
книги / 635
.pdfКомпозиционные материалы с углеродной матрицей, армированной углеродными волокнами, занимают особое место среди современных конструкционных материалов. Они появились как альтернативный вариант композиционным материалам с полимерной матрицей, обладающим низкой теплостойкостью. УУКМ являются коррозионностойкими во всех без исключения агрессивных средах, в которых коррозионностоек графит, так как они относятся к одному типу материалов, а именно к углеграфитовым [1, 2].
УУКМ обладают существенно большей механической прочностью, чем графиты и керамика, в том числе к ударным нагрузкам, что также подтверждено нашими исследованиями [3]. Они имеют самую высокую удельную прочность среди всех известных материалов.
Основным недостатком УУКМ является то, что они так же, как графиты, проницаемы для жидкостей и газов, что обусловлено технологией их изготовления. По этой причине углеграфитовые материалы, а также графиты
иуглеродные композиционные материалы используются в химической и других отраслях промышленности весьма ограниченно, так как в аппаратах химических и металлургических производств требуется непроницаемость материала.
Настоящая работа ставит целью разработку герметизирующего пироуглеродного покрытия на поверхности несущей основы из углеродного композиционного материала. Пироуглеродные покрытия являются совершенно непроницаемыми как для жидкостей, так и для газов, в том числе для гелия,
идолжны надежно предохранять углеродную конструкцию от высокотемпературного, коррозионного воздействия металлических расплавов и химических сред [1, 2, 4].
Перекрытие поверхностных пор на несущей основе из ткани «УРАЛ ТМ-4», насыщенной пироуглеродом, осуществлялось с помощью шликерной композиции с графитовым мелкодисперсным наполнителем [5]. После окончания процесса уплотнения шликерной композиции пироуглеродом до плотности 1,5–1,7 г/см3 на поверхности шликерного подслоя формировалось пироуглеродное покрытие без прерывания хода технологического процесса.
Выбор температуры осаждения пироуглеродного покрытия должен основываться на получении компактного пироуглеродного покрытия с плотностью, близкой к теоретической. Температуры осаждения более 1000 °C, при которых можно ожидать высокие скорости осаждения и, следовательно, сокращение цикла технологического процесса, могут привести к развитию гомогенной реакции в объеме, образованию сажи и вторичных углеводородов [6]. Все это может привести к нарушению компактности пироуглеродного покрытия, уменьшению его плотности и, в итоге, к нарушению герметичности конструкции [7].
51

Для формирования пироуглеродного покрытия нами выбран интервал температур 970–990 °C, при общем давлении в системе 2,7 КПа, что должно обеспечить качество и экономичность процесса.
Скорость осаждения пироуглеродного покрытия может быть с большой достоверностью спрогнозирована с помощью кинетического закона роста пироуглерода, подробный вывод которого приведен нами в работе [8]:
|
|
1,6 10 |
4 |
|
|
|
− |
99,25 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
exp |
|
RT |
PCH4 |
|
|
|
|
|
|
мкм |
|
||||||
V |
= |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
, |
, |
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
S ,п/ у |
1+ 7,98 10−11 exp |
246,12 |
P |
|
|
+ 5,37 10−4 exp |
|
85,3 |
P |
12 |
|
ч |
|
|||||||
|
|
|
|
RT |
|
CH4 |
|
|
|
RT |
|
H2 |
|
|
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
где PCH4 , PH2 – парциальные давления метана и водорода, кПа; R – газовая
постоянная, R = 8,3 10–3 кДж/(моль К); Т – температура, К.
Сравнение расчетных и многочисленных экспериментальных данных показало, что различие между расчетными и экспериментальными данными практически отсутствует (±5 %) и на шликерном подслое образуются компактные пироуглеродные осадки.
Микроструктура пироуглеродного покрытия (рисунок) включает в себя три стадии роста: 1) зарождение и рост случайно ориентированных кристаллитов; 2) стабильный кооперативный рост столбчатых зерен с преимущественной ориентацией, перпендикулярной подложке; 3) неустойчивый, самостоятельный рост отдельных кристаллитов или их группы.
