Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Микроволновые приборы и устройства.-1

.pdf
Скачиваний:
7
Добавлен:
05.02.2023
Размер:
997.79 Кб
Скачать

Мощность тепловых потерь РТ СВЧ поля, напряженность которого Е, для нагрева воды, проводимость которой σ и объем Vв , определяется формулой

РТ = s

 

Е

 

2 dV

(5.24,в)

 

 

Vв

 

Величина Е 2 определяется мощностью, вводимой в камеру (5.32), имеющую объ-

ем V= а´b´h=20дм3

 

 

 

Е

 

2

=

16 × Рк

 

, где в общем случае n·к -одновременное количе-

 

 

 

 

 

 

n × e × f ×

 

 

 

 

 

 

V

 

 

 

 

 

ство колебаний на одной частоте: в каждом частном случае, когда n=1, к=2 (Еmn-, Hmn-колебания при комплекте индексов m, n).

Подставим

 

Е

 

2 в формулу Рт и определим мощность потерь

 

 

 

 

 

Р

т

= w× e × tgd × V × Е2 = 2pf × e × tgd

16 × Pк × Vдв

=

2ptgd ×16 × Vдв

P

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

дв

 

 

 

n × e × f × V

n × V

к

 

 

 

 

 

 

6,28 × 0,157 ×1×10-3

 

 

 

 

откуда Р

т =

×16 ×800

= 374,7Вт

 

 

 

 

2 × 20 ×10-3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Определим время разогрева (5.24,б)

 

 

 

 

 

 

374,7 × dt = 4,186 × m × g × DT

 

 

 

 

 

 

 

dt =

4,186 × m × g × DT

=

4,186 ×103

×1× 60

= 670,296c

 

 

 

374,7

374,7

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

= 670,3 =

t 11,17мин 60

Задача № 3. (Определение числа колебаний в камере СВЧ печи)

Определите количество типов колебаний и их первые индексы (m,n), которые могут возбуждаться в резонаторе СВЧ печи марки Samsung – 0M75S(31), размеры которой а´b´h = 306´201´322мм. Рабочая частота камеры f = 2,45ГГц.

Решение

Определим объем камеры V= а´b´h = 20дм3. Количество типов колебаний в камере согласно (5.30) равно

 

4

f

3

4

 

2,45 ×10

9

 

3

−3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

N =

 

p

 

 

× V =

 

p

 

 

 

 

× 20 ×10

 

» 45

3

 

3

3 ×10

8

 

 

 

c

 

 

 

 

 

 

 

 

Согласно рис. 5.3 определяем индексы m,n и записываем возможные типы волн

H01 H02

H03

H10

H20 H30 H40

H50

H11 E11

H21 E21

H31 E31

H41 E41

 

H12 E12

H22 E22

H32 E32

H42 E42

 

H13 E13

H23 E23

H33 E33

H43 E43

 

81

Таких типов 32 по индексам m,n. Очевидно, остальные типы колебаний будут с вариациями индексов m, р или n,p при нулевых индексах n или m.

Задача №4. (Определение величины мощности за дверцей печи)

Окно в дверце камеры СВЧ печи прямоугольной формы 200´120мм2 покрыто перфорированной металлической сеткой, толщиной 0,3мм. Диаметр отверстий d = 4мм. Рабочая частота камеры f = 2450МГц. Определите величину ослабления мощности излучения вблизи этого экрана. Мощность в камере 600Вт.

Решение

Для нахождения ослабления мощности излучения воспользуемся номограммой [2].

Определим длину волны l =

с

=

 

3 ×1010

= 12,245см

 

 

2,45 ×109

 

 

 

 

 

 

f

 

 

 

 

 

Находим отношение

d

=

 

4 ×10−3

 

= 0,0327 и отношение

d

=

4

= 2

l

12,245 ×10

−2

 

 

 

 

 

 

 

 

t 2

 

По номограмме отношение ( dр ) мощности вне камеры (Рвнеш) к мощности (Рвнут)

внутри не определяется при полученных величинах,

d

и

d

. Поэтому определяем

l

 

по формуле

 

 

 

 

 

 

 

 

 

t

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

δ р =

 

 

1

 

 

 

=

 

1

 

