Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Stenin Lab / C8051F60-67-устройство МК.pdf
Скачиваний:
196
Добавлен:
10.02.2015
Размер:
5.19 Mб
Скачать

C8051F060/1/2/3/4/5/6/7

11. Источник опорного напряжения (C8051F064/5/6/7)

Схема внутреннего ИОН состоит из генератора стабилизированного напряжения 1,2В, устойчивого к изменениям температуры, и выходного буферного усилителя с Кусил = 2.Напряжение от внутреннего ИОН может быть подано на вывод VREF, как показано на рис.11.1. Максимальный ток через вывод VREF в цепь AGND не должен превышать 200 мкА. Вывод VREF рекомендуется соединить с общей шиной AGND шунтирующими конденсаторами емкостью 0,1мкФ и 4,7мкФ (см. рис.11.1).

Регистр управления ИОН REF2CN (см. рис.11.2) позволяет включать/отключать внутренний генератор стабилизированного напряжения. Бит BIASE регистра REF2CN включает встроенный генератор стабилизированного напряжения, а бит REFBE регистра REF2CN включает буферный усилитель с Кус = 2, напряжение с выхода которого подается на вывод VREF. Если стабилизатор и буферный усилитель отключены, то их ток потребления уменьшается до 1мкА (типичное значение) и менее, а выход буферного усилителя переводится в высокоимпедансное состояние. Если внутренний стабилизатор используется в качестве генератора опорного напряжения, то биты BIASE и REFBE должны быть установлены в 1. Если внутренний ИОН не используется, то бит REFBE можно сбросить в 0. Электрические параметры схемы ИОН приведены в табл.11.1.

Рисунок 11.1. Функциональная схема источника опорного напряжения

 

 

 

 

BIASE

 

 

 

 

EN

Внешняя

 

VREF

x2

Стабилизатор

 

 

схема

+

 

напряжения

 

 

4.7µF

 

 

1,2В

0.1µF

 

 

 

 

 

REFBE

 

Шунтирующие

 

 

 

конденсаторы

 

 

 

115

Ред. 1.2

C8051F060/1/2/3/4/5/6/7

Рисунок 11.2. REF0CN: Регистр управления ИОН

R/W

R/W

R/W

R/W

R/W

R/W

R/W

R/W

Значение

-

-

-

-

0

0

BIASE

REFBE

при сбросе:

 

 

 

 

 

 

 

 

00000000

Бит 7

Бит 6

Бит 5

Бит 4

Бит 3

Бит 2

Бит 1

Бит 0

SFR Адрес: 0xD1

 

 

 

 

 

 

 

 

SFR страница: 2

Биты 7-4: Не используются: читаются как 0000b; запись не оказывает никакого влияния. Биты 3-2: Зарезервированы: необходимо записать 00b.

Бит 1: BIASE: Бит включения генератора напряжения смещения для АЦП/ЦАП (должен быть установлен ‘1’, если используются АЦП2 или ЦАП)

0: Внутренний генератор напряжения смещения отключен. 1: Внутренний генератор напряжения смещения включен.

Бит 0: REFBE: Бит управления выходным буфером внутреннего ИОН 0: Буфер внутреннего ИОН выключен.

1: Буфер внутреннего ИОН включен. Напряжение от внутреннего ИОН подается на вывод VREF.

Таблица 11.1. Электрические характеристики ИОН

VDD = 3.0В, AV+ = 3.0В, Т = от -40ºC до +85ºC, если не указано иное.

ПАРАМЕТР

УСЛОВИЯ

Мин.

Тип.

Макс.

Ед. изм.

Внутренний ИОН (REFBE = 1)

 

 

 

 

 

Выходное напряжение

Токр. ср. = 25°C

2.36

2.43

2.48

В

Ток потребления VREF

 

 

50

 

мкА

Ток короткого замыкания через

 

 

 

30

мА

вывод VREF

 

 

 

 

 

 

 

 

Температурный коэффициент

 

 

0,0015

 

%/°C

нестабильности напряжения на

 

 

 

 

 

выводе VREF

 

 

 

 

 

Нестабильность тока по нагрузке

Ток нагрузки = (0-200мкА) в

 

5 х 10-5

 

%/мкА

 

цепь AGND

 

 

 

 

Время стабилизации напряжения

Танталовый шунтирующий

 

2

 

мс

на выводе VREF (1)

конденсатор емкостью 4.7мкФ,

 

 

 

 

 

керамический шунтирующий

 

 

 

 

 

конденсатор емкостью 0.1мкФ

 

 

 

 

Время стабилизации напряжения

Керамический шунтирующий

 

20

 

мкс

на выводе VREF (2)

конденсатор емкостью 0.1мкФ

 

 

 

 

Время стабилизации напряжения

Без шунтирующего

 

10

 

мкс

на выводе VREF (3)

конденсатора

 

 

 

 

Ред. 1.2

116