
Микроэлектроника.-2
.pdf370
123. |
Коэффициент |
|
|
|
|
|
|
|
|
ослабления синфаз- |
|
124. |
125. |
126. |
127. |
128. |
129. |
||
ного сигнала Kос.сф., |
|
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
6 |
||
дБ |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
130. |
Скорость |
на- |
|
|
132. |
133. |
134. |
135. |
136. |
растания выходного |
|
131. |
|||||||
напряжения |
UВЫХυ , |
|
,03 |
,035 |
,1 |
,8 |
,12 |
0 |
|
В/мкс |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
137. |
Время |
уста- |
|
138. |
139. |
140. |
141. |
142. |
143. |
новления tуст, мкс |
|
|
,6 |
,6 |
,35 |
|
|
||
144. |
Входное со- |
|
145. |
|
147. |
|
|
|
|
противление RВХ, |
|
146. |
148. |
149. |
150. |
||||
|
0 |
0 |
|||||||
МОм |
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
151. |
Выходное со- |
|
152. |
153. |
154. |
155. |
|
|
|
противление RВЫХ, |
|
156. |
157. |
||||||
|
·103 |
·103 |
·103 |
·103 |
|||||
Ом |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
158. |
Максималь- |
|
159. |
160. |
|
162. |
163. |
164. |
|
ный выходной ток |
|
161. |
|||||||
|
,9 |
0 |
к* |
к* |
|||||
Iвых.max,, мА |
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
165. |
Максималь- |
|
|
167. |
168. |
169. |
170. |
171. |
|
ное выходное на- |
|
166. |
|||||||
|
,1 |
0 |
0 |
2 |
|||||
пряжение Uвых.max,,В |
|
|
|
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|||
172. |
Максималь- |
|
|
|
175. |
176. |
|
|
|
ное входное напря- |
|
173. |
174. |
177. |
178. |
||||
|
0 |
0 |
|||||||
жение Uвх.max,,В |
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
||
179. |
Максималь- |
|
180. |
181. |
182. |
183. |
184. |
185. |
|
ное входное синфаз- |
|
,2 |
,2 |
2 |
2 |
||||
|
|
|
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
371
ное напряжение |
|
|
|
|
|
|
|
||
Uвх.сф.maх, В |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
186. Ток потреб- |
187. |
188. |
189. |
190. |
191. |
192. |
|||
ления Iпот, |
мА |
80 |
¸ 7 |
||||||
5 |
25 |
0 |
70 |
20 |
|||||
|
|
00 |
|
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
*Минимальное значение сопротивления нагрузки кОм.
На основе планарно-эпитаксиальной технологии с изоляцией элементов p-n-переходами разработаны ИМС мощных (IВЫХ≥1А)
ивысоковольтных (UВЫХ=±19В) ОУ.
Применение ОУ. Возможности практического применения
ОУ как базовых элементов аналоговой схемотехники вытекают из многообразия вариантов их применения, что определяется включением ОУ в линейные и нелинейные цепи ООС. В общем случае различают две схемы включения ОУ, охваченного ООС:
инвертирующую и неинвентирующую (рис. 7.6.).
Для инвертирующей схемы включения (рис. 7.6, а) фаза выходного сигнала ОУ сдвинута на 180° относительно фазы входного сигнала. В идеальном случае передаточная функция этой схемы
KU И = -U ВЫХ /U ВХ » -Z0 / Z1
где Z0 — сопротивление цепи ООС; Z1 — сопротивление источника сигнала.
Для неинвертирующей схемы включения (рис. 7.6, б) фаза выходного сигнала повторяет фазу входного. Передаточная функция ОУ в неинвертирующем включении
KU НИ = U ВЫХ /U ВХ = 1 + Z0 / Z1
Инвертирующее включение ОУ является основой построения большинства схем (устройств) обработки сигналов. На базе этого включения реализуются дифференциальные усилители -по стоянного тока, мостовые усилители, аналоговые интеграторы, дифференциаторы, сумматоры, усилители переменного тока с обратной связью, преобразователи ток — напряжение, стабилизаторы напряжения, а также нелинейные схемы ограничителей, логарифмических усилителей. Данные и другие устройства реа-

372
лизуются посредством одного или нескольких ОУ с линейной и нелинейной обратными связями.
