praktika2
.pdf
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования
«ТОМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ СИСТЕМ УПРАВЛЕНИЯ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ» (ТУСУР)
Кафедра комплексной информационной безопасности электронновычислительных систем (КИБЭВС)
ИССЛЕДОВАНИЕ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
Отчет по практической работе №2 по дисциплине «Электроника и схемотехника»
Вариант №10
Студент гр. 730-2
_Подойницын К.В.
04.12.2021
Руководитель
Доцент КИБЭВС
Мальчуков А.Н.
04.12.2021
Томск 2021
2
ЦЕЛЬ РАБОТЫ
1.Анализ зависимости коэффициента усиления по постоянному току от тока коллектора.
2.Исследование работы биполярного транзистора в активном режиме и насыщения.
3.Исследование работы биполярного транзистора в режиме отсечки.
4.Исследование работы биполярного транзистора в инверсном режиме.
3
ПОСТАНОВКА ЗАДАЧИ
1. Собрать стенд для заданного вариантом транзистора (2N3414).
Последовательно устанавливая значения сопротивления 1 в кОм: 0,4, 0,6, 0,8, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 20, 40, 60, 80, 100, записать показания для бэ, кэ.
Вычислить:
1) ток коллектора к = э − б
2) сопротивление к-э перехода кэ = кэ
к
3) коэффициент усиления по току β = к.
б
Определить границы активного режима и насыщения.
2.Добавить на стенд переключатель . Транзистор должен работать в режиме отсечки. Перевести положение кнопки на резистор 1 и убедится , что транзистор работает в том же режиме, в каком работал до добавления переключателя.
3.Собрать стенд для транзистора 2N3414. Записать значение н. Перевести переключатель в другое положение и записать значение у.
Напишите выводы о проделанной работе.
4
1. Работа транзистора в активном режиме и насыщения
Для исследования биполярного транзистора в активном режиме и режиме насыщения необходимо собрать стенд схемы с ОЭ (общим эмиттером) как на рис. 1.
При насыщенном режиме в транзисторе типа n-p-n, напряжение на коллекторе меньше напряжения на базе. В активном режиме работы напряжение на коллекторе больше напряжения на базе.
Рисунок 1 – Схема работы транзистора в насыщенном режиме.
Рисунок 2 – Схема работы транзистора в насыщенном режиме.
5
Рисунок 3 – Схема работы транзистора в насыщенном режиме.
Рисунок 4 – Схема работы транзистора в активном режиме.
6
Рисунок 5 – Схема работы транзистора в активном режиме.
Рисунок 6 – Схема работы транзистора в активном режиме.
Результаты расчетов представлены в 1 таблице.
7
Таблица 1 – Результаты измерений и расчетов.
8
2. РАБОТА ТРАНЗИСТОРА В РЕЖИМЕ ОТСЕЧКИ
Для исследования биполярного транзистора в режиме отсечки необходимо собрать схему, как показано на рис. 7.
Рисунок 7 – Транзистор в режиме отсечки.
Переключая положения кнопки между землёй и сопротивлением 1,
транзистор VT переводится из режима отсечки в активный режим или насыщения. На рис.8 показана схема работы транзистора в насыщенном режиме,
на рис.11 – в активном.
Рисунок 8 – Транзистор в насыщенном режиме.
9
Рисунок 9 – Транзистор в насыщенном режиме.
Рисунок 10 – Транзистор в насыщенном режиме.
Рисунок 11 – Транзистор в активном режиме.
10
Рисунок 12 – Транзистор в активном режиме.
Рисунок 13 – Транзистор в активном режиме.