Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

литография / 1_3_Совмещаемость

.pdf
Скачиваний:
47
Добавлен:
10.02.2015
Размер:
440.13 Кб
Скачать

Моделирование и анализ совмещаемости топологических слоев

Промышленное освоение выпуска микроэлектронных приборов с минимальными размера-

ми 65-130 нм сопровождается в настоящее время увеличением диаметров полупроводниковых пластин до 200-300 мм и размеров кристаллов до 20 –25 мм. Ужесточение наряду с этим тре-

бований к дефектности топологических слоев привело к созданию и внедрению в производст-

венную практику литографического оборудования различного типа.

Наряду с традиционными установками совмещения и экспонирования контактного широко применяются проекционные установки с помодульным экспонированием, электронно-лучевые системы, разрабатываются и исследуются установки для рентгенолитографии.

Однако повышение разрешающей способности и точности оборудования сопряжено с рез-

ким усложнением литографических систем, возрастанием их стоимости, в ряде случаев - со сни-

жением производительности. Поэтому в массовом производстве наиболее эффективным являет-

ся совместное использование в едином технологическом цикле установок различного типа. В

связи с этим особое, а зачастую решающее значение, приобретает совмещаемость топологиче-

ских слоев, формируемых различными методами.

По этой причине контроль совмещаемости топологических слоев можно отнести к числу важнейших технологических операций. Основная цель контроля совмещаемости - получить ин-

формацию о состоянии литографической системы по одному из важнейших показателей ее каче-

ства. Эта информация необходима для обоснования технологических допусков на топологии микросхем, при оптимизации технологических процессов, конструировании, экспериментальной обработке литографического оборудования и при поддержании его параметров на заданном уровне в период эксплуатации.

В современной микролитографии сформировался комплекс практических задач, требую-

щих широкого применения статистических методов контроля и анализа совмещаемости тополо-

гических слоев. К числу таких задач относится выборочный контроль совмещаемости на всех этапах микролитографии (включая изготовление фотошаблонов), оперативное выявление основ-

ных видов погрешностей для корректировки технологического процесса и оборудования, атте-

стация установок совмещения и экспонирования, прогнозирование совмещаемооти слоев и оценка на этой основе эффективности совместного использования различных литографических систем и ряд других.

Понятие математической модели погрешностей совмещения

Основная идея метода контроля совмещаемости топологических слоев состоит в раз-

ложении погрешностей совмещения (ПС) на отдельные составляющие, каждая из которых характеризует влияние того или иного фактора или их совокупностей. Основой для диффе-

ренцированной оценки отдельных составляющих являются математические модели по-

грешностей совмещения (ММПС), описывающие распределение погрешностей по полю

топологического слоя .

Вобщем случае ПС, измеренные в тестовых структурах вдоль ортогональных осей X

иY, могут включать внутри- и межмодульные погрешности (рис. 1). Несмотря на многооб-

разие ПС и их причин, можно выделить несколько однотипных для обоих уравнений со-

ставляющих (рис. 2).

Рис. 1. Уровни контроля погрешностей совмещения а – тестовая структура, б – размещение структур в модуле, в - пластина.

Следует подчеркнуть, что все составляющие, за исключением сдвига, зависят от ко-

ординат Xj, Уj и Хi,j, Уi,j тестовых структур относительно базовых точек модуля и подлож-

ки соответственно: j = 1,2,...,m; i = 1,2,...,n (рис. 1).

Совместное действие внутри- и межмодульных составляющих различного вида приводит к тому, что распределение ПС по полю топологического слоя индивидуально для каждой подложки.

Для описания распределения ПС и оценки отдельных составляющих проводятся вы-

борочные измерения рассовмещений в нескольких контрольных модулях. Возможны раз-

личные варианты организации измерений ПС.

При измерении рассовмещений в одной тестовой структуре каждого модуля предпо-

лагается, что измеренные ПС Хi , Уi примерно одинаковы для всего поля i -ro модуля. В

этом случае j= 1 и Xij = Xi , Уij=Уi . Возможно также проведение измерений в нескольких тестовых структурах в пределах каждого контрольного модуля. В этом случае ПС i-го мо-

дуля характеризуются несколькими значениями Хij и Уij,соответствующими коорди-

натам Xij, Уij (рис. 1).

Рис. 2 . Составляющие погрешностей совмещения

В первом варианте по результатам измерений можно оценить лишь распределение межмодульных рассовмещений по полю топологического слоя, во втором - совместно оце-

нить и описать распределение внутри- и межмодульных погрешностей.