= 0,00085

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

λ

 

 

2

 

1

2

 

 

 

 

 

1 +

 

 

 

 

 

1 +

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2d × ln(tπ

d )

 

0,065 × ln(0,5π )

 

 

 

 

 

aдб

= 10 lg

1

= 30,7дб

 

 

 

 

 

 

 

dр

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Мощность ослабляется сеткой в 1170 раз или на 30,7 дБ . Площадь окна Sок=20´12=240см2. При допущении, что КПД камеры составляет 70%, тогда около 30% мощности не тратится в продуктах. Это потери на стенках камеры, примерно 10%, допустим, что около 12% мощности приходится на потери в окне, это 72Вт, остальная мощность – отражается во вводе энергии в камеру. На 1см2 поверхности окна приходится плотность мощности

Рвнут =

Р

=

72

= 0,3

Вт

Sок

 

см2

 

240

 

Рвнеш = Рвнут × d = 0,3 × 0,00085 = 0,000255 = 0,255 мВт см2

Величина Рвнеш меньше предельной нормы

Задача №5. (Определение концентрации в долинах диода Ганна)

82

Определить соотношение концентрации электронов в долинах диода Ганна, если известна эффективная масса электронов в боковой долине, равная mэфф2 = 1,2 mо, и в центральной долине- mэфф1 = 0,07 mо, интервал между минимумами энергии в долинах равен E = 0.36 , при температуре T=300 K.

Решение:

Соотношение концентрации электронов в долинах диода Ганна определяется по

формуле:

 

 

 

n2

= (

N2

) exp(- DE1 ) ,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

n1

 

N1

 

 

 

kT

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1,2 × 9,1×10−31

 

 

 

 

Найдём соотношение

N 2

 

, по формуле:

N

2

= (

mэфф2

)

3 / 2

,

N 2

= (

)

3 / 2

= 70

,

N1

 

N1

mэфф1

 

N1

0,07 × 9,1×10−31

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

тогда соотношение концентрации электронов в долинах диода Ганна равно

 

 

 

n2

= 70 exp(-

 

 

 

0,36

 

 

 

) = 3,902 ×10

−5

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

n1

 

×10−23 × 300

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1,38

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1,6 ×10−19

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Ответ:

n2

= 3,902 ×10−5 .

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

n1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Задача №6. (Определение мощности ГДГ)

Определить максимальную выходную мощность, обеспечиваемую генератором на диоде Ганна на основе GaAs, если он включен в камеру с активной проводимостью нагрузки 0,01 1/Ом и работает в пролетном режиме на рабочей частоте 10 ГГц. Длина образца диода 8 мкм, рабочее напряжение 8,4 В. При изменении напряжения на диоде от 4 В до 8,4 В величина тока падала с 400 мА до 350 мА

Решение.

Определим напряженность поля на образце диода и скорость при этой напряжен-

ности поля: Е=U/l= 8,4/8·10-6 = 1,05 106 В/м = 1,05·104 В/см.

Согласно теории при напряженности 3,5·103 В/см достигается величина пороговой скорости 2 107 см/c/ . С этой скоростью носители дрейфуют в образце.

Величина пролетной частоты (5.18) будет равна

Fпр=Vн/l=2 107/8·10-4=0,25·1011=25·109 Гц.

Дифференциальное сопротивление диода определяется следующим образом

Rдиф=(U1-U2)/(I1-I2)= (4-8)/(400-350)·10-3=4/50·10-3= 0,08·10-3 Ом.

Величина порогового напряжения определяется

Uпорпор·l= 3,5·103 ·8·10-4=2,8 B.

Откуда амплитуда переменного напряжения составляет

U1=U0-Uпор=8,4-2,8 =5,6 В.

Мощность в нагрузке (проводимость контура дана) равна

Рмах= 0,5Gдо (Uпор) 2 = 0,5Gн(1-2│1-f/fпр│) (Uпор) 2 = =0,5·0,01··(1-2·│10/25│·(Uпор) 2= 7,84 мВт

Ответ: максимальная мощность в нагрузке ГДГ равна 7,84 мВт.

