Курсовые (сброшеные в кучу) / курсовая отпр

Конденсатор К53-30

Конденсатор К53-30 предназначен для работы в цепях постоянного, пульсирующего токов и в импульсном режиме.

Конструкция защищенная. Исполнение всеклиматическое.

Допустимые воздействующие факторы при эксплуатации:

Температура окружающей среды,°С

•верхнее значение +85;

•нижнее значение -60.

Относительная влажность воздуха - не более 98% при температуре +25°С. Пониженное атмосферное давление, Па (мм рт. ст.) 0,00013 (10-6).

Основные технические данные

•тангенс угла диэлектрических потерь - max 8%

•ток утечки - 2 мкА

•Срок сохраняемости - 15 лет

Резистор МЛТ-0.25 120

Резисторы МЛТ-0,25 постоянные металлопленочные лакированные теплостойкие.

Металлодиэлектрические с металлоэлектрическим проводящим слоем неизолированные, для навесного монтажа.

Предназначены для работы в электрических цепях постоянного, переменного и импульсного токов.

Технические условия: ОЖ0.467.180ТУ.

Основные технические параметры:

•Диапазон номинальных сопротивлений - 8,2 Ом... 5,1 МОм;

•Номинальная мощность - 0,25 Вт;

•Предельное напряжение - 250 В;

•Допускаемые отклонения сопротивлений ±2; ±5; ±10 %;

•Относительная влажность окружающего воздуха при 40°С - 98 %;

21

•Атмосферное пониженное давление, мм рт.ст. - от 5 до 2280 мм

рт.ст.;

•Линейные нагрузки с ускорением - 200g;

•Диапазон температур - -60... +70 °С;

•Масса резистора, не более - 0,25 г.;

•Минимальная наработка - 25000 часов;

•Срок сохраняемости - 15 лет.

Резисторы серии C1-4, СF-25, CF-100

Являются заменой отечественных резисторов С1-4

Резисторы серии С1-4 неизолированные с углеродистым проводящим слоем предназначены для работы в цепях постоянного, переменного и импульсного тока. Способ монтажа - навесной.

Являются заменой отечественных резисторов С1-4.

Основные технические параметры:

•Номинальная мощность: 0,062Вт, 0,125Вт, 0,25Вт, 0,5Вт, 1Вт, 2Вт

•Диaпазон номинальных сопротивлений: 1 Ом ÷ 10 МОм; ряд Е24

•Точность: + 2%(G), + 5%(J)

•Температурный диапазон: - 55°С ÷ +125°С

Диод КД 522Б

Диод КД522Б кремниевый, предназначен для применения в импульсных устройствах.

Выпускается в стеклянном корпусе с гибкими выводами.

Для обозначения типа и полярности импульсного диода используется условная маркировка: черными кольцевыми полосами на корпусе со стороны положительного (анодного) вывода.

Основные технические параметры:

•Максимальное постоянное обратное напряжение – 30 В

•Максимальное импульсное обратное напряжение – 40 В

•Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток – 0,1 А

•Максимально допустимый прямой импульсный ток – 1,5 А

•Максимальный обратный ток – 5 мкА

22

•Максимальное прямое напряжение – 1,1 В

•при Iпр. – 0,1 А

•Максимальное время обратного восстановления – 4 нс

•Общая емкость Сд – 4 пФ

Транзистор КТ503Б

Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы. Предназначены для использования в низкочастотных устройствах аппаратуры широкого применения.

Основные технические параметры:

Предельные значения параметров при Тп=25°С:

•IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора – 0,15 А

•IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора – 0,35 А

•UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы,равным нулю

–25 В

•UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю – 40 В

•UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю – 5В

•РК max/ РК. Т. max -максимальнодопустимаяпостояннаямощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора / транзистора с теплоотводом – 0,35 Вт

Значения параметров при Тп=25°С:

•h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора - 80...240

•UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора – 0,6 В

•IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера

–1 мкА

•f гр - граничная частота коэффициента передачи тока – 5 МГц

•СК - емкость коллекторного перехода – 50 пФ

23

ТП max - максимально допустимая температура перехода: 125 °С

Т max - максимально допустимая температура окружающей среды: - 40…+85 °С

Транзистор КТ503Б

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей высокой частоты и низкой частот с высоким входным сопротивлением.