Z0 |
Uвх |
|
|
+ |
Uвых |
||
Uвх Z1 |
|||
- |
|
||
+ |
|
||
Uвых |
Z0 |
||
- |
|
||
|
|
||
а) |
б) |
Z1 |
|
|
Рис. 7.6. Основные схемы включения ОУ: а) — инвертирующая; б) — неинвертирующая
Неинвертирующее включение ОУ применяется в тех случаях,
когда необходимо согласовать маломощный источник сигнала, обладающий большим внутренним сопротивлением с низкоомной нагрузкой. Такое включение ОУ используется в основном для построения масштабных усилителей.
Пользуясь выражениями, записанными выше можно проанализировать различные конкретные схемы включения ОУ с учетом того, что:
на входные выводы ОУ ток от источника сигнала не ответвляет-
ся ( RВХ ® ¥ );
напряжение между входами ОУ, замкнутого ООС, практически равно нулю ( KU ® 0 ).
На рис. 7.7 приведены примеры включения ОУ для построения наиболее распространенных устройств. При этом передаточные функции описываются следующими выражениями:
R1 |
R0 |
|
|
T |
|
Uвх1 |
|
|
|
|
|
R2 |
|
Uвх |
R |
|
|
Uвх2 |
|
+ |
Uвых |
||
Uвх3 |
+ |
Uвых |
|||
- |
|
||||
R3 |
- |
|
|
||
|
|
б) |
|||
|
а) |
|
|
||
|
|
|
|
||
|
C |
|
|
R |
|
|
|
|
|

373
для инвертирующего сумматора (рис. 7.7, а)
U ВЫХ = -(R0 / RR )(U1 +U 2 +U 3 )
А при R0= R1= R2= R3= Ri=RR и n входах
n
U ВЫХ = -åU i ; i=1
для логарифмирующего усилителя(рис. 7.7, б), когда в цепь ООС включен диод, U ВЫХ = -jт ln(U ВХ / RI S );
для аналогового интегратора (рис. 7.7, в)
1 t
u ВЫХ (t) = - RC 0òuВХ (t)dt;
для дифференциатора (рис. 7.7, г)
uВЫХ (t) = -RC duВХ (t) ; dt
В зависимости от группы ОУ и типа ООС известно более 200 разнообразных устройств, в которых используется ОУ.
7.4. БИС цифроаналоговых и аналого-цифровых преобразователей
Для преобразования аналоговых сигналов в цифровой эквивалент используют аналого-цифровые преобразователи(АЦП), а
374
для обратного преобразования цифровых уровней в аналоговые
— цифроаналоговые преобразователи (ЦАП).
Развитие техники АЦП и ЦАП осуществлялось поэтапно— от простых наборов ИМС, на базе которых конструировали преобразователи, до создания БИС АЦП и БИС ЦАП по различным технологиям.
Цифроаналоговые преобразователи. БИС ЦАП условно под-
разделяют на две группы:
1)ЦАП с резистивными матрицами;
2)безматричные ЦАП.
По способу формирования сигнала БИС ЦАП первой группы |
|
||
подразделяют на два типа: с суммированием токов и с делением |
|
||
напряжения, а БИС второй группы — также на два типа: с ак- |
|
||
тивными делителями тока и стохастические. |
|
|
|
Основными параметрами БИС ЦАП являются: |
|
|
|
— разрешающая способность, определяемая числом разрядов N |
|
||
и |
максимальным |
выходным |
на |
U ШК ,-d ШК = U ШК /(2 N -1) ;
— абсолютная погрешность d ПШ , определяемая отклонением значения выходного напряжения(тока) от номинального (расчетного), соответствующая последнему шагу преобразования и измеряемая в единицах младшего значащего разряда (МЗР);
— нелинейность d Л , определяемая как наибольшее отклонение выходного сигнала от прямой линии абсолютной точности;
— дифференциальная нелинейность, d Л . ДИФ , определяемая
минимальной разностью погрешности нелинейности двух - со седних квантов преобразования;
—время установления выходного напряжения или токаtУСТ определяемое как интервал времени от подачи входного кода до вхождения входного сигнала в пределы наперед заданной зоны ошибки вокруг окончательного требуемого аналогового уровня;
—максимальная частота преобразованияfпрб, при которой параметры ЦАП соответствуют заданным значениям.
