 
        
        Лабы / Кутонов_5А93_лб5
.docx
| Министерство науки и высшего образования Российской федерации Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ТОМСКИЙ ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ» | 
Инженерная школа энергетики
Направление 13.03.02 «Электроэнергетика и электротехника»
Отделение Электроэнергетики и электротехники
Отчет по лабораторной работе №5
«Электрические разряды на поверхности твердого диэлектрика»
Выполнили:
Студенты группы 5А93 ______________ Белокуров Д.В.
(дата, подпись) Комбатуров Т.Н.
Кутонов В.С.
Руденок В.А.
Селяев А.В.
Проверил преподаватель: _____________ Шолохова И.И.
(дата, подпись)
Томск — 2022
Цель работы: экспериментальное изучение разряда по поверхности твердого диэлектрика в зависимости от конфигурации электрического поля, расстояния между электродами и толщины диэлектрика.
Теоретические сведения:
Необходимость изучения разрядов по поверхности твердого диэлектрика в воздухе связана с тем, что они в значительной мере обусловливают разрядные характеристики внешней изоляции. Напряжение разряда вдоль поверхности твердых диэлектриков в воздухе всегда ниже разрядного напряжения воздушного промежутка такой же длины и конфигурации электрического поля. Величина напряжения поверхностного разряда определяется длиной разрядного канала, конфигурацией электрического поля в промежутке, электрофизическими характеристиками и состоянием поверхности твердого диэлектрика, температурой, давлением и влажностью воздуха. Все многообразие электрических полей изоляционных конструкций с твердым диэлектриком может быть сведено к трем характерным случаям:
1.Равномерное поле (рис. 1). Поверхность раздела двух диэлектрических сред расположена вдоль силовых линий электрического поля.
2.Неоднородное поле с преобладанием тангенциальной составляющей напряженности поля во всех точках поверхности диэлектрика (рис. 2, а).
3.Неоднородное поле с преобладанием нормальной составляющей напряженности электрического поля (рис. 2, б).
Диэлектрик, помещенный в равномерное поле, нарушает его однородность, и разряд происходит всегда по поверхности диэлектрика, при напряжении более низком, чем в воздушном промежутке.
Значительную роль в снижении разрядных напряжений играет адсорбция диэлектриком влаги. Материалы, обладающие большой поверхностной гигроскопичностью (стекло, эбонит, оргстекло, бакелизированная бумага), дают большее снижение разрядных напряжений, чем малогигроскопичные материалы (парафин, винипласт). Под действием приложенного к электродам напряжения диссоциированные ионы, содержащиеся в адсорбированной диэлектриком влаге, перераспределяются по поверхности диэлектрика, искажая градиент потенциала вдоль его поверхности. В результате разрядное напряжение уменьшается. На импульсах поле в промежутке не успевает существенно исказиться из-за инерционности процесса перераспределения зарядов, поэтому разрядное напряжение снижается в меньшей мере. Кроме увлажнения поверхности диэлектрика, на величину разрядного напряжения существенное влияние оказывают воздушные прослойки между диэлектриком и электродами. В этих прослойках из-за отличия диэлектрических проницаемостей воздуха и твердого диэлектрика создается локальное увеличение напряженности поля и, возможно, возникновение ионизационных процессов.
Следовательно, в реальных изоляционных конструкциях твердый диэлектрик очень редко располагается в однородном поле. Чистота поверхности диэлектрика также является фактором, оказывающим влияние на разрядное напряжение. Наличие загрязнений снижает разрядное напряжение поверхностного разряда.
Неоднородное поле с преобладанием тангенциальной составляющей (рис.2, а) характерно для опорных изоляторов. Влияние гигроскопических свойств диэлектрика на величину разрядных напряжений в этом случае будет меньшим, так как искажения поля, обусловленные процессами на поверхности диэлектрика, лишь незначительно увеличивают и без того значительную неоднородность поля.
Конфигурация электрического поля с преобладанием нормальной составляющей напряженности (рис.2, б) характерна для конструкции проходного изолятора. Неоднородность поля в межэлектродном промежутке в этом случае выше, чем в рассмотренных ранее, и, следовательно, разрядные напряжения ниже.
Поверхностный разряд по мере увеличения приложенного напряжения проходит несколько стадий.
1. При относительно низких напряжениях на электродах возникает коронный разряд в виде полоски ровного неяркого свечения.
2. Увеличение напряжения приводит к расширению области коронированияи образованию на твердом диэлектрике многочисленных слабо светящихся каналов (стримеров), направленных к противоположному электроду. Характер разрядных процессов определяется величиной токов, текущих в разрядных каналах. При дальнейшем увеличении напряжения ток возрастает настолько, что становится возможной термическая ионизация в стримерных каналах. Эта форма стримерного разряда, называемая скользящим разрядом, характеризуется интенсивным свечением канала, резким уменьшением сопротивления канала и, следовательно, выносом потенциала в глубь промежутка.
3. Длина скользящих разрядов очень быстро увеличивается с повышением напряжения, и процесс завершается перекрытием промежутка между электродами.
 
