Rб2 = [2(Iko + Iбо)Rэ + Uбо] / Iдел.
Обратите внимание, при каком соотношении Rэ и входного сопротивления транзистора на переменном токе начинает изменяться глубина обратной связи.
13. Разбейте Rэ на два резистора, включенные в параллель, увеличив номинал каждого из них вдвое. Подключите между двумя Rэ сопротвление R (рис. 7.6) и оцените влияние его изменения (от 5 до 30 Ом) на коэффициент усиления по каждому плечу, а также на fв и fн.
R1 |
Rk1 |
Rk2 |
R3 |
|
Ср |
|
Вых 1 Вых 2 |
|
Е |
Вход |
|
|
|
|
|
Rэ1 |
R |
|
|
R2 |
Rэ2 |
R4 |
Сбл |
|
|
|
|
|
Рис. 7.6. Фазоинвесный каскад с эмиттерной связью и дополнительной обратной связью
14. Выберите одно из значений сопротивления R подключите параллельно сопротивлению конденсатор, емкость которого С выберите из условия
RэквСн = RC , где Rэкв = RkRн/(Rk + Rн).
Исследуйте влияние изменения емкости С на частотную характеристику каскада по каждому выходу.
Все схемы записывайте в файл на диск, результаты измерений фиксируйте в тетради. Сделайте выводы по результатам проделанной работы.
Содержание отчета
Цель проводимого исследования.
Методика проведения экспериментов и структурные схемы.
62