83

Rэ = 0.5·U2m
Pвых = 0.5·U2m / Rэ,

Задача №7. (Определить эквивалентного сопротивления нагрузки ГЛПД)

Определить эквивалентное сопротивление нагрузки, если выходная мощность ЛПД составляет 2 ВТ, а постоянная составляющая тока I0=0.6A.

Решение:

или в другом виде Pвых = 2·Um·I0 / π.

Из первого выражения / Pвых , а из второго соотношения находим величину переменного напряжения на контуре

Um = Pвых·π / 2 · I0.

Подставляем исходные величины

Um = 2·3,14 / 2·0,6= 5,23,В

Rэ = 0,5·5,232 /2 =6,85 Ом

Ответ: Эквивалентное сопротивление нагрузки Rэ = 6,85 Ом

Задача №8. (Частота ГДГ в пролетном режиме)

В генераторном режиме работы диода Ганна, домен возникает при постоянном напряжении большем порогового напряжения U0 > Uпор. Найти частоту генерации в пролетном режиме, если известны величины: пороговое напряжение 0,21В; скорость носителей в пороговом режиме 6·10 3м/с, скорость насыщения

5·10 3м/с.

Решение:

fпр = υнас / l, где l - длина образца, находится из соотношения

Uпор = Епор· l.

Для приборов на материале GaAs величина Епор=3,5·103 В/см.

Тогда l = Uпор / Епор, , l = 6*10 -5 см. а частота генерации в заданном режиме

fпр =5·103/ 6·10 -5 =0,83·10 8Гц

Ответ: fпр =83 МГц

Задача №9 (Определение постоянной времени релаксации в ГДГ) Определить постоянную времени релаксации объёмного заряда и определить

существование домена в диоде Ганна на основе GaA n-типа при L=1мк , скоро-

сти домена vд = 107 смс и исходной концентрации n0 = 2 ×1015 см−3 , εr = 12.5 , диффе-

ренциальная подвижность μd = 0.1м2 В .

Решение:

84

Постоянная времени релаксации объёмного заряда определяется [2] в виде

 

 

ε rε0

 

τd =

 

12.5×5.85×10−12

τ d

=

 

 

, вычисляем

 

 

 

 

=35мс..

 

 

 

−19

15

−4

e × n0

× μd

 

 

 

 

1.6×10

×2×10

×0.1×10

 

Условие существования домена определяется критерием Крамера [2]:

 

ε

ε

 

× v

 

 

1015 ×10−4 ³

12.5 ×8.85 ×10

−10

 

2 ×1011 6.9 ×106 .

n × L ³

 

r

 

0

д ,

2

×

 

 

или

 

 

 

 

1.6 ×10−19 0.1×104

0

 

e × μd

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Так как n0 × L = 2 ×1011 см2 ,

то домен в образце на основе GaAs возникает. Время

релаксации td

= 6,9 ×106 / 2 ×1015

= 3,45 ×10−9 с.

 

 

 

Ответ: td = 3,45 ×10−9 с.

Задания №10. (Определение сопротивления потерь диода для генератора)

В диоде Ганна скорость домена в пролетном режиме 2·106 м/с, время пролета в образце 5·10-10 с, площадь сечения образца прибора 23·10-4 см2, общее число электронов 2·1015см-3, подвижность электронов в слабом поле составляет μ1 = 6000см2 / Вс .Найти сопротивление потерь образца в слабом поле.

Решение:

Сопротивление потерь образца в слабом поле R0 =

 

l

 

, где

 

 

 

 

 

 

e × n × μ1 × S

l - длина образца, езаряд электрона е=1.6×10−19 Кл.

 

 

Найдем длину образца по формуле l = T ×v = 5 ×10−10

× 2 ×106

= 10мкм , гдеТ0 – время

0

д

 

 

 

 

пролета. Теперь найдем сопротивление образца в слабом поле:

 

 

l

 

 

 

 

 

10 ×10−4

 

 

 

10 ×10−4

R0

=

 

 

==

 

 

 

 

 

 

=

 

= 0.226Ом

e × n × μ

× S

 

×10

−19

×6000 × 23×10

−4

15

0.004416

 

 

1.6

 

 

× 2 ×10

 

 

 

 

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

6. МЕТОДИКА ТЕКУЩЕГО КОНТРОЛЯ ОСВОЕНИЯ ДИСЦИПЛИНЫ

Осуществляется в соответствии с Положением о порядке использования рейтинговой системы для оценки успеваемости студентов (приказ ректора

25.02.2010 № 1902) и основана на бально - рейтинговой системы оценки успеваемости, действующей с 2009 г., которая включает текущий контроль выполнения элементов дисциплины по элементам контроля с подведением текущего рейтинга (раздел 6) и итоговый контроль.

