Альтернативные вопросы и утверждения

1. Преимущество метода вольтметра-амперметра заключается в:

а) возможности исследования вольт – амперной характеристики сопро-тивления;

б) возможности проведения измерений при определенной напряжен-ности измерительного поля;

в) возможности учета сопротивления вольтметра и амперметра.

2. Преимущество метода омметра заключается в:

а) возможности градуировать микроамперметр в величинах измеряе-мых сопротивлений;

б) отсутствии возможности измерять напряженность измерительного поля;

в) качественном характере измерений;

г) возможности изменения эдс источника за счет его старения.

3. Преимущество метода логометра заключается в:

а) возможности исключить влияние эдс источника;

б) отсутствии возможности изменять напряженность измерительного поля;

в) отсутствии механического противодействующего момента рамки;

г) возможности градуировать прибор в величинах измеряемых сопротивлений.

4. Преимущества мостовых методов измерения сопротивления заключаются в:

а) высокой точности измерения;

б) измерении без потребления энергии от источника эдс;

в) возможности использования гальванометра с высокой чувствитель-ностью;

г) отсутствии влияния эдс источника;

д) отсутствии возможности изменять напряженность измерительного поля.

5. Преимущества двойного моста связаны с:

а) отсутствием влияния сопротивления соединительных проводов и переходных сопротивлений;

б) возможностью измерения малых сопротивлений;

в) возможностью исследования вольт – амперных характеристик сопротивлений;

г) наличием шунта для понижения чувствительности гальванометра.

6. При собственной проводимости полупроводников перенос заряда осуществляется:

а) электронами,

б) дырками,

в) электронами и дырками,

г) неосновными носителями заряда,

д) основными носителями заряда.

7. Рост проводимости полупроводников при нагревании связан с:

а) ростом числа электронов в зоне проводимости;

б) ростом числа дырок в зоне проводимости;

в) ростом числа электронов в валентной зоне;

г) ростом числа дырок в валентной зоне;

д) возникновением примесных уровней в запрещенной зоне.

8. Трудности классической электронной теории связаны с:

а) ультрафиолетовой «катастрофой»;

б) парадоксом теплоемкостей;

в) наличием уровня Ферми;

г) невозможностью объяснить температурную зависимость сопротив-ления полупроводников.

9. Природу носителей заряда в твердых телах можно выяснить с помощью:

а) эффекта Холла,

б) опытов Рике,

в) опытов Толмена и Стюарта,

г) опытов Милликена,

д) электронного магнитного резонанса,

е) циклотронного резонанса,

ж) метода горячего зонда,

з) эффекта Фарадея.