laba2
.pdf
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования
«ТОМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ СИСТЕМ УПРАВЛЕНИЯ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ» (ТУСУР)
Кафедра комплексной информационной безопасности электронновычислительных систем (КИБЭВС)
ЛОГИЧЕСКИЕ ЭЛЕМЕНТЫ ТТЛ
Отчет по лабораторной работе №2 по дисциплине «Электроника и схемотехника»
Вариант №10
Студент гр. 730-2
_Подойницын К.В.
12.12.2021
Руководитель
Доцент КИБЭВС
Мальчуков А.Н.
12.12.2021
Томск 2021
2
ЦЕЛЬ РАБОТЫ
Цель работы: изучение работы логических элементов ТТЛ.
3
ПОСТАНОВКА ЗАДАЧИ
1. Собрать стенд для исследования ЛЭ НЕ для заданного вариантом диода
(ВА315), транзистора (2N3414) и номинала сопротивления
4 = 150 Ом. Измерить ток утечки на входе у и напряжение выхода вых
при всех положениях ключа.
2.Собрать стенд для исследования ЛЭ 3И-НЕ для диода ВА315, транзистора
2N3414 и номинала сопротивления 4 = 150 Ом на схеме. Измерить ток утечки на входе у и напряжение выхода вых при всех положениях ключа.
3.Повторить пункт 2 для логической функции 2ИЛИ-НЕ.
4.Повторить пункт 1 для составного транзистора на выходе по схеме Дарлингтона.
5.Повторить пункт 1 для схемы с 3 состояниями выхода. Если на выходе устанавливаются состояния 0 или Z – убедитесь в этом с помощью резистора подтяжки (pull-up). Подключить его к выходу через нагрузочный резистор номиналом 1 кОм источник питания. Если напряжение на выходе осталось в пределах уровней напряжения нуля (меньше 0,8 В), тогда это действительно 0 на выходе.
6.Повторить пункт 1 для схемы с открытым коллектором.
7.Повторить пункт 6, подсоединив к точке out источник питания +5 В через сопротивление 1 кОм.
8.Написать выводы о проделанной работе.
4
1. ИССЛЕДОВАНИЕ ЛОГИЧЕСКОГО ЭЛЕМЕНТА «НЕ»
Для исследования работы ЛЭ НЕ и измерения электрических параметров необходимо использовать стенд как на рис. 1. В таблице 1 приведены показания приборов.
Таблица 1 – Показания приборов.
Рисунок 1 – Схема ЛЭ НЕ, ключ замкнут на резистор.
Рисунок 2 – Схема ЛЭ НЕ, ключ замкнут на амперметр.
5
На рисунках 3-6 представлены схемы для исследования функции НЕ с 3
состояниями выхода при различных положениях ключей. Подключая pull-up
резистор, мы проверяем действительно ли на выходе 0 или это состояние Z.
Электрические параметры функции занесены в таблицу 3.
Таблица 2 – Электрические параметры функции.
Рисунок 3 – Схема ЛЭ НЕ с 3 состояниями выхода и с 0 на входе.
6
Рисунок 4 – Схема с ключом X, замкнутым на резистор
и C – на амперметр, состояние 0.
Рисунок 5 – Схема с ключом C, замкнутым на резистор, и X – на амперметр,
состояние Z.
7
Рисунок 6 – Схема с 1 на входе.
8
На рисунках 7-8 представлены схемы для исследования функции НЕ с
открытым коллектором. В таблице 3 представлены электрические параметры
функции.
Таблица 3 – Параметры функции.
Рисунок 7 – Схема с открытым коллектором, состояние Z.
Рисунок 8 – Схема с открытым коллектором, состояние 0.
На рисунках 9-10 представлены схемы для исследования функции НЕ с открытым коллектором с подключенным источником питания +5В через сопротивление 1 к Ом. Результаты измерений приведены в таблице 4.
9
Рисунок 9 – Схема с открытым коллектором, состояние Z.
Рисунок 10 – Схема с открытым коллектором, состояние 0.
Таблица 4 – Результаты измерений.
10
Рисунок 11 – ЛЭ НЕ по схеме Дарлингтона с ключом, замкнутым на амперметр.
Рисунок 12 – ЛЭ НЕ по схеме Дарлингтона с ключом, замкнутым на R1.
Таблица 5 – Результаты измерений.