2гр |
|
|
|
|
|
|||||
☼Нелинейные элементы в эквивалентной схеме полевого транзистора –
ЗИ − ёмкость затвор − исток, кан − нелинейное сопротивление канала
☼Дана мощность выходная 10 dBm. Мощность интермодуляционных искажений -30 dBc. Найти мощность интермодуляционных искажений.
[ ] = [ ] − [ ]
|
|
|
[1 ] |
|
= 10 |
|
; = 10 |
|
|
|
1[ ] |
|||
|
|
|||
|
|
|
|
☼
= 10
= 10
|
= 10 |
|
= 10 |
|
|||
10 |
|
||||||
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
10 |
|
||
[ ] = 10 |
|
= 10 |
|
= 10 |
|||
|
|
||||||
|
|
1 |
|
1 |
|
||
|
|
|
|
||||