
литография / 1_3_Совмещаемость
.pdfМоделирование и анализ совмещаемости топологических слоев
Промышленное освоение выпуска микроэлектронных приборов с минимальными размера-
ми 65-130 нм сопровождается в настоящее время увеличением диаметров полупроводниковых пластин до 200-300 мм и размеров кристаллов до 20 –25 мм. Ужесточение наряду с этим тре-
бований к дефектности топологических слоев привело к созданию и внедрению в производст-
венную практику литографического оборудования различного типа.
Наряду с традиционными установками совмещения и экспонирования контактного широко применяются проекционные установки с помодульным экспонированием, электронно-лучевые системы, разрабатываются и исследуются установки для рентгенолитографии.
Однако повышение разрешающей способности и точности оборудования сопряжено с рез-
ким усложнением литографических систем, возрастанием их стоимости, в ряде случаев - со сни-
жением производительности. Поэтому в массовом производстве наиболее эффективным являет-
ся совместное использование в едином технологическом цикле установок различного типа. В
связи с этим особое, а зачастую решающее значение, приобретает совмещаемость топологиче-
ских слоев, формируемых различными методами.
По этой причине контроль совмещаемости топологических слоев можно отнести к числу важнейших технологических операций. Основная цель контроля совмещаемости - получить ин-
формацию о состоянии литографической системы по одному из важнейших показателей ее каче-
ства. Эта информация необходима для обоснования технологических допусков на топологии микросхем, при оптимизации технологических процессов, конструировании, экспериментальной обработке литографического оборудования и при поддержании его параметров на заданном уровне в период эксплуатации.
В современной микролитографии сформировался комплекс практических задач, требую-
щих широкого применения статистических методов контроля и анализа совмещаемости тополо-
гических слоев. К числу таких задач относится выборочный контроль совмещаемости на всех этапах микролитографии (включая изготовление фотошаблонов), оперативное выявление основ-
ных видов погрешностей для корректировки технологического процесса и оборудования, атте-
стация установок совмещения и экспонирования, прогнозирование совмещаемооти слоев и оценка на этой основе эффективности совместного использования различных литографических систем и ряд других.
Понятие математической модели погрешностей совмещения
Основная идея метода контроля совмещаемости топологических слоев состоит в раз-
ложении погрешностей совмещения (ПС) на отдельные составляющие, каждая из которых характеризует влияние того или иного фактора или их совокупностей. Основой для диффе-

ренцированной оценки отдельных составляющих являются математические модели по-
грешностей совмещения (ММПС), описывающие распределение погрешностей по полю
топологического слоя .
Вобщем случае ПС, измеренные в тестовых структурах вдоль ортогональных осей X
иY, могут включать внутри- и межмодульные погрешности (рис. 1). Несмотря на многооб-
разие ПС и их причин, можно выделить несколько однотипных для обоих уравнений со-
ставляющих (рис. 2).
Рис. 1. Уровни контроля погрешностей совмещения а – тестовая структура, б – размещение структур в модуле, в - пластина.
Следует подчеркнуть, что все составляющие, за исключением сдвига, зависят от ко-
ординат Xj, Уj и Хi,j, Уi,j тестовых структур относительно базовых точек модуля и подлож-
ки соответственно: j = 1,2,...,m; i = 1,2,...,n (рис. 1).
Совместное действие внутри- и межмодульных составляющих различного вида приводит к тому, что распределение ПС по полю топологического слоя индивидуально для каждой подложки.
Для описания распределения ПС и оценки отдельных составляющих проводятся вы-
борочные измерения рассовмещений в нескольких контрольных модулях. Возможны раз-
личные варианты организации измерений ПС.
При измерении рассовмещений в одной тестовой структуре каждого модуля предпо-
лагается, что измеренные ПС Хi , Уi примерно одинаковы для всего поля i -ro модуля. В
этом случае j= 1 и Xij = Xi , Уij=Уi . Возможно также проведение измерений в нескольких тестовых структурах в пределах каждого контрольного модуля. В этом случае ПС i-го мо-
дуля характеризуются несколькими значениями Хij и Уij,соответствующими коорди-
натам Xij, Уij (рис. 1).

Рис. 2 . Составляющие погрешностей совмещения
В первом варианте по результатам измерений можно оценить лишь распределение межмодульных рассовмещений по полю топологического слоя, во втором - совместно оце-
нить и описать распределение внутри- и межмодульных погрешностей.
Распределения ПС xi, yi, xij, yij соответственно модулей и тестовых структур можно описать ММПС в виде полиномов различных степеней, которые включают ряд со-
ставляющих, зависящих от координат Хj, Уj и Хij, Уij (рис.2). Кроме того, каждый полином содержит случайные составляющие, характеризующие случайные погрешности позицио-
нирования модулей и тестовых структур, а также случайные погрешности измерений.
