Физические основы оптоэлектроники.-2
.pdf
ПРИЛОЖЕНИЕ
СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ ПО ПОЛУПРОВОДНИКОВЫМ МАТЕРИАЛАМ
№ |
Парамет ры мат ериала |
Кремний |
Германий |
Арсенид |
|
|
|
галлия |
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
1. |
Ширина запрещенной зоны при |
1.12 |
0.66 |
1.4 |
|
|
Т=300 К, эВ |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
2. |
Число атомов в 1 см3 |
5 1022 |
4.4 1022 |
2.2 1022 |
|
|
|
|
|
|
|
3. |
Относительная диэлектрическая проницаемость |
11.7 |
16.0 |
12.5 |
|
|
|
|
|
|
|
4. |
Собственная концентрация носителей при Т=300 К, |
1.4 1010 |
2.4 1013 |
1.4 108 |
|
|
см-3 |
|
|
|
|
5. |
Подвижность электронов при Т=300 К, |
1450 |
3900 |
8000 |
|
|
см2/м с |
|
|
|
|
6. |
Подвижность дырок при Т=300 К, см2/м с |
480 |
1900 |
500 |
|
|
|
|
|
|
|
7. |
Время жизни электронов, с |
10-3 |
10-5 |
10-8 |
|
|
|
|
|
|
|
8. |
Время жизни дырок, с |
10-3 |
10-5 |
10-8 |
|
|
|
|
|
|
|
9. |
Эффективная масса электрона, m0 |
|
|
0.068 |
|
|
- тяжелых электронов |
0.97 |
1.58 |
|
|
|
- легких электронов |
0.19 |
0.082 |
|
|
10. |
Эффективная масса дырок, m0 |
|
|
|
|
|
- |
легких дырок |
0.16 |
0.04 |
0.12 |
|
- |
тяжелых дырок |
0.5 |
0.3 |
0.5 |
11. |
Время излучательной рекомбинации, с |
1.54 104 |
0.61 |
0.009 |
|
|
в собственном полупроводнике |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
12. |
Сродство к электрону, эВ |
4.05 |
4.0 |
4.07 |
|
|
|
|
|
|
|
13. |
Работа выхода, эВ |
4.8 |
4.4 |
4.7 |
|
|
|
|
|
|
|
111