Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Сборник задач по усилительным устройствам..pdf
Скачиваний:
80
Добавлен:
05.02.2023
Размер:
1.97 Mб
Скачать

Задача 7.38

Выберите сопротивление обратной связи Roc в схеме на рис. 7.9 таким образом, чтобы входное сопротивление транзистора первого каскада было в два раза больше, чем второго. Определите, каким при этом будет коэффициент усиления усилителя и его сквозной коэффициент усиления.

Задача 7.39

Определите и сравните спады плоской вершины прямоугольного импульса длительностью 50 мкс., создаваемые разделительными конденсаторами в схеме на рис. 7.9, если Roc = 1 кОм.

Задача 7.40

Определите искажения, создаваемые конденсаторами С5 и С6 в схеме на рис.7.9, если длительность прямоугольного импульса 50 мкс и

Roc = 1 кОм.

R1

R3

R6

R8

C4

 

 

 

 

C1

 

C2

 

 

Rc

 

 

 

 

R2

R4

R7

R9

Rн

 

R5

C3

R10

C5

Рис.7.10

Rc = 200 Ом, R1 = R6 =27 kОм , R2 = R7 =13 kОм, R3 = R5 =R8 = R10 = 1 kОм, R9 = 20 Ом, Rн = 2 kОм, С1 = С2 = С4 = 10 мкФ, С3 = С5 = 100 мкФ, g1 = g2 = g = 1мСм, H21 = 100

Задача 7.41

В схеме на рис. 7.10 обеспечьте входное сопротивление не менее 3 koм двумя способами:

88

а) используя местную обратную связь; б) используя общую обратную связь.

Сравните коэффициенты усиления в обоих случаях – в каком из них необходимое входное сопротивление достигнуто при большем усилении?

Задача 7.42

В схеме на рис. 7.10 обеспечьте коэффициент усиления, равный 200, двумя способами:

а) используя местную обратную связь в первом каскаде; б) используя общую обратную связь при R4 = R9 = 20 Ом.

Сравните сквозные коэффициенты усиления в обоих случаях – в каком случае сквозной коэффициент усиления больше и почему?

89

Глава восьмая

Исправление ошибок в схемах

Задачи к главе 8

Всхемах на рис. 8.1-8.24 найдите допущенные ошибки (ошибки включения и ошибки в номиналах элементов), объясните, к каким нарушениям нормальной работы могут привести эти ошибки, укажите пути их исправления.

Вследующих ниже схемах приняты обозначения:

-если рядом со значением сопротивления или емкости отсутствует буква, это означает омы (для сопротивлений) и пикофарады (для емкостей);

-буква «к» возле сопротивления обозначает килоомы;

-буква «М» возле сопротивления обозначает мегаомы;

-буква «н» для емкости обозначает нанофарады;

-запятая при описании емкости обозначает микрофарады;

-входная проводимость биполярных транзисторов порядка (0,5-1) мСм;

-коэффициент передачи тока базы порядка 100.

R1

R3

 

-12 В

 

 

100

C2

Вых1

 

 

Вх

 

1,0

 

 

С3

 

С1

 

Вых2

1,0

R4

1,0

 

R2

 

 

100

10

 

 

 

R5

C4

 

 

100,0

 

Рис.8.1

90

Вых

C4

R1

R3

R6

Вх

С1

R7

C3

R4

R2

Eпит

R5 C2

Рис. 8.2

E

R3

R4 C3

Вх

C1

R1

R2

C4 Вых

С2

Рис. 8.3

91

 

R2

-12 В

 

 

 

Вых

 

 

Вх

 

С2

 

100

С1

R3

 

100

 

R1

10к

C4

20к

R4

 

100,0

 

10

C3

 

 

270

Рис. 8.4

 

 

 

R3

R1

C1

R2

 

-9 В

R4

 

91

100к

 

 

 

С3

Вых

Вх

 

 

 

C2

 

1,0

Rн = 1 кОм

 

 

 

 

1,0

 

 

Ik = 1мА

Рис. 8.5

92

R1 R3

10 1к

Вх С1

1,0

R2

R4

C2

12

12

100,0

Рис. 8.6

R1

R3

R5

15к

750

750

Вх

С1

120

R2

R4

R6

8,2к

Ik1 = Ik2

E

Rн

E

Rн

300

C2

50,0

Рис. 8.7

93

+12 В

С1

R1

R3

 