Такие полиномы можно рассматривать как уравнения регрессии, в которых функции от координат являются независимыми переменными, а коэффициенты при них - неизвест-
ными параметрами. Основной задачей MМПC является численная оценка этих параметров,
характеризующих влияние различных групп факторов, по результатам измерений ПС.
Можно предположить, что случайные погрешности, возникающие как при формиро-
вании топологических слоев, так и при измерениях рассовмещений, распределены по нор-
мальному закону с нулевыми математическими ожиданиями и дисперсиями, не зависящи-
ми от координат тестовых структур. Это предположение позволяет находить неизвестные параметры любой ММПС иэ условия, чтобы сумма квадратов случайных погрешностей была минимальной, т.е. из основного условия метода наименьших квадратов (МНК).

Выбор ММПС в каждом конкретном случае определяется типом литографической системы, размерами модулей на подложке, требуемой точностью оценки отдельных пара-
метров. Особенности применения ММПС рассмотрим на примерах решения практических задач контроля и анализа совмещаемости при различных вариантах проведения микролито-
графии.
10. 2 Линейная ММПС для оценки межмодульных рассовмещений
При формировании топологических слоев с небольшими (2-5 мм) размерами модулей,
существенно меньшими диаметра пластины, целесообразно ограничиться учетом лишь тех факторов, которые определяют межмодульные рассовмещения xi, yi .В погрешностях xi,
yi можно выделить ряд составляющих. В их число входят общий для всех модулей сдвиг
x0 , y0 , угловые развороты Ах, Ау и искажения совмещаемых слоев, характеризуемые ко-
эффициентами Мх, My.
Невоспроизводимость шага стола фотоповторителя при мультипликации фотошабло-
нов ведет к случайным смещениям модулей относительно их номинальных положений. Со-
вместно с погрешностями измерений они составляют случайные погрешности δхi, δyi.
Суммируя рассмотренные погрешности i-го модуля получим, следующую ММПС:
(1)
(2)
Полагая, что случайные погрешности xi и yi удовлетворяют условиям, сформирован-
ным в предыдущем разделе, рассмотрим процедуру МНК применительно к рассматриваемой ММПС, приведенную в табл.1.
Минимизация сумм квадратов случайных погрешностей (квадратов отклонений) Qx и Qy,
записанных в табл. 1 уравнениями (3) и (4), дает систему нормальных уравнений (5)-(7).
Эта система и получаемые при ее решении формулы значительно упрощаются, если коор-
динаты Хi и Yi измерять в отклонениях от их средних значений, т.е. Xi Xi Xi , Yi Yi Yi .
Начало координат в этом случае переносится в точку Xi , Yi ; при этом обеспечивается условие
(3.8) симметричности расположения контрольных модулей.
Таблица 1
Процедура метода наименьших квадратов

СУММЫ КВАДРАТОВ ОТКЛОНЕНИЙ
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
n |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
QX ( Xi |
XO |
Ax Yi |
Mx Xi)2 |
min |
|
(3) |
|||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
i 1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
n |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
QY ( Yi |
YO |
AY |
Xi |
MY Yi)2 |
min |
|
(4) |
||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
i 1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
СИСТЕМА НОРМАЛЬНЫХ УРАВНЕНИЙ (НА ПРИМЕРЕ QX) |
|
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
QX |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
n |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
n |
|
|
|
|
n |
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
0, |
|
Xi |
n x0 Ах |
Yi Мх Xi |
|
(5) |
||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
x0 |
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
i 1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
i 1 |
|
|
i 1 |
|
|
|
|
|
||||||||
|
|
QX |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
n |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
n |
|
|
|
|
n |
|
|
|
|
|
n |
|
|
|||
|
|
|
0, |
|
xi Yi |
x0 Yi Ах Yi |
2 Мх Xi Yi |
|
(6) |
||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
АХ |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
i 1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
i 1 |
|
|
i 1 |
|
|
|
|
|
i 1 |
|
|
|||||
|
|
QX |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
n |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
n |
|
|
n |
|
|
|
|
|
|
|
n |
|
|
||
|
|
|
|
|
0, |
|
xi Xi x0 Xi Ах Xi Yi |
|
Мх Xi |
2 |
(7) |
||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MХ |
|
|
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
i 1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
i 1 |
|
|
i 1 |
|
|
|
|
|
|
|
i 1 |
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
УСЛОВИЯ ВЫБОРА КОНТРОЛЬНЫХ МОДУЛЕЙ |
|
|
||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
n |
|
|
|
|
n |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
X Xi |
|
|
|
|
|
|
СИММЕТРИЧНОСТЬ Xi |
Y 0 |
|
(8) |
||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
X |
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
i 1 |
|
|
|
i 1 |
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
n |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Y Yi |
|
|
|
|
|
|
|
|
ОРТОГОНАЛЬНОСТЬ Xi |
Y 0 |
|
(9) |
||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Y |
|
