Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Диплом_9282 / Презентация_ВКР_группа_9282_Зикратова.pptx
Скачиваний:
5
Добавлен:
09.08.2023
Размер:
1.68 Mб
Скачать

Санкт-Петербургский государственный электротехнический Университет им. В. И. Ульянова (Ленина)

Тестирование пригодности для технологического процесса и обоснование выбора фоторезиста в условиях импортозамещения

Выполнила студентка группы 9282: Зикратова А. А. Руководитель: к.х.н., доц. Хмельницкий И. К. Консультант: к.т.н. Кузнецова М. А.

Работа выполнена в АО НПП «ЭЛАР»

Санкт-Петербург, 2023

Цель работы

Подбор фоторезиста для технологического процесса в качестве замены прежнего фоторезиста SPR350-1,2

Актуальность

Обеспечение расходными материалами предприятия для стабильного протекания технологического процесса в условиях импортозамещения.

Основные задачи:

1.Подбор режимов нанесения оптимальных толщин плёнок фоторезистов RD-2700 25cp и DSAM – 3020

2.Испытания фоторезистов на химическую стойкость к проявителям

3.Подбор оптимальной дозы экспозиции и определение предельного разрешения

4.Проверка на химическую стойкость фоторезистивных

масок к травильным растворам технологических слоёв

2

Режимы нанесения фоторезистов RD-2700 25cp и

2.5 h, мкм

 

DSAM–3020

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

 

 

 

 

 

 

1.5

 

 

 

 

 

 

1

 

 

 

 

 

 

0.5

 

 

 

 

 

 

0

 

 

 

 

 

 

2000

2500

3000

3500

4000

4500

5000

 

 

RD-2700 25cp

DSAM-3020

SPR350-1,2

 

ω, об/мин

Кривые нанесения фоторезистов методом центрифугирования

Фоторезист

Толщина плёнки, мкм

Частота вращения центрифуги,

об/мин

 

 

SPR350-1,2

 

2700

RD-2700 25cp

1,45

4500

DSAM–3020

 

3000

3

Результаты испытаний фоторезистов на стойкость к проявителям

Уход толщины при растворении фоторезистивной плёнки при данном режиме нанесения не должен превышать 0,02 мкм

 

Время выдержки ф/р плёнки в проявителе: tпрояв. = 60 секунд

Фоторезист

 

 

 

Средняя толщина плёнки

Средняя толщина плёнки

Растворение плёнки

 

 

до выдержки в

после выдержки в

по толщине

 

проявителе

проявителе

 

Δh, мкм

 

hср, мкм

hср.п.п, мкм

 

 

SPR350-1,2

1,49

1,485

0,005

 

 

 

 

RD-2700 25cp

1,2048

1,2015

0,0033

 

 

 

 

DSAM-3020

1,459

1,449

0,01

 

 

 

 

4

Оптимальные дозы экспозиции и предельная

разрешающая способность исследуемых фоторезистов

а

б

 

0,6 мкм

Предельная ширина прорабатываемой линии при фотолитографии (а) и общий план тестовых структур на разрешающую способность (б, фоторезист RD-2700)

Фоторезист

Разрешающая способность

Фактическая разрешающая

Оптимальная доза

 

из документации, мкм

способность, мкм

экспозиции, Дж/м2

 

 

 

 

 

 

 

 

SPR350-1,2

0,5

0,55-0,6

750

 

 

 

 

 

 

RD-2700 25cp

0,7

0,55-0,6

1000

 

 

 

 

 

 

DSAM – 3020

0,8

0,5

800

5

 

 

 

 

 

 

 

 

Жидкостное травление SiO2, полученного

термическим окислением

Травитель - HF:NH4F:H2O = 0,52:0,25:1; hSiO2

= 0,4 (а); 0,6 (б) мкм

а

 

б

б

5,76 мкм

 

 

 

 

