Лабораторная работа 8

Исследование биполярного транзистора в импульсном режиме

Результаты работы

1. Исследование статических характеристик транзисторного ключа

Таблица 8.1

UВХ	В	0	0,45	055	0,6	0,65	0,7	0,75	0,8	0,85	0,9	1,0	1,5	3,0
IБ	мкА	0	0	3	9	18	29	42	54	69	83	115	250	730
UВЫХ	В	5,0	5,0	4,9	4,5	3,8	2,95	1,75	0,65	0,15	0,10	0,08	0,05	0,03

Граф. 8.1 I_{б мин} = ?

2. Измерение параметров, характеризующих инерционность транзисторного ключа

Слайд № 1. U_макс = 2 В; Цена деления: 1 мкс / дел.

Граф. 8.2. Показать интервалы времени t_з, t_ф, t_р и t_с.

Определить t_з, t_ф, t_р и t_с.

3. Исследование зависимостей времени нарастания фронта и времени рассасывания от глубины насыщения транзистора

Слайд № 1. U_макс = 2 В; Слайд № 2. U_макс = 4 В; Слайд № 3. U_макс = 8 В.

Определить t_ф и t_р и записать в табл. 8.2.

Граф. 8.3.