|||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
i 1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ФОРМУЛЫ ДЛЯ ОЦЕНКИ ПАРАМЕТРОВ ММПС |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
ОБЩИЙ СЛУЧАЙ |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
X |
i |
Yi |
0 |
|
|
|||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
n |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
n |
|
|
|||||||
|
|
x0 |
xi |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
x0 xi n |
|
|
|||||||||||||||||||||
|
|
|
n Ах Y |
Мх X |
(10) |
|
|
|
|
|
(13) |
||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
i 1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
i 1 |
|
|
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
n |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
n |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
n |
|
|
|
|
|
|
n |
|
|
||
AX |
xi Yi |
|
|
|
Yi Y |
2 |
|
|
(11) |
|
|
|
|
AX xi |
Yi |
Yi 2 |
|
(14) |
|||||||||||||||||||||||||
Y |
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
i 1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
i 1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
i 1 |
|
|
|
|
|
i 1 |
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
n |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
n |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
n |
|
|
|
|
|
n |
|
|
|||
MX |
Xi |
Xi X |
|
Xi X |
2 |
(12) |
|
|
MX |
Xi Xi |
|
|
Xi 2 |
|
(15) |
||||||||||||||||||||||||||||
|
i 1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
i 1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
i 1 |
|
|
|
|
i 1 |
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
n |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
2( Xi ) ( xi x0 Ах Yi |
Мх Xi)2 |
|
(n 3) |
|
(16) |
|||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
i 1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
n |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
n |
|
|
|||
y0 |
yi |
|
|
|
|
|
МY |
|
|
|
|
|
|
(17) |
|
|
|
|
|
y0 yi n |
|
(20) |
|||||||||||||||||||||
n АY X |
Y |
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
i 1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
i 1 |
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
|
n |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
n |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
n |
|
|
|
|
n |
|
|
||||
AY yi |
Xi X |
|
Xi X |
2 |
(18) |
|
|
AY |
yi Xi |
|
|
Xi 2 |
|
(21) |
|||||||||||||||||||||||||||||
|
i 1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
i 1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
i 1 |
|
|
|
|
i 1 |
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
n |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
n |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
n |
|
|
|
|
|
n |
|
|
||
MY |
yi Yi Y |
|
|
Yi Y |
2 |
|
|
(19) |
|
|
|
|
MY yi Yi |
|
Yi 2 |
|
(22) |
||||||||||||||||||||||||||
|
i 1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
i 1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
i 1 |
|
|
|
|
|
i 1 |
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
n |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
2( yi ) ( yi y0 АY |
Xi МY |
Yi )2 |
|
(n 3) |
|
(23) |
|||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
i 1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|

Дальнейшее упрощение системы нормальных уравнений возможно при размещении кон-
трольных модулей на линиях, перпендикулярных осям X и У, т.е. при выполнении условия орто-
гональности (9).
Решение системы нормальных уравнений с учетом условий (8), (3,9) позволяет получить формулы (10) - (23) для оценки всех составляющих ММПС. Следует особо рассмотреть вариант,
когда базовая точка подложки совпадает с началом координат, т.е. Xi = Yi = 0. Это возможно,
например, когда центр вращения подложки относительно шаблона совпадает с ее геометричес-
ким центром. В этом случае не только предельно упрощается оценка параметров ММПС (урав-
нения (13)-(15), (20)-(22)), но и сами они становятся независимыми друг от друга. Это означает,
что исключение или введение в ММПС новых членов не изменит оценок других составляющих.
Поскольку оценки большинства составляющих ММПС не зависят от выбора базовой точки,
расчеты всех параметров ММПС целесообразно вести в предположении Xi = Yi = 0. При необ-
ходимости далее можно учесть реальное положение базовой точки и скорректировать значения координатных смещений Х0, ΔY0 по формулам (10), (17).
Дисперсии случайных погрешностей (16), (23) равны остаточным суммам квадратов Qx и
Qy , деленным на соответствующее число степеней свободы. В данном случае число степеней свободы равно числу контрольных модулей минус число определяемых коэффициентов. ММПС в виде уравнений (1), (2) содержат по 3 неизвестных коэффициента.
При планировании измерений необходимо выбрать количество тестовых структур, кон-
трольных модулей и их расположение так, чтобы при минимальных затратах времени и средств получить достаточно точную оценку неизвестных составляющих параметров ММПС
Минимальное количество контрольных модулей, необходимое для анализа межмодульных рассовмещений линейной ММПС, равно п=4. Координаты контрольных модулей необходимо выбирать максимальными в пределах рабочей зоны подложки.