БИС ЦАП разрабатывают и изготовляют по таким технологиям, по которым изготовляются другие ИМС, предназначенные для совместного применения.

375
Структурное построение ЦАП рассмотрим на примере БИС К594ПА1, представляющей собой 12-разрядный ЦАП параллельного двоичного кода в выходные уровни тока(рис. 7.8,а). БИС содержит три группы элементов, объединенных между собой на выходе делителями тока. Каждая группа — это четырехразрядный ЦАП с суммированием токов. БИС состоит из источников токов 1, схемы формирования опорного напряжения2, токовых ключей 3, схемы сдвига (смещения) входных уровней 4; преобразователя напряжения источника питания5. Для преобразования выходного тока ЦАП в уровни выходного напряжения (0 —UШК) используют совместное включение данной БИС с ИМС ОУ. Схема включения БИС ЦАП в режиме получения однополярного сигнала для работы с цифровыми ТТЛ-ИМС приведена на рис. 7.8, б, а в режиме получения однополярного выходного тока — на рис. 7.8, в. Наряду с таким построением разрабатывают БИС ЦАП с входными аналоговыми перемножителями, например К572ПА1, К572ПА2.
Аналого-цифровые преобразователи. По структуре построе-
ния БИС АЦП подразделяют на АЦП с применением ЦАП и без них. Основными характеристиками БИС АЦП являются:
— разрешающая способность, определяемая разрядностью и максимальным диапазоном входного (аналогового) напряжения (полной шкалой);
19 |
20 |
6 |
18 17 16 15 14 13 |
12 11 10 |
9 |
8 |
а) |
7 |
23 |
|
|
|
R15 |
3 |
|
|
|
R17 |
||
|
|
|
|
|
|
RЭТ |
2 |
|
|
R18 |
|
22 |
T1 T2 T3 T4 |
|
|
R19 |
|
|
|
|
4 |
||
|
T9 |
|
R16 |
R20 |
|
|
|
|
|
||
|
1 |
R10 |
R11 R12 |
5 |
|
|
|
||||
|
R1 R2 R3 |
R5 R6 R7 R8 |
R13 |
R21 |
2 |
21 |
RД |
R9 |
R14 |
|
1 |
|
|
|
|

376
|
|
18 |
C3P |
|
19 |
+UИ.П |
|
|
|
|
|
|
|
20 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
7 |
К594ПА1 |
|
Uвых |
|
|
|
|
|
Rос1 |
5 |
||
|
|
50 |
23 |
|
3 |
- |
|
|
|
|
|
|
I |
2 |
|
|
|
50 |
1 |
M3P |
+ |
||
|
|
|
|
|
|
||
|
|
UОП |
|
|
|
21 |
|
|
|
|
24 |
|
|
|
|
— точность, определяемая |
абсолютной |
|
|
|
|
||
погрешностью полной |
|||||||
шкалы d ПШ , нелинейностью и |
–UИ.П |
|
|
6 |
|
||
|
нелинейно- |
||||||
дифференциальной |
стью (определяется как для ЦАП, но по отношению к входному в)
сигналу) ;
— быстродействие, характеризуемое временем преобразования
tпрб.
В настоящее время наибольшее распространение получили БИС АЦП с ЦАП развертывающего типа, в которых аналоговый сигнал преобразуется в цифровой последовательно, начиная с самого младшего значения до уровня, пока выходное аналоговое напряжение ЦАП не сравнится с входным аналоговым напряжением АЦП, а также БИС АЦП последовательного приближения со счетчиком.
На рис. 7.9 приведена функциональная схема БИС10разрядного быстродействующего АЦП последовательного приближения КП08ПВ1, работающего совместно с цифровыми ТТЛ-ИМС. БИС содержит ЦАП 1, регистр последовательного приближения 2, входной регистр на три состояния3, тактовый генератор 4, источник опорного напряжения5, компаратор 6, ОУ 7. Данная БИС предусматривает работу в 10- и 8-разрядных

377
режимах с внутренним и внешним источниками опорного -на пряжения.
