Технология кремниевой наноэлектроники

еѐ отсутствие – нулю. В результате возникают погрешности в вычислениях. На языке специалистов этот эффект называется тепловым шумом Джонсона. Чем больше степень интеграции ИС и меньше количество электричества, которое используется для передачи единицы информации, тем мощнее шум. Пагубность этого явления заключается в том, что она может выражаться в случайных сбоях, зарегистрировать которые крайне сложно.

Преодоление вышеупомянутых проблем, а также проблем, рассмотренных в данном учебном пособии, является актуальной задачей для учѐных и специалистов, работающих в микроэлектронной промышленности и смежных к ней областях. Эффективное решение этих задач может привести к ситуации, когда производительность микропроцессоров перекроет потребности разработчиков программного обеспечения и прикладных применений и дальнейшее повышение быстродействия и сложности устройств окажется невостребованным, а следовательно, и экономически невыгодным.

261

Список рекомендуемой литературы

1.The International Technology Roadmap for Semiconductors, http://www.itrs.net/

2.Уайт В. Технология чистых помещений. – М.: Клинрум, 2002. –

304 с.

3.Проектирование чистых помещений: пер. с англ.; под ред. В. Уайта. Клинрум, 2004. – 360 с.

4.Handbook of Semiconductor Manufacturing Technology / Ed. Robert Doering, Yoshio Nishi. Second Edition: CRC Press, 2008.

5.Handbook of Semiconductor Interconnection Technology / Ed. Geraldine C. Schwartz, Kris V. Srikrishnan. Second Edition, CRC Press, 2006.

6.Plasma Processing of Semiconductors / Ed. P.F. Williams. – N.Y: Kluwer Academic Publishers, 1997.

7.Таруи Я. Основы технологии СБИС: пер. с яп.; под ред. В.Г. Ржанова. – М.: Радио и связь, 1985. – 479 с.

8.Красников Г. Я. Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов: в 2 кн. / Г.Я. Красников. – М.: Техносфера, 2002.

9.Мейер Дж. Ионное легирование полупроводников (кремний и германий): пер. с англ. / Дж. Мейер, Л. Эриксон, Дж. Дэвис. – М.: Мир,

1973. – 296 с.

10.Риссел Х. Ионная имплантация / Х. Риссел, И. Руге. – М.:

Наука, 1983. – 360 с.

11.Технология СБИС / Под ред. С. Зи. – М.: Мир, 1986. – Т. 1. – 404 с.; Т. 2. – 453 с.

12.Броудай И. Физические основы микротехнологии: пер. с англ. И. Броудай, Дж. Мерей. – М.: Мир, 1985. – 494 с.

13.Моделирование процессов внедрения и перераспределения примесей при ионной имплантации / В.В. Асессоров и др. – Воронеж: Воронежский гос. ун-т, 2004 г. – 202 с.

14.Арсенид галлия в микроэлектронике: пер с англ.; под ред. Н. Айнспрука, У. Уиссмена. – М.: Мир, 1988. – 555 с.

15.Моро У. Микролитография: Принципы, методы, материа-

лы. – Ч. 2. – М.: Мир, 1990.

16.Плазменная технология в производстве СБИС: пер. с англ.; под ред. Н. Айнспрука и Д. Брауна. – М.: Мир, 1987. – 469 с.

17.Данилина Т.И. Ионно-плазменные технологии в производстве СБИС / Т. И. Данилина, С. В. Смирнов. – Томск: Том. гос. ун-т систем управления и радиоэлектроники, 2000. – 140 с.

262

18.Мьюрарка Ш. Силициды для СБИС / Ш. Мьюрарка. – М.:

Мир, 1986. – 95 с.

19.Электронно-лучевая технология в изготовлении микроэлектронных приборов: пер. с англ.; под ред. Ф.П. Пресса / Под ред. Дж.Р. Брюэра. – М.: Радио и связь, 1984. – 336 с.

20.Rai-Choudry P. Handbook of Microlithography, Micromachining and Microfabrication, Vol. 1: Microlithography, SPIE, 1997.

21.http://iopscience.iop.org/0034-4885. Reports on Progress in Physics. 1985. Vol. 48. – P. 795–851.

22.http://www.cnf.cornell.edu/spiebook/toc.htm

23.Micro-Nanofabrication: Technologies and Applications. – Cui Zheng, 2005.

263

Учебное издание

Тамара Ивановна Данилина, Валерий Алексеевич Кагадей, Екатерина Валентиновна Анищенко

ТЕХНОЛОГИЯ КРЕМНИЕВОЙ НАНОЭЛЕКТРОНИКИ

Учебное пособие

Корректор – В.Г. Лихачева Верстка В.М. Бочкаревой

____________________________________________________________

Издательство «В-Спектр» Подписано к печати 25.03.2011. Формат 60×841/16. Печать трафаретная. Печ. л. 16,7. Тираж 100 экз. Заказ 18.

____________________________________________________________

Тираж отпечатан в издательстве «В-Спектр» ИНН/КПП 7017129340/701701001

634055, г. Томск, пр. Академический, 13-24. Тел. 49-09-91.

Е-mail: bvm@sibmail.com

264