
- •В. Н. Седалищев Физические основы получения измерительной информации с использованием генераторных и параметрических первичных преобразователей Учебное пособие
- •Введение
- •Глава 1
- •1. Информационно-энергетические основы теории измерений
- •1.1 Понятие информации. Разновидности информации
- •1.2 Количественная оценка информации
- •1.3 Связь понятий энергии и информации Информационный подход к анализу физических процессов
- •1.4 Применение энерго-информационного подхода к анализу физических процессов
- •Аномалии физических и химических свойств воды
- •1.5 Связь теории информации с теорией измерений
- •Количественная оценка измерительной информации
- •Естественные пределы измерений
- •1.6 Причины наличия ограничений количества информации, получаемой при измерениях
- •Разновидности шумов и причины их появления
- •1.7 Способы повышения информативности измерительного процесса
- •1.8 Общая характеристика этапов измерительного преобразования
- •Метрологические характеристики измерительных преобразователей
- •1.2 Классификация физических эффектов и областей их применения в измерительной технике
- •«Фундаментальное единство» природы. Метод электромеханических аналогий
- •Физические основы построения измерительных преобразователей генераторного типа
- •Физические основы создания электромеханических измерительных преобразователей генераторного типа
- •2.3 Пьезоэффект и его применение в измерительной технике
- •2.3.1 Теоретические основы построения пьезоэлектрических измерительных преобразователей генераторного типа
- •2.3.3 Ээсз пьезоэлектрического преобразователя генераторного типа
- •2.3.4 Физические основы работы пьезорезонансных измерительных преобразователей
- •2.3.2 Электрострикция и области применения ее в измерительной технике
- •2.4 Физические основы создания термоэлектрических измерительных преобразователей
- •2.4.1 Пироэффект и применение его в измерительных устройствах
- •2.4.2 Термоэлектрические эффекты в проводниках и полупроводниках
- •2.4.3 Особенности практической реализации термоэлектрических эффектов в измерительных устройствах
- •2.5 Гальваномагнитные эффекты и применение их в измерительных устройствах
- •2.5.1 Эффект Холла и применение его в измерительных устройствах
- •3. Физические эффекты, связанные с модуляцией активного сопротивления ээсз измерительного преобразователя
- •3.1 Принципы построения и разновидности резистивных измерительных преобразователей
- •3. 2 Физические основы создания пьезорезистивных преобразователей контактного сопротивления
- •3.3 Физические основы создания тензорезистивных проводниковых измерительных преобразователей
- •3.4 Физические основы полупроводниковых тензорезистивных преобразователей
- •3.6 Физические основы магниторезистивных измерительных преобразователей
- •3.7 Физические основы работы проводниковых терморезистивных измерительных преобразователей
- •3.8 Физические основы создания полупроводниковых терморезистивных измерительных преобразователей
- •3.9 Физические основы создания фоторезистивных измерительных преобразователей
- •3.10 Физические основы применения явления сверхпроводимости в измерительных устройствах
- •3.10.1 Свойства сверхпроводников
- •3.10.2 Квантово-механическая теория сверхпроводимости
- •Объяснение понятий экситона и поляритона
- •3.10.3 Применение явления сверхпроводимости в измерительной технике
- •3.10.4 Эффект Мейснера и его практическое применение
- •3.10.5 Стационарный и нестационарный эффекты Джозефсона и применение их в измерительной технике
- •4. Физические основы создания электрохимических измерительных преобразователей
- •4.1 Полярографический эффект в растворах и применение его в измерительных устройствах
- •4.2 Физические основы работы кондуктометрических измерительных преобразователей
- •4.3 Применение в измерительной технике электрокинетических явлений в растворах
- •4.4 Принципы работы гальванических измерительных преобразователей
- •5. Физические основы создания первичных преобразователей, основанных на модуляции магнитных параметров измерительной цепи
- •5.1 Принцип работы магнитоиндукционных измерительных преобразователей генераторного типа
- •5.2 Теоретические основы создания индуктивных измерительных преобразователей