Распределения ПС xi, yi, xij, yij соответственно модулей и тестовых структур можно описать ММПС в виде полиномов различных степеней, которые включают ряд со-

ставляющих, зависящих от координат Хj, Уj и Хij, Уij (рис.2). Кроме того, каждый полином содержит случайные составляющие, характеризующие случайные погрешности позицио-

нирования модулей и тестовых структур, а также случайные погрешности измерений.

Такие полиномы можно рассматривать как уравнения регрессии, в которых функции от координат являются независимыми переменными, а коэффициенты при них - неизвест-

ными параметрами. Основной задачей MМПC является численная оценка этих параметров,

характеризующих влияние различных групп факторов, по результатам измерений ПС.

Можно предположить, что случайные погрешности, возникающие как при формиро-

вании топологических слоев, так и при измерениях рассовмещений, распределены по нор-

мальному закону с нулевыми математическими ожиданиями и дисперсиями, не зависящи-

ми от координат тестовых структур. Это предположение позволяет находить неизвестные параметры любой ММПС иэ условия, чтобы сумма квадратов случайных погрешностей была минимальной, т.е. из основного условия метода наименьших квадратов (МНК).

xi x0 х Yi х Xi xi
yi y0 y Xi y Yi yi

Выбор ММПС в каждом конкретном случае определяется типом литографической системы, размерами модулей на подложке, требуемой точностью оценки отдельных пара-

метров. Особенности применения ММПС рассмотрим на примерах решения практических задач контроля и анализа совмещаемости при различных вариантах проведения микролито-

графии.

10. 2 Линейная ММПС для оценки межмодульных рассовмещений

При формировании топологических слоев с небольшими (2-5 мм) размерами модулей,

существенно меньшими диаметра пластины, целесообразно ограничиться учетом лишь тех факторов, которые определяют межмодульные рассовмещения xi, yi .В погрешностях xi,

yi можно выделить ряд составляющих. В их число входят общий для всех модулей сдвиг

x0 , y0 , угловые развороты Ах, Ау и искажения совмещаемых слоев, характеризуемые ко-

эффициентами Мх, My.

Невоспроизводимость шага стола фотоповторителя при мультипликации фотошабло-

нов ведет к случайным смещениям модулей относительно их номинальных положений. Со-

вместно с погрешностями измерений они составляют случайные погрешности δхi, δyi.

Суммируя рассмотренные погрешности i-го модуля получим, следующую ММПС:

(1)

(2)

Полагая, что случайные погрешности xi и yi удовлетворяют условиям, сформирован-

ным в предыдущем разделе, рассмотрим процедуру МНК применительно к рассматриваемой ММПС, приведенную в табл.1.

Минимизация сумм квадратов случайных погрешностей (квадратов отклонений) Qx и Qy,

записанных в табл. 1 уравнениями (3) и (4), дает систему нормальных уравнений (5)-(7).

Эта система и получаемые при ее решении формулы значительно упрощаются, если коор-

динаты Хi и Yi измерять в отклонениях от их средних значений, т.е. Xi Xi Xi , Yi Yi Yi .

Начало координат в этом случае переносится в точку Xi , Yi ; при этом обеспечивается условие

(3.8) симметричности расположения контрольных модулей.

Таблица 1

Процедура метода наименьших квадратов

СУММЫ КВАДРАТОВ ОТКЛОНЕНИЙ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

n

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

QX ( Xi

XO

Ax Yi

Mx Xi)2

min

 

(3)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

i 1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

n

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

QY ( Yi

YO

AY

Xi

MY Yi)2

min

 

(4)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

i 1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

СИСТЕМА НОРМАЛЬНЫХ УРАВНЕНИЙ (НА ПРИМЕРЕ QX)

 

 

 

 

QX

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

n

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

n

 

 

 

 

n

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0,

 

Xi

n x0 Ах

Yi Мх Xi

 

(5)

 

 

x0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

i 1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

i 1

 

 

i 1

 

 

 

 

 

 

 

QX

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

n

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

n

 

 

 

 

n

 

 

 

 

 

n

 

 

 

 

 

0,

 

xi Yi

x0 Yi Ах Yi

2 Мх Xi Yi

 

(6)

 

 

АХ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

i 1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

i 1

 

 

i 1

 

 

 

 

 

i 1

 

 

 

 

QX

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

n

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

n

 

 

n

 

 

 

 

 

 