3,76 мкм

5,44мкм ≈3,4мкм

Растравленное контактное окно (а, RD-2700 25cp) и сохранившее форму окно (б, DSAM – 3020)

Фоторезист

Время ЖТ

Реперный

Изменение размеров

Допустимое отклонение

 

 

размер, мкм

(Δ), мкм

размеров (Δmax), мкм

 

 

 

 

 

 

 

 

 

SPR350-1,2

10-11 мин

3

0,1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

RD-2700 25cp

6 мин 30 с

3

0,205 (растрав)

0,2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

DSAM – 3020

10 мин

3

0,38

 

 

6

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Жидкостное травление с плазмохимическим

дотравливанием SiO2 (полученный ПХО)

Травитель - HF:NH4F:H2O = 0,73:4,9:1; hSiO2= 1,1 мкм

а

б

3,87 мкм

 

 

2,42 мкм

3,9 мкм

 

Контактные окна после плазмохимического травления с жидкостным дотравливанием под фоторезистивными масками RD-2700 25cp(а) и DSAM – 3020(б)

Фоторезист

Время

 

Реперный

Изменение размеров

Допустимое отклонение

 

 

ЖТ+ПХТ

 

размер, мкм

(Δ), мкм

размеров (Δmax), мкм

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

SPR350-1,2

60 с + 2400 с

3

0,1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

RD-2700 25cp

55 с + 1600

с

4

0,065

0,1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

DSAM – 3020

60 с + 2400

с

2,5

0,04

 

 

7

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Травление поликремния плазмохимическим

методом

hSi* = 0,55 мкм

а

б

4,88 мкм

3,54 мкм

Элементы структуры, полученные после плазмохимического травления под фоторезистивными масками RD-2700 25cp(а) и DSAM – 3020(б)

Фоторезист

Время

Реперный размер,

Изменение размеров

Допустимое отклонение

ПХТ

мкм

(Δ), мкм

размеров на сторону

 

max), мкм

 

 

 

 

SPR350-1,2

370

3

0,1

 

 

 

 

 

RD-2700 25cp

5

0,06

0,25

секунд

 

 

 

 

DSAM – 3020

4

0,23

 

 

 

 

 

 

 

 

8

Плазмохимическое травление поликремния с

жидкостным дотравливанием

Травитель - HF:HNO3:H2O = 1:43,75:17,44;

hSi*= 0,55 мкм

а

б

3,82 мкм

4,01 мкм

Элементы структуры после плазмохимического травления с жидкостным дотравливанием под фоторезистивными масками RD-2700 25cp (а) и DSAM – 3020 (б)

Фоторезист

Время

ПХТ

Реперный

Изменение размеров Допустимое отклонение

+ ЖТ

 

 

размер, мкм

(Δ), мкм

размеров (Δmax), мкм

 

 

 

SPR350-1,2

 

 

 

6

0,04

 

 

 

 

 

 

 

RD-2700 25cp

69 с + 18 с

5

0,59

0,3

 

 

 

 

 

 

 

DSAM – 3020

 

 

 

5

0,5

 

9

Жидкостное травление Al

Травитель – (CrO3) + NH4F:H2O = 90 г + 0,013:1;

hAl = 0,5 (а); 0,47 (б) мкм

а

б

7,4 мкм

21,17 мкм

Элементы шаблона, полученные после жидкостного травления под фоторезистивными масками RD-2700 25cp (а) и DSAM – 3020 (б)

Фоторезист

Время

Реперный

Изменение размеров

Допустимое отклонение

 

 

ЖТ

размер, мкм

(Δ), мкм

размеров на сторону

 

 

 

max), мкм

 

 

 

 

 

 

 

 

SPR350-1,2

3 мин

10

0,07

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

RD-2700 25cp

2 мин 10 с

9

0,845

0,8

 

 

 

 

 

 

 

 

 

DSAM – 3020

1 мин 45 с

22

0,4

 

 

10