Правила формирования пятибалльных оценок за каждую контрольную точку (КТ1, КТ2) осуществляется путем округления величины, рассчитанной по формуле:

 

 

 

(Сумма _ баллов, _ набранная _ к _ КТx) * 5

KTx

 

x =1,2 =

 

.

 

Требуемая _ сумма _ баллов _ по _ балльной _ раскладке

 

85

Итоговый контроль освоения дисциплины осуществляется на экзамене по традиционной пятибалльной шкале. Обязательным условием перед сдачей экзамена является выполнение студентом необходимых по рабочей программе для дисциплины видов занятий: выполнение и защита результатов лабораторных работ, сдача контрольных работ.

Формирование итоговой суммы баллов осуществляется путем сумми-

рования семестровой (до 70 баллов) и экзаменационной составляющих (до 30 баллов).

ПРИМЕНЕНИЕ БАЛЬНО-РЕЙТИНГОВОЙ СИСТЕМЫ

Распределение баллов по элементам контроля

 

Элементы учебной деятель-

 

Кол-во

 

Длитель-

 

Кол - во

 

Срок конт-

Кол - во

 

 

ности

 

элементов

 

ность эле-

 

баллов за 1

роля, (неде-

баллов

 

 

 

 

 

 

мента, час.

элемент

 

ля с начала

(всего)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

контроля

 

семестра)

 

 

 

Посещение занятий

18

 

 

2

 

0,25

 

1-18

 

4,5

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Выполнение контрольных

2

 

 

 

 

 

5

 

7, 14

 

10

 

 

работ (дом.)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Выполнение лабораторных

4

 

 

4

 

8

 

11 -18

 

32

 

 

работ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Выполнение индивидуаль-

2

 

 

 

 

 

10

 

7, 17

 

20

 

 

ных и расчетных заданий

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Компонент своевременности

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1-17

 

3.5

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Сдача экзамена(максимум)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

30

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Итого

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

100

 

 

Таблица распределения баллов в течение семестра

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Максимальный

 

Максимальный

Максимальный

 

 

 

 

Элементы учебной деятельно-

 

балл на 1-ую

 

балл за период

 

Всего за

 

 

 

контрольную

 

балл за период

между 2КТ и

 

 

 

сти

 

 

между 1КТ и

 

семестр

 

 

 

точку с начала

 

на конец семе-

 

 

 

 

 

 

 

2КТ

 

 

 

 

 

 

семестра

 

 

 

стра

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Посещение занятий

 

1,5

 

 

 

 

1,5

!,5

 

4,5

 

 

Контрольные работы

 

5

 

 

 

 

5

-

 

10

 

 

Выполнение лабораторных

 

-

 

 

 

 

16

16

 

32

 

 

работ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Выполнение индивидуальных

 

10

 

 

 

 

 

 

10

 

20

 

 

заданий

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Компонент своевременности

 

1

 

 

 

 

1

1,5

 

3,5

 

 

Итого максимум за период:

 

17,5

 

 

 

23,5

29

 

70

 

 

Сдача экзамена (максимум)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

30

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Нарастающим итогом

 

17,5

 

 

 

41

70

 

100

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

86

7.График работ по темам индивидуальных и расчетных заданий

 

Темы

Готовность

Дата сдачи

индивидуальных и расчетных заданий:

 

 

1.

Общие вопросы микроволновых прибо-

Каждому студ.

6-я неделя

 

ров - контрольная дом, работа

 

 

 

 

 

 

2.

Клистроны (генераторы, умножители

выдается

8-я неделя

 

частоты, усилители)

 

 

3.

ЛБВ типа О и ЛОВ типа О

номер задания,

11-я неделя

 

 

который опреде-

 

 

 

ляет

 

4.

