
ЛБ-2_Исследование полупроводникового диода
.docxСАНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ТЕЛЕКОММУНИКАЦИЙ
ИМ. ПРОФ. М.А.БОНЧ-БРУЕВИЧА
Факультет радиотехнологий связи
Кафедра конструирования и производства радиоэлектронных средств
Отчёт
к лабораторной работе № 2
Исследование полупроводникового диода
|
|
Группа |
|
|
|
|
|
|
|
Выполнил студент |
|
|
|
|
|
|
|
|
Цель работИзучение полупроводникового диода. |
|
|||||
|
|||||
|
|
||||
|
|
||||
|
|||||
|
|||||
|
|||||
82,33 мА |
32 нА |
||||
|
|||||
|
|||||
|
|||||
|
|||||
Е, В |
|
|
|
|
|
5 |
0,731 |
0,043 |
5 |
0,888 |
|
4,5 |
0,725 |
0,038 |
4,5 |
0,888 |
|
4 |
0,717 |
0,033 |
4 |
0,444 |
|
3,5 |
0,709 |
0,028 |
3,5 |
0,444 |
|
3 |
0,699 |
0,023 |
3 |
0,444 |
|
2,5 |
0,686 |
0,018 |
2,5 |
0,444 |
|
2 |
0,67 |
0,013 |
2 |
0,222 |
|
1,5 |
0,647 |
0,008 |
1,5 |
0,222 |
|
1 |
0,606 |
0,003 |
1 |
0,111 |
|
|
|||||
|
Санкт-Петербург