 
        
        ЛБ-2_Исследование полупроводникового диода
.docxСАНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ТЕЛЕКОММУНИКАЦИЙ
ИМ. ПРОФ. М.А.БОНЧ-БРУЕВИЧА
Факультет радиотехнологий связи
Кафедра конструирования и производства радиоэлектронных средств
Отчёт
к лабораторной работе № 2
Исследование полупроводникового диода
| 
 | 
 | Группа | 
 | 
| 
 | 
 | 
 | 
 | 
| 
 | 
 | Выполнил студент | |
| 
 | 
 | 
 | |
| 
 | 
 | 
 | |
| Цель работИзучение полупроводникового диода. | 
| 
 | |||||
| 
				 | |||||
| 
				 | 
				 | ||||
| 
				 | 
				 | ||||
| 
 | |||||
| 
 | |||||
| 
				 | |||||
| 82,33 мА | 32 нА | ||||
| 
 | |||||
| 
 | |||||
| 
				 | |||||
| 
 | |||||
| Е, В | 
				 | 
				 | 
				 | 
				 | |
| 5 | 0,731 | 0,043 | 5 | 0,888 | |
| 4,5 | 0,725 | 0,038 | 4,5 | 0,888 | |
| 4 | 0,717 | 0,033 | 4 | 0,444 | |
| 3,5 | 0,709 | 0,028 | 3,5 | 0,444 | |
| 3 | 0,699 | 0,023 | 3 | 0,444 | |
| 2,5 | 0,686 | 0,018 | 2,5 | 0,444 | |
| 2 | 0,67 | 0,013 | 2 | 0,222 | |
| 1,5 | 0,647 | 0,008 | 1,5 | 0,222 | |
| 1 | 0,606 | 0,003 | 1 | 0,111 | |
| 
 | |||||
| 
				 
 | |||||
Санкт-Петербург

 
 
 мВ
				мВ В
				В 82,33 мА
				82,33 мА 0 А
				0 А 
				          
				 
 
 ,
				В
,
				В ,
				мА
,
				мА ,
				В
,
				В ,
				мкА
,
				мкА 
