LR8
.docxФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО СВЯЗИ
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования
«САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ТЕЛЕКОММУНИКАЦИЙ
им. проф. М. А. БОНЧ-БРУЕВИЧА»
(СПБГУТ)
Отчёт по лабораторной работе №8
По дисциплине «Электроника».
ИССЛЕДОВАНИЕ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА В ИМПУЛЬСНОМ РЕЖИМЕ.
Выполнил студент
Группы РТ-01
Санкт-Петербург
2021
Лабораторная работа 8.
ИССЛЕДОВАНИЕ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА В ИМПУЛЬСНОМ РЕЖИМЕ
Цель работы
1. Освоить методику экспериментального исследования полупроводниковых приборов в импульсном режиме.
2. Исследовать статические характеристики транзисторного ключа.
3. Измерить параметры, характеризующие инерционность работы транзисторного ключа.
1. ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ТРАНЗИСТОРНОГО КЛЮЧА
Таблица 8.1
|
В |
0 |
0,25 |
0,50 |
0,75 |
1 |
1,25 |
|
мкА |
0 |
0 |
10 |
42 |
114 |
188 |
|
В |
5,04 |
5,04 |
5,01 |
2,57 |
0,10 |
0,07 |
А
– точка, соответствующая переходу ключа
в открытое состояние (при
)
– ток
базы, при котором транзистор переходит
в режим насыщения
2. ИЗМЕРЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ, ХАРАКТЕРИЗУЮЩИХ
ИНЕРЦИОННОСТЬ ТРАНЗИСТОРНОГО КЛЮЧА
Частота,
при которой наглядно наблюдаются
задержки фронтов выходного импульса
относительно выходного
.
– время
задержки фронта
– время
нарастания фронта
– время
рассасывания импульса
– время
спада импульса
3. ИССЛЕДОВАНИЕ ЗАВИСИМОСТЕЙ ВРЕМЕНИ НАРАСТАНИЯ ФРОНТА И ВРЕМЕНИ РАССАСЫВАНИЯ ОТ ГЛУБИНЫ НАСЫЩЕНИЯ ТРАНЗИСТОРА
|
В |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
7 |
8 |
9 |
|
мкс |
10 |
4 |
3 |
1 |
2 |
1 |
1 |
0,5 |
|
мкс |
3 |
6 |
10 |
12 |
13 |
14 |
15 |
16 |
|
мкА |
303 |
454,5 |
606,1 |
757,6 |
909,1 |
1060,6 |
1212,1 |
1363,6 |
n |
- |
2,66 |
3,99 |
5,32 |
6,65 |
7,97 |
9,30 |
10,63 |
11,96 |
Время нарастания зависит от глубины насыщения обратно пропорционально.
Время рассасывания импульса прямо пропорционально и практически линейно зависит от глубины насыщения.
Вывод: Освоена методика экспериментального исследования полупроводниковых приборов в импульсном режиме.
Исследованы статические характеристики транзисторного ключа.
Проведены измерения параметров, характеризующих инерционность работы транзисторного ключа.