Рисунок 1 - Систем электродов с равномерным полем.
 
Рисунок 2 - Система электродов с преобладающей тангенциальной (а) и
преобладающей нормальной (б) составляющей электрического поля.
Величина тока в любом разрядном канале в основном определяется емкостью канала по отношению к противоположному электроду.
Очевидно, что чем выше удельная поверхностная емкость С, тем больше ток, протекающий по каналу на зарядку этой емкости, поэтому выше проводимость стримерного канала и потенциал на его конце, тем быстрее растет длина скользящего разряда и ниже напряжение разряда по поверхности.
Для приближенного расчета напряжения поверхностного разрядаможно использовать следующие эмпирические выражения. Начальное напряжение возникновения скользящих разрядов описывается выражением:
 
Разрядное напряжение по поверхности твердого диэлектрика для плоского диэлектрика описывается выражением:
 
где e
– относительная диэлектрическая
проницаемость (для стекла е
= 6); –
диэлектрическая постоянная; d
– толщина диэлектрика, см., l
– длина
канала скользящего разряда, k –
коэффициент, определяемый  опытным
путем и зависящий от состояния поверхности
диэлектрика, атмосферных условий и типа
электродной системы, вида диэлектрика.
Для электродной системы используемой
в данной лабораторной работе параметр
k принимаетсяравным 0,81 дляслучая
преобладаниянормальной составляющей
и 1,08  для случая  преобладания тангенциальной
 составляющей  напряженности электрического
поля.
–
диэлектрическая постоянная; d
– толщина диэлектрика, см., l
– длина
канала скользящего разряда, k –
коэффициент, определяемый  опытным
путем и зависящий от состояния поверхности
диэлектрика, атмосферных условий и типа
электродной системы, вида диэлектрика.
Для электродной системы используемой
в данной лабораторной работе параметр
k принимаетсяравным 0,81 дляслучая
преобладаниянормальной составляющей
и 1,08  для случая  преобладания тангенциальной
 составляющей  напряженности электрического
поля.  
Описание лабораторной установки:
 
Рисунок 3 - Принципиальная электрическая схема установки.
В состав экспериментальной установки входят такие элементы как:
РН – регулятор напряжения;
Т– высоковольтный трансформатор;
S1, S2 – выключатели;
Rзащ – защитное сопротивление;
Опытные данные:
 
Рисунок 4 – Опытные данные
Таблица №1- Полученные результаты измерений
| 
 | № п/п | L, cм | D, см | Uкороны, кВ 
 | Uск.р., кВ 
 | Uперекрытия кВ 
 | Uперекрытия расчет. кВ | 
| 
 
 
 
 
 Тангенциальная составляющая | 1 | 2 | 1,2 | 22,6 | 25,5 | 28,3 | 56,62 | 
| 2 | 4 | 1,2 | 31,1 | 39,6 | 45,3 | 65,04 | |
| 3 | 6 | 1,2 | 45,3 | 53,7 | 56,6 | 70,53 | |
| 4 | 8 | 1,2 | 56,6 | 62,2 | 73,5 | 74,71 | |
| 5 | 2 | 0,8 | 19,8 | 25,5 | 28,3 | 47,18 | |
| 6 | 4 | 0,8 | 33,9 | 36,8 | 39,6 | 54,19 | |
| 7 | 6 | 0,8 | 42,4 | 48,1 | 53,7 | 58,77 | |
| 8 | 8 | 0,8 | 56,6 | 62,2 | 67,9 | 62,25 | |
| 9 | 2 | 0,4 | 31,1 | 36,8 | 39,6 | 34,54 | |
| 10 | 4 | 0,4 | 50,9 | 53,7 | 56,6 | 39,67 | |
| 11 | 6 | 0,4 | 59,4 | 62,2 | 65,1 | 43,02 | |
| 12 | 8 | 0,4 | 62,2 | 67,9 | 76,4 | 45,57 | |
| 
 
 
 
 
 Нормальная составляющая | 13 | 2 | 1,2 | 25,5 | 28,3 | 33,9 | 42,46 | 
| 14 | 4 | 1,2 | 36,8 | 42,4 | 48,1 | 48,78 | |
| 15 | 6 | 1,2 | 45,3 | 50,9 | 56,6 | 52,9 | |
| 16 | 8 | 1,2 | 53,7 | 56,6 | 70,7 | 56,03 | |
| 17 | 2 | 0,8 | 28,3 | 31,1 | 33,9 | 35,4 | |
| 18 | 4 | 0,8 | 36,8 | 41 | 45,3 | 40,6 | |
| 19 | 6 | 0,8 | 45,3 | 48,1 | 59,4 | 44,1 | |
| 20 | 8 | 0,8 | 50,9 | 53,7 | 67,9 | 46,7 | |
| 21 | 2 | 0,4 | 25,5 | 28,3 | 31,1 | 25,9 | |
| 22 | 4 | 0,4 | 33,9 | 36,8 | 42,4 | 29,8 | |
| 23 | 6 | 0,4 | 39,6 | 45,3 | 50,9 | 32,3 | |
| 24 | 8 | 0,4 | 39,6 | 48,1 | 59,4 | 34,2 | 
Найдём Uперекрытия расчетное по следующей формуле (для измерения №13):
 
где:
 – относительная
диэлектрическая проницаемость (для
стекла 
= 6);
– относительная
диэлектрическая проницаемость (для
стекла 
= 6);
– диэлектрическая постоянная;
d – толщина диэлектрика, см.;
l – длина канала скользящего разряда, см.;
k =0.81 для нормальной составляющей напряженности электрического поля.
k =1.08 для тангенциальной составляющей напряженности электрического поля.
 