Условиям симметричности и ортогональности удовлетворяет, в частности, схема располо-
жения контрольных модулей, приведенная в табл. 2. В этой таблице значения ПС приведены в нанометрах, а натуральные координаты тестовых структур пронормированы – приняты равными
± 1.
При увеличении количества контрольных модулей для облегчения последующей обработки результатов измерений следует учитывать условия (8) и (9).
Для упрощения записи условий измерений и облегчения расчета оценок параметров ММПС в большинстве случаев целесообразно изменить масштаб координат так, чтобы они соот-
ветствовали значениям ±1, ±2 и т.д. Это можно получить, если соотнести все используемые ко-
ординаты с интервалами их изменения.
Так, при n = 4 можно выбрать в качестве интервалов расстояния контрольных модулей от центра подложки. Кодированные значения координат в этом случае имеют вид
Хi = 1; Yi = 1

Перечисленные условия планирования и результаты проведения измерения ПС можно записать в виде таблицы - матрицы измерений ПС, в которой строки соответствуют различным модулям, а столбцы - координатам и измеренным вдоль осей Х, Y и рассовмещениям.
Пример оформления такой матрицы и расчета с ее помощью параметров ММПС приведен в таблице 2. Рассмотренный пример является базой для выполнения лабораторной работы.
Таблица 2
|
|
ВЫБОР КОНТРОЛЬНЫХ МОДУЛЕЙ |
||
СХЕМА |
|
|
|
УСЛОВИЯ |
|
|
n |
n |
|
|
|
1. Xi Yi |
0; |
|
|
Yi |
i 1 |
i 1 |
|
1 |
|
|
|
|
2 |
|
n |
|
|
|
|
2. |
Xi Yi |
0; |
|
|
Xi |
i 1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
Xi = Yi= ±140 мм – натуральные значения координат |
||
4 |
3 |
Xi = Yi = ±1 – нормированные значения координат |
№мод |
|
|
|
Xi |
|
Yi |
|
|
|
ΔXi |
Xi |
δXi |
|
ΔYi |
|
|
|
|
|
Yi |
|
|
|
δYi |
|||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
1 |
-1 |
|
+1 |
|
|
|
|
-30 |
|
|
-22,5 |
-7,5 |
|
|
|
|
30 |
|
|
22,5 |
|
|
|
|
7,5 |
||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
2 |
+1 |
|
+1 |
|
|
|
|
0,60 |
|
|
52,5 |
7,5 |
|
|
|
|
-60 |
|
|
-52,5 |
|
|
|
|
-7,5 |
||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
3 |
+1 |
|
-1 |
|
|
|
|
0,00 |
|
|
7,5 |
-7,5 |
|
|
|
-40 |
|
|
-47,5 |
|
|
|
|
7,5 |
|||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
4 |
-1 |
|
-1 |
|
|
|
|
-0,60 |
|
|
-67,5 |
7,5 |
|
|
|
|
|
20 |
|
|
27,5 |
|
|
|
|
-7,5 |
|||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
РАСЧЕТ ПАРАМЕТРОВ ММПС |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||
x |
|
30 60 0 60 |
7,5нм |
|
|
y |
30 60 40 20 |
|
12,5нм |
|
|
||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||||||||||||||||
0 |
4 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
0 |
|
|
|
|
|
4 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||
А |
|
30 60 0 60 |
|
|
|
22,5 |
нм |
|
|
|
|
А |
30 60 40 20 |
|
37,5 |
нм |
|
||||||||||||||||||||
X |
4 |
|
|
|
|
|
|
1 |
|
|
|
|
Y |
|
4 |
|
|
|
|
|
|
1 |
|
||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||
MX |
|
30 60 0 60 |
|
|
37,5 |
нм |
|
|
|
MY |
30 60 40 20 |
|
2,5 |
нм |
|
|
|
||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||||||
|
4 |
|
|
|
|
|
1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
4 |
|
|
|
|
|
1 |
|
|
|
||||||||||
X1 =-7,5+22,5-37,5= -22,5 нм |
|
|
Y1=-12,5+37,5-2,5= |
22,5 нм |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||||
X2 =-7,5+22,5+37,5= |
52,5 нм |
|
|
Y2 =-12,5-37,5-2,5= -52,5 нм |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||||
X3 =-7,5-22,5+37,5= 7,5 нм |
|
|
Y3 =-12,5-37,5+2,5= -47,5 нм |
|
|
||||||||||||||||||||||||||||||||
X4 =-7,5-22,5-37,5= -67,5 нм |
|
|
Y4 =-12,5+37,5+2,5= 27,5 нм |
|
|
||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||||||||
|
Xi |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Yi |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||
|
4 7,52 |
|
15 нм |
|
|
|
4 7,52 |
15нм |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|