Магнетроны, приборы типа М

вопрос и задачу

14-я неделя

 

 

по соответст-

 

 

 

вующей теме

 

5.

Полупроводниковые СВЧ приборы

для домашней

16-я неделя

И применение СВЧ энергии

разработки

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Темы контрольных работ:

 

Накануне

 

 

 

контрольной

 

 

 

недели

1. Общие вопросы микроволновых приборов

 

6-я неделя

 

 

 

2. Резонансные и не резонансные приборы

 

11-я неделя

типа О

 

 

Примечание

По желанию студента (выбирает микроволновый прибор сам) выполнение 3-х домашних индивидуальных заданий может быть заменено разработкой одной сквозной расчетной работой, касающейся разработки электродинамической системы, рассмотрением вопросов электроники прибора (получение самостоятельно задаваемых выходных параметров) и формулировки требований к электронной оптической системе этого прибора. Студент сам составляет график работ по выбранной теме, согласовывает с преподавателем сроки готовности различных этапов работы и сроки контроля, но они должны быть приближены к срокам сдачи домашних индивидуальных заданий.

87

8.Экзаменационные вопросы

1.Роль углов пролета МВП при получении выходных параметров.

2.Основные уравнения в теории МВП и У , необходимые и достаточные условия при их решении. (Примеры)

3.Физика процессов работы МВП, положенная в анализ пространственно – временных диаграмм (ПВД). (Примеры).

4.Управление электронными потоками: цель, причины и следствия и требования к конструкциям приборов. (Примеры)

5.Токи в МВ приборах, используемые при анализе их работы.

6.Принципы работы прибора (любого, одного) и вытекающие требования к его конструкции.

7.Роль скоростей электронов в процессе работы любого МВП при получении выходных параметров. (Примеры)

8.Основные выходные параметры и характеристики генераторных и усилительных МВП.

9.Способы управления выходными параметрами МВП. (Примеры)

10.Физические основы при рассмотрении электронной перестройки частоты. (Примеры)

11.Роль колебательной системы в получении максимальных выходных параметров МВП. (Примеры)

12.Требования к электронным потокам в разных МВП (рассматривать любые три прибора)

13.Физика влияния внешних нагрузок на выходные параметры приборов. 14.Способы изменения частоты в приборах и физические процессы

происходящие при этом. (Примеры)

15.Уравнение наведенного тока, его роль в работе МВП и влияние на конструкцию прибора.

16.Процессы и способы передачи энергии электронными потоками в приборах. (Примеры)

17.Электродинамические системы не резонансных МВП и их характеристики, учитываемые в выходных параметрах.

18.Основные параметры и характеристики электродинамических систем, работающих с пространственными гармониками.

19. Как можно управлять выходными параметрами прибора с помощью электронных потоков. (Примеры)

20.Требования, предъявляемые к элементам конструкции МВП различного назначения параметрами электронных потоков.

21.Основные параметры и характеристики конкретного одного МВ прибора с пояснениями особенностей(указывается тип: отражательный клистрон , пролетный клистрон для различных режимов работы, ЛБВО, ЛОВО и др.) .

22.Получение из основных уравнений электроники математических соотношении для вычисления выходной мощности - Рвых, коэффициента усиления -Ку, электронного КПД - ηe , электронной проводимости Уэл и др.

88

параметров в разных МВП.

23.Физические принципы, лежащие в основе работы генераторов и усилителей СВЧ диапазона.

24.Основные выходные характеристики МВП и возможность управления ими (Пример).

25.Режимы работы МВП и особенности их выходных характеристик. 26.Основные отличия приборов типа -О и М-типов на каких выходных

параметрах они сказываются.

27.Особенности физики работы приборов с катодами в пространстве взаимодействия.

28.Схемы для исследования основных параметров или характеристик МВП (принципы действия их, прибор задается).

29.Особенности конструкций СВЧ приборов, взятой из доп. литературы

[4,5,6,11,12,13,14] 30.Объяснить понятия: зона генерации, зона усиления, зона возбуждения,

рабочая зона.

31.Отображение физики работы прибора в поведении любой характеристики. 32.Приборы с положительным сопротивлением и схемы устройств с их

применением.