 

 

100

7,2к

200

 

 

 

Вх

 

 

 

 

 

С2

R2

R4

 

 

 

10,0

 

 

C4

 

6,8к

 

 

 

 

 

 

 

10

 

 

R5

C3

R6

Rн

 

 

10

100,0

1k

100

Рис. 8.8

 

R2

12 В

R1

 

10к

 

75к

R3

C2

 

 

50,0

Вх

 

 

C1

 

Вых

10н

 

 

R4

C3

 

50,0

Рис. 8.9

94

 

 

12 В

 

R2

C2

 

50,0

R1

R3

 

75к

 

Вх

 

C3

 

10

С1 10

 

Rн

 

 

 

R4

C4

 

50,0

 

Рис. 8.10

 

 

 

9 В

 

R2

C2

 

1,0

 

R3

 

 

 

Вх

 

 

С1 15

 

Вых

R1

R4

C3

 

50,0

 

Рис. 8.11

 

 

95

 

 

 

 

E

 

 

R3

 

 

C2

 

 

R4

 

 

50,0

 

 

R1

200

C3

 

 

Вх

 

10,0

 

 

Rн

C1 10

R2

 

 

R5

C4

 

75

 

 

10

20,0

 

Рис. 8.12

 

 

 

 

R5

 

C1

 

E

R1

R3

 

1,0

 

10к

 

10к

 

Вх

С2 1,0

 

С3 1,0

R2

 

 

Rн

 

R4

5,1к

 

 

 

 

10к

 

Рис. 8.13

96

E

 

R2

С2 20,0

200

С4 20,0

Вх С1

20,0

R1

R3

Rн

100к

 

С5

 

 

50,0

 

R4

C3

 

10

1,5н

Рис. 8.14

E

 

 

R3

 

 

100к

R1

C1

R4

39к

20,0

C3 20,0

Вх

R2

R5

C4

Rн

20к

 

10

100,0

 

Рис. 8.15

97

E

R2

С2 20,0

С1 10,0

Вх

R1 R3

20к 1к

Rн

R4 C3

1к 100

Рис. 8.16

12 В

R1 R3

9,1к 1к

С2 Вых

100

Вх

С1 100

R2

R4

 

20к

10к

 

 

R5

C3

 

10

500,0

Рис. 8.17

98

 

 

 

R6

100

 

 

R2

 

12 В

 

 

 

 

 

 

 

 

R1

C2

R3

 

 

1,0

100

 

Вых

Вх

 

 

С3 100

 

 

 

С1

 

 

 

 

100

 

R4

 

 

 

 

 

 

Rн = 1к

 

10

 

 

 

R5

C4

 

 

 

 

 

 

100к

10н

 

 

Рис. 8.18

 

 

 

 

 

R5

С1

 

 

 

-9 В

 

 

 

 

1,0

 

R3

 

 

R1

 

 

 

20к

 

С3 10,0

Вых

Вх

 

 

 

 

 

 

 

С2 10

 

 

 

 

R2

 

R4

C4

 

8,2к

 

2

10,0

Рис. 8.19

99

 

 

 

-10 В

R1

R3

 

 

3,3к

100

 

 

Вх

С2

10

 

 

 

 

С1 10

 

 

Zн

R2

R4

C3

20 пФ

1,1к

1

500,0

 

Рис. 8.20

 

 

E

 

R3

 

 

 

 

R4

C2

R1

1,0

 

 

С3 100

Вх

 

 

Rн

С1 10,0

 

 

 

10 к

R2

R5

C4

2,2к

1,0

10,0

Iк = 1,5 мА

Рис. 8.21

100

+9 В

R3

R1

R4

C2

22к

200

 

Вх

С3

10,0

 

 

C1 10

 

Rн

R2

R5

5,1к

C4

 

200

5,0

Рис. 8.22

E

R1

R3

R5

R7

Вх

С1

С3

 

С4

 

 

 

Вых

R2

R4 C2

R6

R8

Рис. 8.23

101

 

 

 

 

R9

1,0

 

R1

R3

R5

R7

+9 В

 

 

 

7,2к

200

7,2к

200

 

Вх

С1

 

 

С4 100

1,0

 

 

 

Rн

 

R2

R4

R6

R8

 

100

 

8,2к

8,2к

 

Ik1 = Ik2 = 5мА

Рис.8.24

102

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]