LR5

ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО СВЯЗИ

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования

«САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ТЕЛЕКОММУНИКАЦИЙ

им. проф. М. А. БОНЧ-БРУЕВИЧА»

(СПБГУТ)

Отчёт по лабораторной работе №5.

По дисциплине «Физические основы электротехники».

Исследование статических характеристик и параметров полевого транзистора с управляющим p-n переходом.

Выполнил студент группы

Санкт-Петербург

2022

Лабораторная работа №5.

Цель работы:

1. Освоить методику экспериментального исследования статических характеристик полевых транзисторов.

2. Исследовать семейства управляющих и выходных характеристик транзистора с управляющим p-n переходом (ПТУП), включённого по схеме ОИ.

3. Рассчитать значения малосигнальных параметров транзистора.

1. ИССЛЕДОВАНИЕ СЕМЕЙСТВА УПРАВЛЯЮЩИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА.

Схема установки.

Для

	0	-0,3	-0,5	-0,7	-1
	3	1,75	1,15	0,66	0,17

Для

	0	-0,3	-0,5	-0,7	-1
	2,86	1.7	1.1	0,63	0,165

Исследование семейства выходных характеристик полевого транзистора.

Для

	0	1	3	5	7	10
	0	2,59	2,8	2,86	2,91	3

Для

	0	1	3	5	7	10
	0	1,61	1,64	1,67	1,7	1,75

Для

	0	1	3	5	7	10
	0	0,7	0,785	0,8	0,815	0,838

Расчёт малосигнальных параметров полевого транзистора.

Крутизна транзистора

Значения выходного дифференциального сопротивление транзистора

.

	114616,66	75250	36678,78

Вывод: Освоил методику экспериментального исследования статических характеристик полевых транзисторов. Исследовал семейства управляющих и выходных характеристик транзистора с управляющим p-n переходом (ПТУП), включённого по схеме ОИ. Рассчитал значения малосигнальных параметров транзистора.