Технология кремниевой наноэлектроники.-1

51

6 ТЕМЫ ДОКЛАДОВ ДЛЯ САМОСТОЯТЕЛЬНОЙ РАБОТЫ

1.Современное состояние технологии многоуровневой системы металлизации кремниевых ИС.

2.Инженерия затвора МОП-транзистора.

3.Инженерия канала МОП-транзистора.

4.Монокристаллические полупроводниковые слои на аморфных подложках.

5.Селективная гетероэпитаксия в технологии BICMOS.

6.Атомно-слоевое осаждение диэлектриков.

7.Перспективные методы нанолитографии.

8.Наноимпринтинг. Современные проблемы формирования трехмерных

СБИС.

9.Конструкционно-технологический базис для создания МОП-

транзисторов с субмикронными размерами.

10.Физическая структура МОП-транзисторов (МОПТ).

11.Формирование SiGe наноструктур методом ионной имплантации.

12.Технологический маршрут изготовления BiFET структур.

13.Применение ионной имплантации для решения проблем КМОП-

СБИС.

14.Проблемы металлизации СБИС с n и p каналами.

15.Новые типы транзисторов для СБИС с улучшенными характеристиками.

16.Формирование межэлементных соединений и межуровневой

разводки.

17.Применение ионной имплантации в микро- и нанотехнологиях.

18.Управление пороговым напряжением в МОП-транзисторах с помощью ионной имплантации.

52

7 ЭКЗАМЕН

Вариант 1

1.Рассмотреть возможность уменьшения глубины залегания p-n перехода за счет аморфизации приповерхностных слоев кремния.

2.Сравнение электронной и ионной литографии.

Вариант 2

1.Объяснить появление эффекта близости. Исследовать влияние толщины резиста на получение малых экспонируемых областей при их близком взаимном расположении.

2.Оценить глубину залегания p-n перехода при легировании моноионами бора и кластерными ионами.

Вариант 3

1.Применение ионного легирования для самосовмещения затвора с областями стока-истока в МДП-транзисторах.

2.Формирование подзатворных диэлектриков в технологии наноразмерных КМОП-интегральных схем.

Вариант 4

1.Субмикронная фотолитография.

2.Формирование силицидных пленок с помощью ионной имплантации.

Вариант 5

1.Технология электронно-лучевой литографии. Время экспонирования.

2.Транзисторы с каналом на основе напряженного кремния и SiGe.

53

Вариант 6

1.Рассмотреть возможность управления профилем распределения примеси и глубиной залегания xp-n при ионном легировании.

2.Технология анизотропного травления для формирования «тренчей».

Вариант 7 1. Рассмотреть боковое рассеяние ионов и его влияние на распределение

примеси при ионной имплантации через окно заданного размера.

Сформулировать условие, когда боковое рассеяние следует учитывать.

2. Оценить требуемую анизотропию травления пленки для реактивного ионно-лучевого травления с точностью 20 % при bм=1 мкм.

Вариант 8

1.Рассмотреть возможность формирования структуры с однородным распределением примеси для элементов памяти на основе аморфного кремния.

2.Анизотропия и селективность травления при ионно-лучевом травлении глубоких профилей.

Вариант 9

1.Атомно-слоевое осаждение пленок.

2.Проблемы межуровневой изоляции в технологии СБИС.

Вариант 10

1.Рассмотреть формирование LDD областей в технологии МОП СБИС и предусмотреть одновременное самосовмещение областей истока - стока с затвором.

2.Объяснить влияние энергии электронов на разрешающую способность

ЭЛЛ.

54

Вариант 11

1.Объяснить влияние толщины резиста на разрешающую способность ЭЛЛ и ионно-лучевой литографии.

2.Плазмохимическое травление (ПХТ). Достоинства и недостатки по сравнению с ионно-лучевым травлением.

Вариант 12

1.Как следует выбирать параметры установки ЭЛЛ (I0, U0) для обеспечения высокой разрешающей способности.

2.Рассмотреть возможность применения ионной имплантации для формирования каналов МОП-транзисторов с ретроградным распределением примеси.

Вариант 13 1. Обосновать выбор параметров ионной имплантации для формирования

областей истока-стока с концентрацией более 1020 см-3 и глубиной xp-n менее 10

нм.

2. Как следует выбирать ток пучка электронов I0 при ЭЛЛ?

Вариант 14

1.Сравнить методы экспонирования резиста (проекционная ФЛ и электронно-лучевая литография) и рекомендовать наиболее подходящий метод для получения размеров менее 65 нм с учетом технико-экономических соображений.

2.Обосновать выбор параметров ионной имплантации в SIMOX-

технологии для получения заданной толщины отсеченного слоя Si и SiO2.

55

Вариант 15 1. Представить технологию изготовления биполярного транзистора с

помощью ионной имплантации для формирования базы и эмиттера. Коллектор

- эпитаксиальный слой. Представить распределение примеси для n-p-n

транзистора.

2. На какую глубину dП можно протравить подложку через маску толщиной dм при ионном травлении.

57

13.Галперин, В.А., Данилкин, Е.В., Мочалов, А.И. Процессы плазменного травления в микро- и нанотехнологиях / В.А. Галперин, Е.В. Данилкин, А.И. Мочалов. - М.: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2015. – 286 с.

14.Громов, Д.Г., Мочалов, А.И., Сулимин, А.Д., Шевяков, В.И. Металлизация ультрабольших интегральных схем / Д.Г. Громов, А.И. Мочалов, А.Д. Сулимин, В.И. Шевяков. - М.: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2009. – 277

с.

15.Технология СБИС. Т.2 / Под ред. С. Зи; пер. с англ. – М.: Мир, 1986.

–444 с.

16.Королев, М.А. Технология, конструкции и методы моделирования кремниевых интегральных микросхем: в 2 ч. / М.А.Королев, Т.Ю.Крупкина, М.А.Ревелева: под ред. Ю.А.Чаплыгина Ч.1: Технологические процессы изготовления кремниевых интегральных схем и их моделирование.-

М.:БИНОМ. Лаборатория знаний, 2009.- 397 с.

17. Королев, М.А. Технология, конструкции и методы моделирования кремниевых интегральных микросхем: в 2 ч./М.А.Королев, Т.Ю.Крупкина, М.Г.Путря, В.И.Шевяков: под ред. Ю.А.Чаплыгина Ч.2: Элементы и маршруты изготовления кремниевых ИС и методы их математического моделирования.-

М.:БИНОМ. Лаборатория знаний, 2009.- 422 с.

18.Асеев, А.Л. Перспективы применения структур «кремний на изоляторе» в микро- , наноэлектронике и микросистемной технике / А.Л. Асеев

идр.//Микросистемная техника. - 2002. - №9, С.25-29.

19.Лапшинов, Б.А. Технология литографических процессов / Б.А. Лапшинов. - Учебное пособие.- Московский гос.ун-т электроники и математики. - 2011. - 95 с.

20.Красников, Г.Я. Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов / Г.Я. Красников: М.:, Техносфера, 2011.-

800 с.

59

ПРИЛОЖЕНИЕ 2

ПЕРИОДИЧЕСКАЯ СИСТЕМА ЭЛЕМЕНТОВ

60