Основные технические параметры:

Предельные значения параметров при Тп=25°С:

•UСИ МАКС - максимально допустимое напряжение сток-исток – 25 В

•UЗС МАКС - максимально допустимое напряжение затвор-сток – 30 В

•UЗИ МАКС - максимально допустимое напряжение затвор-исток – 30 В

•IС МАКС - максимально допустимый ток стока полевого транзистора –

20 мА

Значения параметров при Тп=25°С:

•UЗИ ОТС - напряжение отсечки полевого транзистора. Напряжение между затвором и истоком транзистора с p-n переходом или с изолированным затвором, работающего в режиме обеднения, при котором ток стока достигает заданного низкого значения - <8 В

•IЗ УТ - ток утечки затвора. Ток затвора при заданном напряжении между затвором и остальными выводами, замкнутыми между собой - <1 нА

•S - крутизна характеристики полевого транзистора. Отношение изменения тока стока к изменению напряжения на затворе при коротком замыкании по переменному току на выходе транзистора в схеме с общим истоком - >4 мА/В

•IС НАЧ - начальный ток стока. Ток стока при напряжении между затвором и истоком, равном нулю, и при напряжении на стоке, равном или превышающем напряжение насыщения - 5…20 мА

•C11И - входная ёмкость полевого транзистора. Емкость между затвором и истоком при коротком замыкании по переменному току на выходе с общим истоком - <6 пФ

24

•C12И - проходная ёмкость полевого транзистора. Емкость между затвором и стоком при коротком замыкании по переменному току на входе в схеме с общим истоком - <2 пФ

•КШ - коэффициент шума транзистора - <4 дБ

РМАКС - максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность

полевого транзистора: 200мВт Т ОКР - температура окружающей среды: -40…+85 °С

Микросхема К561ЛА7

Цифровая микросхема серии КМОП.

Микросхемы К561ЛА7 представляют собой четыре логических элемента 2И-НЕ.

Предназначены для работы в узлах и блоках радиоэлектронной аппаратуры общего назначения.

Основные электрические параметры:

• Максимальное выходное напряжение низкого уровня, не более:

2,9 В;

• Минимальное выходное напряжение высокого уровня, не менее:

7,2 В;

•Входной ток низкого уровня и высокого уровня, не более: 0,3 мкА;

•Выходной ток низкого уровня, не менее: 1,3 мА;

•Выходной ток высокого уровня, не менее: 1,3 мА;

•Предельный диапазон напряжений питания: 3 ...15 В;

•Температура окружающей среды: от -45 до +85 ° C.

Микросхема К561КП1

Микросхемы К561КП1 (CD4052A) — мультиплексор, содержащий восемь каналовкоммутациицифровыхианалоговыхсигналов.УмикросхемыК561КП1 (CD4052A) восемь каналов организованы как четырехканальный дифференциальный коммутатор.

Основные электрические параметры:

• Максимальное выходное напряжение низкого уровня, не более:

2,9 В;

25

• Минимальное выходное напряжение высокого уровня, не менее:

7,2 В;

•Входной ток низкого уровня и высокого уровня, не более: 0,3 мкА;

•Выходной ток низкого уровня, не менее: 1,3 мА;

•Выходной ток высокого уровня, не менее: 1,3 мА;

•Температура окружающей среды: от -45 до +85 ° C.

Светодиод АЛ307ГМ

Диоды АЛ307ГМ светоизлучающие, с рассеянным излучением, эпитаксиальные, зелёного цвета свечения.

Предназначены для визуальной индикации в оборудовании общего назначения.

•Цвет свечения - Зеленый

•Длина волны - 552 - 572 нм

•Сила света - 1.5 мкд

•Постоянный прямой ток - 20 мА

•Постоянное прямое напряжение - 2.8 В

•Постоянное обратное напряжение - 2 В

•Постоянный максимальный прямой ток - 22 мА

Диоды КД522Б можно заменить диодами этой же серии или серий КД503 и КД521. Вместо светодиода АЛ307ГМ пригоден любой другой, подходящий по цвету и яркости свечения. Транзисторы КТ503Б допустимо заменить транзисторами этой же серии или подобными других серий.

Микросхемы К561 могут быть заменены их функциональными аналогами из серии 564 или импортными.

Переключатель SA1, выключатель SA2 и разъем XS1 – любые малогабаритные, подходящие по конструкции и электрическим характеристикам.

Выбор унифицированных узлов и установочных изделий

Выбор унифицированных узлов и установочных изделий проводим на основании одного из требований технического задания к уровню унификации и стандартизации.Наоснованиивышесказанногоосновноепредпочтениеотдается

26

стандартизированным изделиям крепежа - практически все крепежные изделия стандартны.

Выбор материалов

Выбор материалов разрабатываемой конструкции проводим согласно требованиям, изложенных в техническом задании. Материалы конструкции должны обладать следующими свойствами:

•иметь малую стоимость;

•легко обрабатываться и быть легкими;

•обладать достаточными прочностью и жесткостью;

•внешнийвидматериаловкорпуса,лицевойизаднейпанелейдолжны отвечать требованиям технической эстетики;

•сохранять физико-химические свойства в процессе эксплуатации.