- •5.3 Принцип работы вихретоковых измерительных устройств
- •5.4 Физические основы магнитомодуляционных измерительных преобразователей
- •Эффект Виганда
- •5.5 Физические эффекты, связанные с модуляцией магнитных характеристик материалов
- •Пример реализации магнитострикционного эффекта в датчиках линейных перемещений
- •Принцип работы устройства
- •Дополнительные эффекты, возникающие в магнитомодуляционных преобразователях
- •5.6 Физические основы создания магнитоупругих измерительных преобразователей
- •5.7 Зависимость магнитной проницаемости ферромагнетиков от влияющих факторов
- •6. Физические основы создания емкостных измерительных преобразователей
- •6.1 Модуляция геометрических размеров емкостных преобразователей
- •Принципы работы емкостных измерительных преобразователей
- •Емкостной преобразователь с переменной площадью обкладок
- •6.2 Физические основы емкостных измерительных устройств, основанных на модуляции диэлектрических свойств веществ
- •6.2.1 Строение материалов
- •6.2.2 Виды связей и механизмы поляризации диэлектриков
- •6.2.3 Влияние агрегатного состояния вещества на его диэлектрические свойства
- •6.2.4 Примеры практической реализация емкостных измерительных устройств, основанных на управлении диэлектрической проницаемостью веществ
- •7. Физические основы создания биодатчиков генераторного и параметрического типов
- •Глава 1. Информационно-энергетические основы теории измерений
- •Глава 2. Физические основы построения измерительных преобразователей генераторного типа
- •Глава 3. Физические эффекты, связанные с модуляцией активного сопротивления ээсз измерительного преобразователя
- •Глава 4. Физические основы создания электрохимических измерительных преобразователей
- •Глава 5. Физические основы создания первичных преобразователей, основанных на модуляции магнитных параметров измерительной цепи
- •Глава 6. Физические основы создания емкостных измерительных преобразователей
- •Глава 7. Физические основы создания биодатчиков генераторного и параметрического типов
- •Перечень физических эффектов
6.2 Физические основы емкостных измерительных устройств, основанных на модуляции диэлектрических свойств веществ
В основе механизма чувствительности ИП, принцип работы которых основан на модуляции диэлектрической проницаемости среды, лежит управление характером межатомных и межмолекулярных взаимодействий в веществе. В связи с этим важным является вопрос анализа строения материалов, видов связи и механизмов их поляризации вещества во внешнем электрическом поле.
6.2.1 Строение материалов
Поляризация вещества характеризует объемную плотность дипольных моментов в материале:
,
;
(6.7)
где:
- дипольный момент двух зарядов;
q – величина электрического заряда;
l – расстояние между зарядами;
V – объём диэлектрика.
В полярных диэлектриках центры распределения положительных и отрицательных зарядов при отсутствии внешнего электрического поля не совпадают, так как молекулы имеют дипольные моменты.
В неполярных диэлектриках центры зарядов совпадают, но в электрическом поле происходит их разделение. В результате этого появляются дипольные моменты.
В полярных
диэлектриках диполи располагаются
хаотически, поэтому может быть
.
Под действием электрического поля
напряжённостью Е происходит поляризация
вещества (Р), которая характеризуетсядиэлектрической
восприимчивостью
(
):
.
(6.8)
В результате
поляризации диэлектрика на его поверхности
появляется электрический заряд. Плотность
заряда на поверхности диэлектрика ()
определяет степень его поляризации:
,
,
(6.9)
,
.
(6.10)
Таким образом,
относительная диэлектрическая
проницаемость
()
характеризует степень ослабления
электрического поля в веществе в
результате его поляризации за счет
создания внутренней, встречно направленной
напряженности электрического поля
.
В реальных веществах существуют оба механизма поляризации, выраженные в большей или меньшей степени и обусловленные как смещением свободных носителей заряда в объеме диэлектрика, так и упругой деформацией, поворотом диполей в электрическом поле.
6.2.2 Виды связей и механизмы поляризации диэлектриков
К основным видам связей между атомами и молекулами в диэлектриках относятся:
ковалентная;
ионная;
донорно-акцепторная;
металлическая;
молекулярная.