 

n

 

 

 

 

 

 

 

0,

 

xi Xi x0 Xi Ах Xi Yi

 

Мх Xi

2

(7)

 

 

MХ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

i 1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

i 1

 

 

i 1

 

 

 

 

 

 

 

i 1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

УСЛОВИЯ ВЫБОРА КОНТРОЛЬНЫХ МОДУЛЕЙ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

n

 

 

 

 

n

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

X Xi

 

 

 

 

 

 

СИММЕТРИЧНОСТЬ Xi

Y 0

 

(8)

 

 

 

 

 

 

 

X

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

i 1

 

 

 

i 1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

n

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Y Yi

 

 

 

 

 

 

 

 

ОРТОГОНАЛЬНОСТЬ Xi

Y 0

 

(9)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Y

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

i 1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ФОРМУЛЫ ДЛЯ ОЦЕНКИ ПАРАМЕТРОВ ММПС

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ОБЩИЙ СЛУЧАЙ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

X

i

Yi

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

n

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

n

 

 

 

 

x0

xi

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

x0 xi n

 

 

 

 

 

n Ах Y

Мх X

(10)

 

 

 

 

 

(13)

 

 

 

 

 

 

 

i 1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

i 1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

n

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

n

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

n

 

 

 

 

 

 

n

 

 

AX

xi Yi

 

 

 

Yi Y

2

 

 

(11)

 

 

 

 

AX xi

Yi

Yi 2

 

(14)

Y

 

 

 

 

 

 

 

 

i 1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

i 1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

i 1

 

 

 

 

 

i 1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

n

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

n

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

n

 

 

 

 

 

n

 

 

MX

Xi

Xi X

 

Xi X

2

(12)

 

 

MX

Xi Xi

 

 

Xi 2

 

(15)

 

i 1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

i 1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

i 1

 

 

 

 

i 1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

n

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2( Xi ) ( xi x0 Ах Yi

Мх Xi)2

 

(n 3)

 

(16)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

i 1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

n

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

n

 

 

y0

yi

 

 

 

 

 

МY

 

 

 

 

 

 

(17)

 

 

 

 

 

y0 yi n

 

(20)

n АY X

Y

 

 

 

 

 

 

 

 

 

i 1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

i 1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

n

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

n

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

n

 

 

 

 

n

 

 

AY yi

Xi X

 

Xi X

2

(18)

 

 

AY

yi Xi

 

 

Xi 2

 

(21)

 

i 1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

i 1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

i 1

 

 

 

 

i 1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

n

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

n

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

n

 

 

 

 

 

n

 

 

MY

yi Yi Y

 

 

Yi Y

2

 

 

(19)

 

 

 

 

MY yi Yi

 

Yi 2

 

(22)

 

i 1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

i 1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

i 1

 

 

 

 

 

i 1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

n

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2( yi ) ( yi y0 АY

Xi МY

Yi )2

 

(n 3)

 

(23)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

i 1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Дальнейшее упрощение системы нормальных уравнений возможно при размещении кон-

трольных модулей на линиях, перпендикулярных осям X и У, т.е. при выполнении условия орто-

гональности (9).

Решение системы нормальных уравнений с учетом условий (8), (3,9) позволяет получить формулы (10) - (23) для оценки всех составляющих ММПС. Следует особо рассмотреть вариант,

когда базовая точка подложки совпадает с началом координат, т.е. Xi = Yi = 0. Это возможно,

например, когда центр вращения подложки относительно шаблона совпадает с ее геометричес-

ким центром. В этом случае не только предельно упрощается оценка параметров ММПС (урав-

нения (13)-(15), (20)-(22)), но и сами они становятся независимыми друг от друга. Это означает,

что исключение или введение в ММПС новых членов не изменит оценок других составляющих.

Поскольку оценки большинства составляющих ММПС не зависят от выбора базовой точки,

расчеты всех параметров ММПС целесообразно вести в предположении Xi = Yi = 0. При необ-

ходимости далее можно учесть реальное положение базовой точки и скорректировать значения координатных смещений Х0, ΔY0 по формулам (10), (17).

Дисперсии случайных погрешностей (16), (23) равны остаточным суммам квадратов Qx и

Qy , деленным на соответствующее число степеней свободы. В данном случае число степеней свободы равно числу контрольных модулей минус число определяемых коэффициентов. ММПС в виде уравнений (1), (2) содержат по 3 неизвестных коэффициента.