К БИС АЦП без применения ЦАП относятся АЦП двойного интегрирования и параллельного действия, например КР572ПВ2,
К1107ПВ1, К1107ПВ2 и др.
Отметим, что при обработке аналоговых сигналов, изменяющихся с частотой, соизмеримой или большей, чем скорость работы АЦП, из аналогового сигнала необходимо делать выборки, для чего применяют ИМС выборки и хранения аналогового сигнала, например КР1100СК2.
|
|
|
К1108П71 |
|
|
|
|
24 |
23 |
22 |
19 |
0,47 |
|
|
|
|
|
|
20 |
1к |
|
|
|
5 |
|
|
|
|
|
|
|
|
18 |
|
|
|
|
4 |
|
|
|
|
|
|
6 |
|
R |
17 |
1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
2 |
|
|
|
|
|
|
3 |
|
|
|
|
|
|
4 |
|
|
|
|
|
|
5 |
3 |
|
2 |
1 |
Rэт |
|
6 |
|
|
||||
7 |
|
|
|
|
|
|
8 |
|
|
|
|
|
|
9 |
|
|
|
|
10 |
|
|
|
|
11 |
|
|
7 |
|
12 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
21 |
13 |
14 |
15 |
16 |
|
1,0 |
|
1,0 |
0,1 |
|
1,0 |
|
|
|
Рис. 7.9. Функциональная схема БИС АЦП типа К1108ПВ1
378
8. ЦИФРОВЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ
8.1. Общие сведения
Цифровая техника применяется для обработки цифровой - ин
формации очень давно. Цифровые системы были использованы
в первых вычислительных машинах (40-е годы), построенных на
электромагнитных реле и электронных лампах. Появление по-
лупроводниковых приборов, а в дальнейшем и интегральных
микросхем дало новый толчок развитию цифровой техники. Ин-
тегральные микросхемы стали основной технической базой со-
временных электронных вычислительных машин. Непрерывное
повышение степени интеграции микросхем позволяет создавать
на одном кристалле полупроводника цифровые системы, экви-
валентные вычислительным машинам четвертого поколения (на
больших и сверхбольших интегральных микросхемах).
Развитие микроэлектроники потребовало во многих случаях новых схемотехнических решений по сравнению со схемотехникой на дискретных транзисторах.
При разработке схемотехники интегральных микросхем следовало учитывать, что технологически в полупроводниковых ин-
379
тегральных микросхемах получать активные элементы(диоды, транзисторы) значительно проще, чем пассивные (резисторы, конденсаторы). Схемотехнические решения в микроэлектронике, используя основные решения дискретной электроники, позволили создавать аппаратуру, выполняющую весьма сложные функции.
Микроэлектроника, отличающаяся созданием сложных схем в микрообъемах твердого тела, породила ряд новых схемных решений, которые не были известны и не могли быть реализованы на дискретных компонентах.
Независимо от конструктивно-технологических особенностей и
схемотехнических решений все ИМС по виду обрабатываемой
информации делятся на цифровые и аналоговые.
Цифровые ИМС предназначены для преобразования и обработки сигналов, изменяющихся по закону дискретной функции. Цифровые ИМС используют элементы и структуры с двумя ус-
тойчивыми состояниями и применяются преимущественно в устройствах дискретной автоматики, вычислительной техники, а в последнее время в технике связи и других отраслях.
В основе цифровых схем лежат простейшие транзисторные
ключи - аналоги металлических контактов. Ключи характеризу-
ются двумя устойчивыми состояниями: разомкнутым и замкну-
тым. На базе простейших ключей строятся более сложные схе-
мы: логические, бистабильные, триггерные (спусковые) и др.
В цифровых интегральных микросхемах обычно используется двоичная система счисления, основанием которой является чис-
ло 2. При этом целое k - разрядное десятичное число A10 запи-
сывается в виде n-разрядного двоичного числа A2 :