2. Эквивалентные схемы полевых транзисторов.

При работе с переменными сигналами малых амплитуд полевой транзистор, как и биполярный, можно представить в виде линейного активного четырехполюсника. Вследствие высокого входного сопротивления полевых транзисторов наиболее удобной как для измерения, так и для использования является система Y-коэффициентов. Параметры, приведенные выше, позволяют построить эквивалентные схемы для полевых транзисторов. В качестве примера постоим эквивалентную схему для полевого транзистора с управляющим p-n переходом с общим истоком (рис.5.9).

Рис.5.9

Здесь C_11и=C_зи – емкость затвор-исток; C_12и=C_зс – емкость затвор-сток; C_22и=C_си – емкость сток-исток; S-статическая крутизна; C_11и=C_зи – емкость затвор-исток; g_11и-активная проводимость входной цепи. g_11и=Rey₁₁, т.е. вещественная часть входной проводимости y₁₁, которая, в свою очередь, равна

(5.29)

С вещественной входной проводимостью g_11и приходится считаться лишь на высоких частотах, поэтому она изображена пунктирными линиями.

На практике для МДП-транзистора используют упрошенную эквивалентную схему, показанную на рис.5.10, где С_11и=С_зи+С_зп, С_12и=С_зс, С_22и=С_си. Кроме того, считают, что по переменному току между истоком и подложкой существует короткое замыкание.

Рис.5.10.

169