Методы анализа и контроля наноструктурированных материалов и систем

Параметр

Обозначение

Si

Ge

GaAs

InSb

4H-SiC

GaN

Ширина

300 К

1,12

0,66

1,43

0,18

3,0

3,44

запрещенной

0 К

Eg

1,21

0,80

1,56

0,23

3,1

3,50

зоны, эВ

Подвижность

электронов

µn

1500

3900

8500

78000

650

8500

при 300 К,

дырок

µp

600

1900

400

1700

300

400

см2∙В-1∙с-1

Эффективная

электронов

m*dn

1,08

0,56

0,068

0,013

0,60

0,19

масса, m*/m0

дырок

m*dp

0,56

0,35

0,45

0,6

1,0

0,60

Эффективная

плотность

состояний в

Т = 300 К

NC

2,8∙1019

1,04∙1019

4,7∙1017

3,7∙1016

1,2∙1019

2,2∙1018

зоне

проводимости,

см-3

Эффективная

плотность

Т = 300 К

NV

1,02∙1019

6,11∙1017

7,0∙1018

1,16∙1019

2,5∙1019

1,2∙1019

состояний в

валентной

Параметр

Обозначение

Si

Ge

GaAs

InSb

4H-SiC

GaN

зоне, см-3

Диэлектрическая

ε

11,8

16,0

13,2

17,7

10,2

12,2

постоянная

Собственная

концентрация

Т = 300 К

ni

1,6∙1010

2,5∙1013

1,1∙107

2,0∙1016

1,1∙10-4

9,2∙10-10

носителей,

см-3

Время жизни носителей, с

τ

2,5∙10-3

1,0∙10-3

1∙10-8

1∙10-8

Показатель преломления

n

3,44

4,0

3,4

3,75

2,6

2,4

Температурный

α

2,4∙10-6

5,8∙10-6

5,8∙10-6

5,1∙10-6

4,0∙10-6

5,59∙10-6

коэффициент

Постоянная решетки, нм

a, b, c

5,43

5,65

5,65

6,48

0,308(а)

0,318(а)

1,511(с)

0,5166(с)

Температура плавления, оС

T

1415

936

1238

525

2830

2530