При планировании измерений необходимо выбрать количество тестовых структур, кон-

трольных модулей и их расположение так, чтобы при минимальных затратах времени и средств получить достаточно точную оценку неизвестных составляющих параметров ММПС

Минимальное количество контрольных модулей, необходимое для анализа межмодульных рассовмещений линейной ММПС, равно п=4. Координаты контрольных модулей необходимо выбирать максимальными в пределах рабочей зоны подложки.

Условиям симметричности и ортогональности удовлетворяет, в частности, схема располо-

жения контрольных модулей, приведенная в табл. 2. В этой таблице значения ПС приведены в нанометрах, а натуральные координаты тестовых структур пронормированы – приняты равными

± 1.

При увеличении количества контрольных модулей для облегчения последующей обработки результатов измерений следует учитывать условия (8) и (9).

Для упрощения записи условий измерений и облегчения расчета оценок параметров ММПС в большинстве случаев целесообразно изменить масштаб координат так, чтобы они соот-

ветствовали значениям ±1, ±2 и т.д. Это можно получить, если соотнести все используемые ко-

ординаты с интервалами их изменения.

Так, при n = 4 можно выбрать в качестве интервалов расстояния контрольных модулей от центра подложки. Кодированные значения координат в этом случае имеют вид

Хi = 1; Yi = 1

Перечисленные условия планирования и результаты проведения измерения ПС можно записать в виде таблицы - матрицы измерений ПС, в которой строки соответствуют различным модулям, а столбцы - координатам и измеренным вдоль осей Х, Y и рассовмещениям.

Пример оформления такой матрицы и расчета с ее помощью параметров ММПС приведен в таблице 2. Рассмотренный пример является базой для выполнения лабораторной работы.

Таблица 2

 

 

ВЫБОР КОНТРОЛЬНЫХ МОДУЛЕЙ

СХЕМА

 

 

 

УСЛОВИЯ

 

 

n

n

 

 

 

1. Xi Yi

0;

 

Yi

i 1

i 1

 

1

 

 

 

2

 

n

 

 

 

2.

Xi Yi

0;

 

 

Xi

i 1

 

 

 

 

 

 

 

Xi = Yi= ±140 мм – натуральные значения координат

4

3

Xi = Yi = ±1 – нормированные значения координат

№мод

 

 

 

Xi

 

Yi

 

 

 

ΔXi

Xi

δXi

 

ΔYi

 

 

 

 

 

Yi

 

 

 

δYi

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

-1

 

+1

 

 

 

 

-30

 

 

-22,5

-7,5

 

 

 

 

30

 

 

22,5

 

 

 

 

7,5

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

+1

 

+1

 

 

 

 

0,60

 

 

52,5

7,5

 

 

 

 

-60

 

 

-52,5

 

 

 

 

-7,5

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3

+1

 

-1

 

 

 

 

0,00

 

 

7,5

-7,5

 

 

 

-40

 

 

-47,5

 

 

 

 

7,5

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

4

-1

 

-1

 

 

 

 

-0,60

 

 

-67,5

7,5

 

 

 

 

 

20

 

 

27,5

 

 

 

 

-7,5

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

РАСЧЕТ ПАРАМЕТРОВ ММПС

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

x

 

30 60 0 60

7,5нм

 

 

y

30 60 40 20

 

12,5нм

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

4

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

 

 

 

 

 

4

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

А

 

30 60 0 60

 

 

 

22,5

нм

 

 

 

 

А

30 60 40 20

 

37,5

нм

 

X

4

 

 

 

 

 

 

1

 

 

 

 

Y

 

4

 

 

 

 

 

 

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

MX

 

30 60 0 60

 

 

37,5

нм

 

 

 

MY

30 60 40 20

 

2,5

нм

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

4

 

 

 

 

 

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

4

 

 

 

 

 

1

 

 

 

X1 =-7,5+22,5-37,5= -22,5 нм

 

 

Y1=-12,5+37,5-2,5=

22,5 нм

 

 

X2 =-7,5+22,5+37,5=

52,5 нм

 

 

Y2 =-12,5-37,5-2,5= -52,5 нм

 

 

X3 =-7,5-22,5+37,5= 7,5 нм

 

 

Y3 =-12,5-37,5+2,5= -47,5 нм

 

 

X4 =-7,5-22,5-37,5= -67,5 нм

 

 

Y4 =-12,5+37,5+2,5= 27,5 нм

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Xi

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Yi

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

4 7,52

 

15 нм

 

 

 

4 7,52

15нм