LR4
.docxФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО СВЯЗИ
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования
«САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ТЕЛЕКОММУНИКАЦИЙ
им. проф. М. А. БОНЧ-БРУЕВИЧА»
(СПБГУТ)
Отчёт по лабораторной работе №4.
По дисциплине «Физические основы электротехники».
Исследование статических характеристик и параметров биполярного транзистора.
Выполнил студент группы
Санкт-Петербург
2022
Лабораторная работа №4.
Цель работы:
Освоить методику экспериментального исследования статических
характеристик биполярного транзистора.
Исследовать входную и управляющую характеристики и семейство
выходных характеристик транзистора, включенного по схеме ОЭ.
Рассчитать значения малосигнальных параметров транзистора.
Исследование входной и управляющей характеристик биполярного транзистора.
Схема установки.
Результаты измерения.
-
В
0
0,500
0,550
0,580
0,600
0,610
0,620
0,627
0,638
мкА
0
1,0
4,1
10,3
19,7
30,0
49,0
70,0
85,0
мА
0
0,02
0,8
2,0
4,0
6,0
9,0
12,0
17,0
Графики входных характеристик.
Исследование семейства выходных характеристик биполярного транзистора.
-
В
0
0,05
0,10
0,20
0,50
1,00
3,00
5,00
10,0
мА
0
1,9
5,4
8,6
9,4
9,9
11,1
12,0
13,8
-
В
0
0,05
0,10
0,20
0,50
1,00
3,00
5,00
10,0
мА
0
1,7
4,5
7,5
7,9
8,2
8,7
9,2
9,6
-
В
0
0,05
0,10
0,20
0,50
1,00
3,00
5,00
10,0
мА
0
1,5
3,4
5,2
5,55
5,7
5,9
6,1
6,4
Выходные характеристики.
Расчёт малосигнальных параметров биполярного транзистора.
Входное сопротивление транзистора при коротком замыкании на выходе для переменной составляющей тока:
Дифференциальный коэффициент передачи тока при коротком замыкании на выходе для переменной составляющей:
Выходная проводимость транзистора при разомкнутом входе для переменной для переменной составляющей тока:
Вывод: В этой лабораторной работе освоил методику экспериментального исследования статических характеристик биполярного транзистора. исследовал входную и управляющую характеристики и семейство выходных характеристик транзистора, включенного по схеме ОЭ, рассчитал малосигнальные параметры биполярного транзистора.