Они определяют соответствующие механизмы поляризации диэлектриков.
Электронный
механизм поляризации возникает
за счёт смещения и деформации электронных
оболочек атомов. Время установления
.
Электронная поляризация характерна
для всех диэлектриков.
Ионный механизм поляризации. Ионная поляризация характерна для твёрдых тел с ионным строением и обусловлена упругим смещением ионов на малые расстояния. С повышением температуры величина поляризации возрастает.
Дипольно-релаксационный механизм поляризации отличается тем, что молекулы находятся в хаотическом движении и частично ориентируются по полю. С увеличением температуры молекул связи ослабевают, электрическая проницаемость увеличивается. При этом увеличивается хаотизация движения молекул, следовательно, уменьшается ориентирующее действие поля. В переменном электрическом поле возникают дополнительные потери энергии на релаксацию. С увеличением частоты поля электрическая проницаемость существенно снижается. Поэтому зависимость диэлектрической проницаемости от частоты внешнего электрического поля определяет комплексный характер диэлектрической проницаемости вещества. После снятия электрического поля происходит их постепенная разориентация, характеризуемая постоянной времени релаксации.
Ионно-релаксационный механизм поляризации. В ионных диэлектриках слабо связаны ионы вещества. При хаотических колебаниях ионы смещаются в направлении поля. А после снятия поля постепенно возвращаются к центрам равновесия.
Электронно-релаксационный механизм поляризации возникает за счёт постепенного смещения избыточных, дефектных электронов в результате возбуждения их тепловым полем.
Резонансная поляризация обусловлена определенной ориентацией колеблющихся диполей и сопровождается аномальным поглощением на определенных частотах энергии внешнего поля.
Рис. 6.7 Зависимость диэлектрической проницаемости вещества от частоты электромагнитного излучения.
График зависимости
диэлектрической проницаемости вещества
от частоты изменения электрического
поля показывает, что при приближении к
резонансной частоте
диэлектрическая проницаемость вещества
(
)
резко возрастает, а затем уменьшается
до минимального значения.
Миграционная поляризация проявляется в твёрдых телах неоднородной структуры и характерна для низких частот.
Самопроизвольная
поляризация.
Данный механизм поляризации характерен
для сегнетоэлектриков. Чем больше
диэлектрическая проницаемость вещества
(),
тем выше будет нелинейность функции
измерительного преобразования. При
достижениитемпературы
Кюри происходит
скачкообразное изменение диэлектрических
свойств материалы, сопровождающееся
располяризацией сегнетоэлектрика.
Механизмы поляризации и виды связей обуславливают наличие аномалий (нелинейной) частотной зависимости диэлектрической проницаемости вещества, обусловленные избирательным (резонансным) поглощением энергии при определенных частотах изменения внешних воздействий.
Рис. 6.8 Гипотетическая (нелинейная) зависимость диэлектрической проницаемости материала от частоты поля.
В связи с этим,
материалы по отношению к частоте
изменения внешнего электрического поля
подразделяются на линейные
диэлектрики, для которых диэлектрическая
проницаемость слабо зависит от частоты
изменения электрического поля и
нелинейные
диэлектрики,
для которых
график зависимости
имеет более сложный вид.
Для реальных
материалов может в большей или меньшей
степени быть выражена нелинейность
свойств не только по отношению к частоте
изменения внешнего воздействия, но и к
величине этого воздействия. Например,
у линейных диэлектриков с безинерционным
механизмом поляризации
не зависит от напряженности электрического
поля. Для линейных диэлектриков с
инерционным механизмом поляризации
площадь эллипса зависимости
пропорциональна количеству энергии,
рассеиваемой за один период изменения
напряженности электрического поля
(потери энергии обусловлены наличием
релаксационных процессов в материале
диэлектрика). Для нелинейных диэлектриков
эллипс вырождается в петлю гистерезиса,
а зависимость
от напряженности поля имеет сложный
двугорбый вид.
Рис. 6.9 Разновидности петли гистерезиса для линейных и нелинейных диэлектриков.