Рисунок 5 - Графики зависимостей Uк = f(l), Uперекр. = f(l), Uск.р. = f(l), при d = 1,2, в поле с преобладающей тангенциальной составляющей
 
Рисунок 6 - Графики зависимостей Uк = f(l), Uперекр. = f(l), Uск.р. = f(l), при d = 0,8, в поле с преобладающей тангенциальной составляющей
 
Рисунок 7 - Графики зависимостей Uк = f(l), Uперекр. = f(l), Uск.р. = f(l), при d = 0,4, в поле с преобладающей тангенциальной составляющей
 
Рисунок 8 - Графики зависимостей Uк = f(l), Uперекр. = f(l), Uск.р. = f(l), при d = 1,2, в поле с преобладающей нормальной составляющей
 
Рисунок 9 - Графики зависимостей Uк = f(l), Uперекр. = f(l), Uск.р. = f(l), при d = 0,8, в поле с преобладающей нормальной составляющей
 
Рисунок 10 - Графики зависимостей Uк = f(l), Uперекр. = f(l), Uск.р. = f(l), при d = 0,4, в поле с преобладающей нормальной составляющей
 
Рисунок 11 - Графики зависимостей Uперекр. расч. = f(l), при d = 1,2, в поле с преобладающей тангенциальной составляющей
 
Рисунок 12 - Графики зависимостей Uперекр. расч. = f(l), при d = 0,8, в поле с преобладающей тангенциальной составляющей
 
Рисунок 13 - Графики зависимостей Uперекр. расч. = f(l), при d = 0,4, в поле с преобладающей тангенциальной составляющей
 
Рисунок 14 - Графики зависимостей Uперекр. расч. = f(l), при d = 1,2, в поле с преобладающей нормальной составляющей
 
Рисунок 15 - Графики зависимостей Uперекр. расч. = f(l), при d = 0,8, в поле с преобладающей нормальной составляющей
 
Рисунок 16 - Графики зависимостей Uперекр. расч. = f(l), при d = 0,4, в поле с преобладающей нормальной составляющей
Вывод:
Из графиков следует, что при проведении всех опытов при увеличении расстояния между электродами происходит соответствующее нелинейное увеличение напряжения зажигания короны, напряжения скользящего разряда, напряжения перекрытия.
Напряжение перекрытия, короны и скользящего разряда значительно больше для неоднородного поля с преобладанием тангенциальной составляющей поля, по сравнению с нормальной составляющей поля. Это объясняется тем, что неоднородность электрического поля при нормальной составляющей выше, а напряжение возникновения короны ниже.
При увеличении толщины диэлектрика при малых межэлектродных расстояниях возрастает напряжение появления короны, напряжения скользящих разрядов и разрядное напряжение.
Также было проведено сравнение напряжения перекрытия опытного с расчетным. Погрешность обусловлена, во-первых, человеческим фактором, а, во-вторых, потому что при установке расстояния между электродами могли быть неточности.
Ответы на вопросы
1. С чем связано искажение электрического поля при помещении диэлектрика в равномерное поле?
Диэлектрик, помещенный в равномерное поле, нарушает его однородность, и разряд происходит всегда по поверхности диэлектрика при напряжении более низком, чем в воздушном промежутке.
2. Какое влияние оказывает неплотное прилегание электродов на разрядное напряжение вдоль поверхности диэлектриков?
В прослойках между диэлектриком и электродами из-за отличия диэлектрических проницаемостей воздуха и диэлектрика создается местное увеличение напряженности поля и, возможно, возникновение ионизационных процессов, что приводит к уменьшению разрядного напряжения.
3. Для каких изоляционных конструкций характерно электрическое поле с преобладающей тангенциальной составляющей, для каких конструкций с нормальной?
Неоднородное поле с преобладанием тангенциальной составляющей характерно для опорных изоляторов. Влияние гигроскопических свойств диэлектрика на величину разрядных напряжений в этом случае будет меньшим, так как искажения поля, обусловленные процессами на поверхности диэлектрика, лишь незначительно увеличивают и без того значительную неоднородность поля. Конфигурация электрического поля с преобладанием нормальной составляющей напряженности характерна для конструкции проходного изолятора. Неоднородность поля в межэлектродном промежутке в этом случае выше, и, следовательно, разрядные напряжения ниже.
4. Что делается в реальных условиях работы электроэнергетических систем для увеличения разрядных напряжений по поверхности изоляторов?
Для увеличения пути утечки тока по поверхности твердого диэлектрика и увеличения разрядного напряжения применяют ребристую поверхность.