Применение унифицированных материалов в конструкции, ограничение номенклатуры применяемых деталей позволяет уменьшить себестоимость разрабатываемого изделия, улучшить производственную и эксплуатационную технологичность. Изготовление деталей конструкции типовыми технологическими процессами также позволяет снизить затраты при серийном выпуске изделий в промышленности. [12]

При изготовлении элементов несущих конструкций широко применяются алюминиевые сплавы, в частности сплав алюминия с магнием АМг. Магний сильно повышает прочность сплавов. До 12-14% магния пластичность изменяется мало. Сплавы АМг добавочно легируют марганцем, который упрочняет сплав. Данный материал легко обрабатывается давлением (штамповка,гибкаит.д.),хорошосвариваетсяиобладаетвысокойкоррозионной стойкостью.

Материал для изготовления печатной платы должен иметь следующие показатели (в заданных условиях эксплуатации РЭС): большую электрическую прочность, малые диэлектрические потери, обладать химической стойкостью к действию химических растворов, используемых в техпроцессах изготовления платы. Для изготовления плат общего применения в РЭС наиболее широко используется стеклотекстолит. Фольгированный стеклотекстолит представляет собой слоистый прессованный материал, изготовленный на основе ткани из стеклянного волокна, пропитанной термореактивным связующим на основе эпоксиднойсмолы,иоблицованныйсоднойсторонымеднойэлектролитической

27

оксидированной или гальваностойкой фольгой (изготавливают листами толщиной: до 1 мм - не менее 400х600мм; от 1,5 и более - не менее 600х700мм). На основании вышеприведенного, для изготовления печатной платы может использоваться следующий материал:

СФ 2-35Г-1,5 ГОСТ 10316-78 - стеклотекстолит фольгированный гальваностойкийпредназначендляизготовленияпечатныхплатсповышенными диэлектрическими свойствами.

Поверхностное электрическое сопротивление после кондиционирования в условиях 96ч/ 40˚C/ 93%, Ом не менее 1010. [16]

28

5 Выбор и обоснование компоновочной схемы, методов конструирования

Выбор компоновочной схемы

Основная компоновочная схема изделия определяет многие важнейшие характеристики РЭС: габариты, вес, объем монтажных соединений, способы защиты от полей, температуры, механических воздействий, ремонтопригодность.

Различают три основные компоновочные схемы РЭС:

•централизованная;

•децентрализованная;

•централизованная с автономными пультами управления.

Каждая из этих схем обладает своими достоинствами и недостатками.

При централизованной компоновке все элементы сложной системы располагаются в одном отсеке на специальных этажерочных конструкциях или шкафах, длина и количество межблочных соединений сведены к минимуму, ремонт и демонтаж наиболее удобны, легче выполнить качественные системы охлаждения и амортизации. Такая компоновочная схема требует более тщательной экранировки, вызывает затрудненность компоновки изделия, часто требующейдоработкиего,обладаетотносительноменьшейнадежностьюсистем охлаждения, герметизации, виброзащиты.

Децентрализованная компоновочная схема обеспечивает относительно большую легкость размещения элементов изделия на объекте, не требуется тщательная экранировка отдельных блоков, при соответствующих схемных решениях может быть более надежной, сохраняя частичную работоспособность при выходе из строя отдельных элементов изделия. Недостатком является значительная длина межблочных соединений, затруднен полный демонтаж системы, для каждого отдельного блока необходимо предусматривать автономные системы охлаждения, виброзащиты. [9]

Наиболее распространен способ централизованной компоновки, при котором все элементы сложной РЭС, кроме входных и управляющих устройств,

29

распологают в одном участке или отсеке прибора. Однако внутри этого отсека компоновка выполняется в виде совокупности отдельных блоков и приборов.

Выбор и обоснование метода и принципа конструирования

На основе проведенного разбиения электрической схемы и анализа существующих конструкций выбирается метод конструирования устройства в целом и его частей. Существующие методы конструирования РЭС подразделяются на три взаимосвязанные группы:

•по видам связей между элементами;

•по способу выявления и организации структуры связей между элементами;

•по степени автоматизации конструирования РЭС - зависит от назначения аппаратуры и ее функций, преобладающего вида связей, уровня унификации, автоматизации и т.д.

Рассмотрим кратко сложившиеся методы конструирования РЭС.

Геометрический метод. В основу метода положена структура геометрических и кинематических связей между деталями, представляющая собойсистемуопорныхточек,числоиразмещениекоторыхзависитотзаданных степеней свободы и геометрических свойств твердого тела.

Машиностроительный метод. В основу этого метода конструирования положена структура механических связей между элементами, представляющая собой систему опорных поверхностей. Машиностроительный метод используется для конструирования устройств и элементов РЭА, которые несут большие механические нагрузки и в которых неизбежны вследствие этого большие деформации.

Топологический метод. В основу метода положена структура физических связей между ЭРЭ. Топологический метод, в принципе, может применяться для выявления структуры любых связей, однако конкретное его содержание проявляется там, где связности элементов может быть сопоставлен граф.

Метод проектирования моноконструкций. Основан на минимизации числа связей в конструкции, он применяется для создания функциональных узлов, блоков, РЭА на основе оригинальной несущей конструкции в виде моноузла (моноблока) с оригинальными элементами. [5]

30