9201_Рауан_ЛР2
.docxМИНОБРНАУКИ РОССИИ
Санкт-Петербургский государственный
электротехнический университет
«ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)
Кафедра МВЭ
ОТЧЕТ
по лабораторной работе №2
по дисциплине «Основы проектирования электронной компонентной базы»
Тема: «: «Определение параметров spice моделей»
Студент гр. 9201 |
|
Рауан М. |
Преподаватель |
|
Шевченко С.А. |
Санкт-Петербург
2022
Задание 1. Расчет ВАХ SPICE-модели диода с параметрами, заданными по умолчанию
Рисунок 1. ВАХ диода
Рисунок 2. Таблица результатов моделирования диода
Рисунок 3. Прямой ВАХ диода в Pi-Spice
Рисунок 4. Результаты значений в PSpice.
Рисунок 5. ВАХ обратной ветви
Рисунок 6. ВАХ обратной ветви в PSpice
В результате моделирования диода в PSpice были рассчитаны данные параметры:
IS – Ток насыщения;
RS – Объёмное сопротивление;
IKF – ток перехода к высокому уровню инжекции;
CJO – барьерная емкость в отсутствии смещения;
M – коэффициент резкость p-n перехода;
VJ – контактная разность потенциалов;
ISR – рекомбинационный ток насыщения;
NR – коэффициент эмиссии;
BV – напряжение пробоя;
IBV – ток, соответствующий напряжению пробоя;
ТТ – время пролета носителей заряда через базу диода;
IS – ток насыщения, N – коэффициент эмиссии
Задание 2. Моделирование диода A931BCEX
Рисунок 7. ВАХ диода A931ВСЕХ
Рисунок 8. Таблица результатов моделирования диода А931ВСЕХ
Рисунок 9. Модель ВАХ диода А931ВСЕХ в PiSpice
Рисунок 10. Таблица параметров ВАХ диода А931ВСЕХ
В данной работе были рассчитаны ВАХ SPICE-модели диода А931ВСЕХ
Задание 3. Моделирование диода по экспериментальным ВАХ.
Для диода KD512A:
Рисунок 7. Входная ВАХ для диода KD512A
Рисунок 8. Зависимость обратного напряжения для данного диода
Рисунок 9. Обратный ВАХ диода
Рисунок 10. Обратный пробой
Рисунок 11. Зависимость времени от тока.
Параметры диода:
*DEVICE=diode, D
* diode1 D model
* created using Model Editor release 9.1 on 11/03/22 at 12:41
* Model Editor is an OrCAD product.
.MODEL diode1 D
+ RS=1.0000E-3
+ CJO=1.0000E-12
+ M=.3333
+ VJ=.75
+ ISR=100.00E-12
+ BV=100
+ IBV=100.00E-6
+ TT=5.0000E-9
В ходе работы были рассчитаны параметры диода по экспериментальным данным.