Проектирование радиоэлектронных средств по критериям нелинейности
..pdfСписок сокращений и условных обозначений
БТ – биполярный транзистор БТИЗ – биполярные транзисторы с изолированным затвором
ВАХ – вольт-амперная характеристика ИМС – интермодуляционная составляющая ККМ – корректор коэффициента мощности ЛАС – линейная ассоциированная схема
МАЭ – многоэлектродные активные элементы МДП – металл-диэлектрик-полупроводник МНТ – метод нелинейных токов
НИ |
– нелинейные искажения |
НПФ – нелинейная передаточная функция |
|
НЭ |
– нелинейный элемент |
ОЗ |
– общий затвор |
ОИ |
– общий исток |
ООС |
– отрицательная обратная связь |
ОС |
– обратная связь |
ОСт |
– общий сток |
ОУ |
– операционный усилитель |
ПТ |
– полевой транзистор |
ПТШ – полевой транзистор с барьером Шоттки |
|
СИД – светоизлучающие диоды |
|
УЭ |
– управляющие электроды |
ФРВ |
– функциональный ряд Вольтерра |
ЭМС – электромагнитная совместимость |
|
ЭС |
– эквивалентная схема |
D2 |
– относительный уровень интермодуляционных |
|
составляющих второго порядка |
D3 |
– относительный уровень интермодуляционных |
|
составляющих третьего порядка |
I0 |
– постоянный ток в рабочей точке |
IC |
– ток стока полевого транзистора |
EГ |
– амплитуда ЭДС источника сигнала |
121
E |
– напряженность электрического поля |
fВ |
– верхняя частота полосы пропускания усилительного |
|
каскада |
fГ |
– частота встроенного генератора |
fгр |
– граничная частота полевого транзистора |
fН |
– нижняя частота полосы пропускания усилительного |
|
каскада |
gk(n) |
– частная проводимость n-го порядка по k-му |
|
управляющему электроду |
g1,2(l m)
Hn 1
KГ2 KГ3
KСЖ q
RГ
Rн
R
н
rС , rИ
Rn
T
UЗ
U П
U С
UС нас
– смешанная проводимость (l+m)-го порядка по первому и второму управляющим электродам
,..., n – нелинейная передаточная функция n-го порядка
–коэффициент гармоник второго порядка
–коэффициент гармоник третьего порядка
–коэффициент сжатия
–скважность импульсного сигнала
–сопротивление источника сигнала
–сопротивление нагрузки
–эквивалентное сопротивление нагрузки
–паразитные сопротивления неуправляемой части канала
в цепи стока и истока полевого транзистора
–остаточный член ряда
–период колебания
–напряжение затвор-исток полевого транзистора
–напряжение подложка-исток полевого транзистора
–напряжение сток-исток полевого транзистора
–напряжение насыщения на стоке
122
Uу |
|
– управляющее напряжение в электрически управляемых |
|
|
аттенюаторах |
U j 0 |
– напряжение смещения на j-м управляющем электроде |
|
um |
t |
– напряжение m -го порядка, приложенное к K-му |
K |
|
|
|
|
управляющему электроду |
U0 |
|
– напряжение отсечки (пороговое напряжение) полевого |
|
|
транзистора |
Vдр |
|
– дрейфовая скорость носителей |
γ, ψ1, ψ2 |
– коэффициенты аппроксимации |
|
0 |
|
– подвижность носителей в слабых полях |
T |
|
– контактная разность потенциалов |
ω– круговая частота несущего колебания
1 |
– глубина обратной связи |
1+ |
– глубина обратной связи по постоянному току |
123
Учебное издание
Туев Василий Иванович
ПРОЕКТИРОВАНИЕ РАДИОЭЛЕКТРОННЫХ СРЕДСТВ ПО КРИТЕРИЯМ НЕЛИНЕЙНОСТИ
Учебное пособие
Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники
634050, г. Томск, пр. Ленина, 40
124