
- •Часть I
- •Содержание.
- •1. Введение
- •1.1. Принцип и метод измерения физических величин
- •1.2. Сигнал, теорема Котельникова
- •2. Шумы и помехи в электрических цепях
- •2.1. Источники шумов
- •2.2. Стационарный и эргодичный случайный процесс. Функция корреляции. Энергетический спектр. Теорема Винера-Хинчина
- •2.3. Тепловые флуктуации. Формула Найквиста
- •2.4. Дробовой эффект
- •2.5. Квантовые флуктуации
- •2.6. Фликкер – шум
- •2.7. Магнитные шумы. Эффект Баркгаузена
- •2.8. Технические шумы
- •3. Измерение электрических величин
- •3.1. Энергетический метод определения и сил моментов сил. Силы Лоренца и Ампера. Момент сил, действующий на виток (рамку) с током в магнитном поле.
- •3.2. Магнитоэлектрические приборы
- •3.3. Электродинамические приборы
- •3.4. Электромагнитные приборы
- •3.5. Электростатические приборы
- •4. Датчики смещения
- •4.1. Резистивные датчики смещения
- •4.2. Тензорезистивный эффект
- •4.3. Емкостные датчики смещения
- •4.4. Уравнение магнитной цепи
- •4.5. Индуктивные датчики смещения
- •4.6. Индукционные датчики смещения
- •5. Датчики силы и деформаций
- •5.1. Прямой и обратный пьезоэффект
- •5.2. Пьезоэлектрические преобразователи
- •5.3. Кварцевый генератор
- •5.4. Пьезомагнитный эффект. Пондеромоторные силы. Электрострикция. Магнитострикция
- •5.5. Магнитострикция
- •5.6. Магнитоупругий эффект
- •6. Гальваномагнитные преобразователи
- •6.1. Гальваномагнитные явления
- •6.2. Эффект Холла. Датчики Холла
- •6.3. Магниторезистивный эффект
- •6.4. Магнитодиодный эффект
- •6.5. Гальваномагниторекомбинационные преобразователи
- •7. Датчики температуры
- •7.1. Физический смысл абсолютной температуры
- •7.2. Шкала температуры окружающего мира
- •7.3. Механические методы измерения температуры. Термометры сопротивления. Терморезисторы и термисторы
- •7.4. ТермоЭдс. Термопара. Термоэлектрические эффекты Томпсона и Пельтье
- •7.5. Кварцевый термометр
- •7.6. Пироэлектрические датчики температуры. Пирометры
- •8. Фотоэлектрические преобразователи
- •8.1. Внешний фотоэффект
- •8.2. Фотоэлектронные умножители
- •8.3. Внутренний фотоэффект Фотопроводимость. Фоторезисторы
- •8.4. Кинетика процессов генерации и рекомбинация электронов и дырок
- •8.5. Фотогальванические преобразователи. Фотодиоды, лавинные фотодиоды и фототранзисторы
- •Список цитируемой литературы:
6.4. Магнитодиодный эффект
Магнитное поле меняет сопротивление р/п перехода, когда приложено прямое напряжение и он работает в пропускном режиме (магнитодиодныйэффект).
Преимуществом магнитодиодов является их высокая чувствительность по магнитному полю:
SB==I
~(15-60)
В/Тл приI=Iном=3мА (6.4.1)
и большое быстродействие.
К недостаткам относятся чувствительность к температуре, нелинейность функции преобразования, разброс характеристик, обусловленный технологией изготовления.
6.5. Гальваномагниторекомбинационные преобразователи
В гальваномагниторекомбинационных преобразователях (ГМРП) используется зависимость средней концентрации свободных носителей электрического заряда от магнитного поля. Эта зависимость наблюдается в тех проводниках, у которых имеются поверхности с разной скоростьюрекомбинациисвободных носителей электрического заряда. Рекомбинация представляет собой взаимодействие электрона зоны проводимости с дыркой валентной зоны, в результате которого исчезают оба носителя электрического заряда, см. Рис. 43.
εср=Eд-EV
Рис. 43. Рекомбинация электрона зоны проводимости с дыркой валентной зоны.
Процесс перехода электрона из зоны проводимости в валентную зону сопровождается выделением тепла или излучением кванта света. Рекомбинация электронов и дырок при которой происходит испускание фотонов используется в полупроводниковых лазерах.
Скорость рекомбинации электрона и дырки
вблизи поверхности зависит от качества
обработки поверхностии растёт на
2-3 порядка вблизи грубо обработанной
поверхности по сравнению со скоростью
рекомбинации вблизи отполированной
поверхности. Чувствительный элемент
ГМРП представляет собой пластинку
полупроводника, у которой одна из боковых
(относительно тока) граней грубо
обработана, а противоположная грань
отшлифована, (см. Рис. 44). Если магнитное
полеобеспечивает смещение электронов и
дырок к боковой грани 1 (грубая обработка),
то средняя концентрация носителей тока
уменьшится, а сопротивление возрастёт.
Рис. 44. Чувствительный элемент гальваномагниторекомбинационного преобразователя.
Если при фиксированном направлении
магнитного поля
поменять направление тока на
противоположное, то концентрация
носителей тока возрастёт, а сопротивление
уменьшится.
Чувствительность ГМРП по магнитной индукции имеет величину:
SB=~(16-75)В/Тл, (6.5.1)
что на 2-3 порядка выше соответствующей чувствительности датчиков Холла. Однако вследствие влияния температуры, шумов и контактной разности потенциалов порог чувствительности примерно такой же, как у датчиков Холла.
ГМРП характеризуется очень высокой граничной частотой - порядка 1014Гц, причём для переменных магнитных полейпорог чувствительности(такое изменение входной величины, которое вызывает наименьшее изменение выходного сигнала, различимое при нормальном для данного прибора способе отсчёта) составляет величину ~5*10-7Тл.
ГМРП применяются для:
измерения постоянной и переменной во времени магнитной индукции;
бесконтактного измерения тока;
измерения малых перемещений объёма в неоднородноммагнитном поле.
7. Датчики температуры
7.1. Физический смысл абсолютной температуры
Простейшее определение температуры связывает её со степенью нагретоститела. В молекулярно-кинетической теории температура – это мераинтенсивности теплового движения(поступательного, вращательного и колебательного) молекул газа. В теории идеального газа абсолютная температура определяет среднюю кинетическую энергию поступательного движения частиц
<Екин>=<
>=
kT, (7.1.1)
где k=1,38*10-23 Дж/К – постоянная Больцмана,m– масса частицы. В статистической теории температура определяетвероятностьнахождения системы в состоянии с энергией Е
P=ce, (7.1.2)
где снормировочная постоянная.