в
|
|
|
а |
б |
в |
Рис. Формирование пироуглеродного покрытия на шликерном подслое: а – начальный рост, ×1020; б – морфология роста, ×2000 (растровая микроскопия); в – установившийся рост, ×510
Стадия зарождения вызывает однородное и быстрое образование мелких зародышей на поверхности поликристаллической подложки (рисунок, а). Дальнейший рост кристаллов подчиняется правилу геометрического отбора кристаллитов: кристаллиты растут медленнее всего в направлении, перпендикулярном к их граням, и с максимальной скоростью в направлении их вершин. Зерна с другими ориентациями уменьшаются в поперечном сечении
52
и быстро исчезают после того, как их направление роста наталкивается на соседние быстрорастущие кристаллиты. Зарождение новых кристаллов на поверхности растущих зерен встречается редко, поверхность остается макроскопически параллельна подложке, и общая граница между столбами располагается почти вертикально.
Известен механизм самосогласованного совместного столбчатого роста с границами, перпендикулярными подложке [9]. Согласно этому механизму зарождение ступеней роста должно происходить с большей скоростью на межзеренной границе, где количество дефектов решетки значительно больше, чем в теле зерна. Ступени роста образуются на общей границе и распространяются в равной степени по примыкающим граням. Однако, как показали наши исследования морфологии поликристаллической поверхности пироуглерода, она характеризуется крупными сфероидальными формами роста (рисунок, б) с выпуклыми вершинами зерен, которые указывают на то, что зарождение ступеней роста с большей скоростью происходит в центре зерна. В результате формируется пироуглеродное покрытие, обладающее столбчатой структурой высокой плотности, определенной текстуры (рисунок, в).
Переход к третьей стадии роста, если она есть, характеризуется появлением пор по границам зерен. Рост дендритов можно также отнести к третьей стадии роста. Третья стадия в нашем случае реализуется достаточно редко.
Проведенные нами рентгеноструктурные исследования пироуглерода (на аппарате ДРОН-3, медное излучение) в тканепрошивном каркасе, шликерном подслое и слоях пироуглеродного покрытия не обнаружили других форм углерода, кроме графита. По-видимому, для достижения эффекта фракционирования других форм углерода, таких как алмаз [10], карбины, чаоит [11, 12], кубический графит [13], необходимы большие содержания в газовой смеси водорода, который оказывает доминирующее влияние на образование различных форм углерода [14]. В нашем случае большое содержание водорода в газовой смеси оказывает отрицательное влияние на кинетику процесса и на насыщение пироуглеродом пористой среды, поэтому его содержание часто ограничивалось 10–15 %.
Сделаем следующие выводы:
1.Установлены темпратурно-временные параметры формирования герметизирующего пироуглеродного покрытия на несущей углеродной основе из ткани «УРАЛТМ-4» через шликерный подслой.
2.Показано, что образовавшиеся кристаллиты пироуглеродного покрытия растут с максимальной скоростью в направлении их вершин, что формирует столбчатую структуру с плотностью, близкой к теоретической.
53
Список литературы
1.Разработка и перспективы применения углеродных композиционных материалов в технологической оснастке, применяемой при проведении высокотемпературных процессов / В.М. Бушуев, П.Г. Удинцев, В.Ю. Чунаев,
А.Н. Ершова // Электрохимия. – 2003. – № 12. – С. 120–127.
2.Перспективы применения углеродных композиционных материалов
вхимическом аппаратостроении / В.М. Бушуев, П.Г. Удинцев, В.Ю. Чунаев, А.Н. Ершова // Химическая промышленность. – 2003. – Т. 80, № 3. – С. 38–45.
3.Синани И.Л., Бушуев В.М., Мусин Р.К. Закономерности пироуплотнения тканепрошивных углеродных каркасов в термоградиентном режиме для изготовления герметичных конструкций // Научно-технический вестник Поволжья. – Казань, 2012. – № 1. – С. 125–131.
4.Колесников С.А. Нагреватели электровакуумных печей из углеродуглеродных композиционных материалов // Конверсия в машиностроении:
сб. – М., 1993. – № 3. – С. 69–73.
5.Синани И.Л., Бушуев В.М., Лямин Я.В. Кинетика объемного насыщения пироуглеродом пористой углеродной среды // Научно-технический вестник Поволжья. – Казань, 2012. – № 1. – С. 121–124.
6.Буланов И.М., Воробей В.В. Технология ракетных и аэрокосмических конструкций из композиционных материалов: учебник для вузов. – М.: Изд-во МГТУ им. Баумана, 1998. – 516 с.