33.Приборы с отрицательным сопротивлением и особенности конструкций генераторов, их использующих.

34.Основные нагрузочные характеристики МВП и какие сведения можно получить, руководствуясь ими.

35.Основные конструктивные узлы любого МВП. Сформулируйте требования, предъявляемые к ним при разработке прибора.

36.Коэффициент шума и способы его уменьшения в микроволновых усилительных приборах.

37.Широкополосность микроволновых приборов, чем она может обеспечиваться. (Примеры).

38.Принцип действия генераторов с отрицательным сопротивлением (Примеры).

39.Микроволновые устройства на управляющих диодах, основные параметры и характеристики, определяющие их работу.

40.Микроволновые устройства на детекторных и смесительных диодах, основные параметры и характеристики, определяющие их работу.

9. Учебно-методические материалы по дисциплине

Основная литература

1.Соколова Ж.М. Микроволновые приборы и устройства.- Томск: Изд.-во ТМЦДО ТУСУР, 2009.-276с.

89

2. Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника: Учебное пособие для вузов. / Ю.Л.Бобровский, С.А.Корнилов, И.А. Кратилов и др.; Под ред. Федорова Н.Д. - М: «Радио и связь», 2002.-560с.

. Дополнительная литература

3.Кущ Г.Г. , Соколова Ж.М., Шангина Л.И. Оптоэлектронные и СВЧ приборы и устройства. - Томск: Изд.-во ТУСУР, 2003.-452с.

4.Лебедев И.В. Техника и приборы СВЧ, т.т. Ι, II . Учебник для вузов по специальности «Электронные приборы», - М.: «Высшая школа». 1972-376с.

5.Кацман Ю.А. Приборы СВЧ. Теория , основы расчета и проектирования электронных приборов : Учебник для Вузов по спец. «Электронные приборы» - М.: Высшая школа, 1983-383с.

6.Электронные приборы СВЧ: Учебное пособие для вузов, спец. «Электронные приборы» /Березин В.М.; Буряк В.С.; Гутцайт Э.М.; Марин В.П..-М.: Высшая школа. 1985-296с

7..Кукарин С.В. Электронные СВЧ приборы.- М.: Радио и связь; 1981-172с.

8.Голант М.Е.; Бобровский Ю.Л. Минитроны. - М.: Радио и связь, 1983 -

149с.

9.Электронные приборы СВЧ. Учеб. пособие для радиофизических и радиотехнических факультетов и специальностей вузов/ Под ред. В.Н. Шевчика, М.А. Григорьева. Изд-во Саратовского ун-та, 1980. 416с.

10.Руководство к лабораторным работам по дисциплине «Приборы СВЧ»/ Под редакцией Соколовой Ж.М. каф. СВЧиКР, Ротапринт ТУСУРа, 2002г.

11.Итоги науки и техники, серия Электроника, т.17. М: ВИНИТИ, 1985-361с

12.Молоковский С.И., Сушков А.Д. Электронно – оптические системы при-

боров СВЧ. – М. - Л. : изд. «Энергия», 1965.232с.

13.Электронные сверхвысокочастотные приборы со скрещенными полями./ Перевод с англ. под общей редакцией М.М.Федорова т.1,т.2.-М. изд. «Иностранная литература», 1961.-553с.,

14.Стальмахов В.С. Основы электроники СВЧ приборов со скрещенными полями. – М.: «Сов. Радио», 1963. -365с.

15.Григорьев А.Д. Электродинамика и техника СВЧ. Учеб. для вузов по спец. «Электронные приборы» - М.: Высшая школа, 1990.- 335с.

16.Силин Р.А., Сазонов В.П. Замедляющие системы. – М.: «Сов. Радио»,

1966.- 421с.

17. Тараненко З.И., Трохименко Я.К. Замедляющие системы. – Киев: 1965.-

357с.

18.Лебедев И.В. Усилители и генераторы СВЧ диапазона. - М.: «Высшая школа». 2005.- 276с.

19. Микроволновые устройства телекоммуникационных систем/ М.З. Згуровский, М.Е.Ильченко, С.М.Кравчук, т.2. Устройства приемного и передающего трактов. Проектирование устройств и реализация систем/ К. «Полiтехнiка», 2003 –

616с.

90