7.Пат. РФ 2186726 кл. СО1В31/00 от 26.11.2001. Способ герметизации изделий из углеграфитовых материалов / В.М. Бушуев и др.
8.Синани И.Л., Бушуев В.М. Кинетика кристаллизации пироуглерода при пиролизе метана // Коррозия, материалы, защита. – 2012. – № 2. – С. 28–32.
9.Holman W.R., Huegel F.J. // Jbid. – 1967. – Vol. 8. – P. 127–148.
10.Федосеев Д.В., Дерягин В.В., Варнин В.П. [и др.] // ДАН СССР. – 1976. – № 228. – С. 371.
11.Касаточкин В.И., Коршак В.В., Кудрявцев К.П. [и др.] // ДАН СССР. – 1974. – № 214. – С. 587.
12.Касаточкин В.И., Штеренберг Л.Е., Казаков М.К. [и др.] // ДАН
СССР. – 1973. – № 209. – С. 388.
13.Aust R.В., Drickamer Н.G. // Science. 1963, Vol. 140, P. 817.
14.Федосеев Д.В., Галимов Э.М. [и др.] // ДАН СССР. – 1971. – № 201. –
С. 1149.
Получено 3.09.2012
54
Синани Игорь Лазаревич – доктор технических наук, профессор, Пермский национальный исследовательский политехнический университет
(614990, г. Пермь, Комсомольский пр., 29, е-mail: sinani.pstu@yandex.ru).
Бушуев Вячеслав Максимович – кандидат технических наук, главный специалист, Уральский научно-исследовательский институт композиционных материалов (614014, г. Пермь, ул. Новозвягинская, д. 57, e-mail: uniikm@yandex.ru).
Sinani Igor Lasarewisch – Doctor of Technical of Sciences, Professor, Perm National Research Polytechnic University (614990, Perm, Komsomolsky av., 29, е-mail: sinani.pstu@yandex.ru).
Bushuyev Vyacheslav Maximovisch – Candidate of Technical Sciences, Chief Specialist, Ural Scientific Research Institute of Composite Materials (614014, Perm, Novozvyaginskaya st., 57, е-mail: uniikm@yandex.ru).
55
УДК 621.762.016
Е.Н. Прямилова
E.N. Pryamilova
Пермский национальный исследовательский политехнический университет
Perm National Research Polytechnic University
КОМПОЗИЦИИ ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ β-СИАЛОНА:
СОСТАВ И СВОЙСТВА
COMPOSITIONS FOR β-SIALON PRODUCTION:
FORMULATION AND PROPERTIES
Изучено влияние состава композиции для получения β-сиалона как продукта спекания. При спекании в вакуумной печи в атмосфере азота при температуре 1750 °С получены сиалоны раз-
личного состава: Si2Al4O4N4, Si3Al3O3N5.
Ключевые слова: композиционные материалы, β-сиалон, обычное спекание, керамика, нитрид кремния.
Influence of the composition for β-sialon production on the sintered product has been studied. During the sintering in the vacuum furnace at 1750 °С at nitrogen atmosphere sialons of different composition were obtained: Si2Al4O4N4, Si3Al3O3N5.
Keywords: composite materials, β-sialon, pressureless sintering, ceramics, silicon nitride.
Сиалон – новый и перспективный класс конструкционных материалов для получения изделий, обладающих высокотемпературной прочностью, устойчивостью к окислению, низким коэффициентом теплового расширения и т.д. Для получения сиалона с заданными свойствами и характеристиками необходимо учитывать множество факторов, оказывающих влияние на конечный продукт. Свойства получаемого материала зависят от условий измельчения, методов консолидации, технологических характеристик. Важен каждый этап: от предварительной подготовки порошков: их гранулометрического состава, чистоты, соотношения компонентов в композиции, – до параметров режима спекания: температуры, времени выдержки и т.д. В связи с этим проводятся исследования закономерностей влияния тех или иных факторов на характеристики получаемого материала, его состав и свойства [1].
В данной работе для синтеза сиалона использовали порошки Si3N4, Al2O3, AlN и Y2O3. Метод консолидации – прессование образцов на ручном гидравлическом прессе и спекание при температуре 1750 °С в атмосфере азота.
56
Проведение эксперимента. В экспериментах использовали порошки Si3N4, Al2O3, AlN и Y2O3; этиловый спирт и ацетон – для измельчения порошков; 4%-ный раствор поливинилового спирта – при прессовании образцов.
Проведен гранулометрический анализ порошков на приборах Analyzette 22 NanoTech и CPS Disc Centrifuge. На приборе Sorbi 4.1 определена удельная поверхность (табл. 1).
Таблица 1
Результаты гранулометрического анализа исходных порошков и значения удельной поверхности
№ |
Порошок |
Analyzette 22, |
CPS Disc Centrifuge, |
Удельная поверхность, |
п/п |
dср, мкм |
dср, мкм |
м2/г |
|
1 |
Al2O3 |
2,03 |
1,23 |
7,72 |
2 |
Si3N4 |
2,04 |
2,4 |
1,72 |
3 |
AlN |
9,6 |
6,3 |
1,22 |
|
|
|
|
|
4 |
Y2O3 |
12,4 |
5,7 |
13,4 |
Порошки для получения β-сиалона: Si3N4, Al2O3 и AlN, – смешали с добавлением оксида иттрия Y2O3 для активации процесса спекания.
Композицию измельчали и смешивали с использованием мельниц различного принципа действия в кюветах из разного материала. При измельчении в титановых кюветах на вибромельнице в течение 3 ч образуется намол титана, около 2 %. При измельчении в твердосплавных кюветах (ВК6) в течение 2 ч на вариопланетарной мельнице «Пульверизетте» намол вольфрама составил около 4 %, кобальта – около 0,3 %.
Композицию также измельчали на планетарной мельнице Sand в течение 70 ч в халцедоновых кюветах с халцедоновыми шарами в ацетоне. Через определенные промежутки времени измеряли размер частиц порошка на лазер-
ном анализаторе частиц Analyzette 22 NanoTech:
Время |
6 |
12 |
20 |
30 |
40 |
50 |
70 |
|
помола, ч |
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
||
dср, мкм |
1,567 |
0,96 |
1,4 |
1,05 |
0,968 |
0,723 |
0,703 |
При использовании халцедоновых кювет в течение 6 ч работы намол SiO2 составил 0,35 % от массы шаров. Исследован фазовый состав намола. На дифрактограмме присутствуют дифракционные линии SiO2 кварца, а также следы аморфной фазы SiO2 (рис. 1). Расчет по программе XRD: Crystallinity показал, что содержание кристаллической фазы составляет
58,8 %.
57

|
1600 |
|
|
|
|
|
|
|
P_sio2_namol_90412 data |
|
|
|
|
|
|
|
P_sio2_namol_90412 peaks |
|
|
|
|
|
|
|
1400 |
|
|
|
|
|
|
|
1200 |
|
|
|
|
|
|
|
1000 |
|
|
|
|
|
|
|
800 |
|
|
|
|
|
|
|
600 |
|
|
|
|
|
|
/с |
|
|
|
|
|
|
|
,имп |
400 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Интенсивность |
200 |
|
|
|
|
|
|
1600 |
|
|
|
|
|
|
|
SiO2 Quartz |
|
|
|
|
|
|
|
1400 |
|
|
|
|
|
|
|
1200 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
1000 |
|
|
|
|
|
|
|
800 |
|
|
|
|
|
|
|
600 |
|
|
|
|
|
|
|
400 |
|
|
|
|
|
|
|
200 |
|
|
|
|
|
|
|
0 |
|
|
|
|
|
|
|
20.0 |
25.0 |
30.0 |
35.0 |
40.0 |
45.0 |
50.0 |
|
|
|
|
2θ, град |
|
|
|
|
|
Рис. 1. Фрагмент дифрактограммы порошка намола |
|
Для проведения процесса спекания порошок Si3N4 предварительно измельчали на планетарной мельнице Sand в течение 10 ч в халцедоновых кюветах в этиловом спирте. Проведен гранулометрический анализ порошка до и после помола на лазерном анализаторе частиц Analyzette 22 NanoTech. Размер частиц исходного порошка 2,04 мкм, после измельчения в течение 10 ч –
0,96 мкм.
На основе измельченного порошка Si3N4 приготовлено три композиции, включающие в себя следующие компоненты:
1.Si3N4, Al2O3, AlN и Y2O3.
2.Композиция № 1 с избытком компонентов Si3N4 и AlN, позволяющих
устранить отрицательное влияние намола SiO2.
3. Композиция № 2 с добавлением 2 % SiO2, полученного золь-гель методом, для активации процесса спекания.
Измельчение и смешивание композиций проводили на планетарной мельнице Sand в халцедоновых кюветах с ацетоном в течение 2 ч. Проведен рентгенофазовый анализ смеси сиалона до и после измельчения. Полу-
58

ченные спектры практически идентичны. На дифрактограммах композиций |
||||||||||
присутствуют следующие фазы: основная фаза – Si3N4; фазы Al2O3, Y2O3, AlN |
||||||||||
и SiO2 (рис. 2). |
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
1800 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Smes-Si3N4-AlN-Al2O3_do-razmol data |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Smes-Si3N4-AlN-Al2O3_do-razmol peaks |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
1600 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
1400 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
1200 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
1000 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
800 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
/с |
600 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
, имп |
400 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Интенсивность |
200 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
3000 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
72-1308 Si3N4 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
11-661 Al2O3 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
8-262 AlN |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
2500 |
83-927 Y2O3 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
77-1060 SiO2 |
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
40-1129 Silicon Nitride |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
2000 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
1500 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
1000 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
500 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
0 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
15.0 |
20.0 |
25.0 |
30.0 |
35.0 |
40.0 |
45.0 |
50.0 |
55.0 |
|
|
|
|
|
2θ, град |
|
|
|
|
|
|
Рис. 2. Дифрактограмма композиции для получения сиалона после измельчения |
|||||||||
|
|
|
|
|
(композиция № 1) |
|
|
|
|
Из полученных композиций были спрессованы таблетки диаметром 1,2 см. Средняя плотность прессовок составила 1,8 г/см3. Спекание прессовок проводили в среде чистого азота при температуре 1750 °С в засыпке из нитрида кремния [2]. Методом гидростатического взвешивания определена плотность и пористость спеченных образцов [3].
Обсуждение результатов. Плотность образцов, приготовленных из композиций № 1 и 2, составила 3 г/см3, пористость 3 %. Образцы, полученные из композиций № 3, обладают плотностью 2,7 г/см3, пористость 9 %.
Рентгенофазовый анализ образцов, спеченных при 1750 °С, показал образование сиалонов различного состава. На дифрактограмме образца № 1 присутствует основная фаза Si2Al4O4N4 с преимущественной кристаллогра-
59

фической ориентировкой по направлению (101) и параметрами гексагональ- |
|||||||
ной кристаллической решетки а = 7,69Å и с = 2,99Å; а также следовое коли- |
|||||||
чество SiO2 (рис. 3, а). На дифрактограммах образцов № 2 и 3 имеются линии |
|||||||
|
3000 |
|
|
|
|
|
|
|
T_Si-Al-O-N_#1_centr data |
|
|
|
|
|
|
|
T_Si-Al-O-N_#1_centr peaks |
|
|
|
|
|
|
|
2500 |
|
|
|
|
|
|
|
2000 |
|
|
|
|
|
|
|
1500 |
|
|
|
|
|
|
/с |
1000 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
, имп |
500 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Интенсивность |
1400 |
|
|
|
|
|
|
Si2 Al4 O4 N4 |
|
|
|
|
|
|
|
SiO2 |
|
|
|
|
|
|
|
1200 |
|
|
|
|
|
|
|
1000 |
|
|
|
|
|
|
|
800 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
600 |
|
|
|
|
|
|
|
400 |
|
|
|
|
|
|
|
200 |
|
|
|
|
|
|
|
0 |
|
|
|
|
|
2θ, град |
|
20.0 |
30.0 |
40.0 |
50.0 |
60.0 |
70.0 |
|
|
|
|
|
a |
|
|
|
|
1000 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
T_Si-Al-O-N_#7_90212 data |
|
|
|
|
|
|
|
T_Si-Al-O-N_#7_90212 peaks |
|
|
|
|
|
|
800
|
600 |
|
400 |
/с |
|
,имп |
200 |
Интенсивность |
1000 |
|
1600 |
|
Si3 Al3 O3 N5 |
|
Si-Al-O-N |
|
1400 |
|
1200 |
800
600
400
200
0
10.0 |
20.0 |
30.0 |
40.0 |
50.0 |
60.0 |
70.0 |
80.0 |
90.0 |
100.0 2θ, град |
б
Рис. 3. Дифрактограммы спеченных образцов: а – образцы из композиции № 1; б – образцы из композиции № 3
60