Исследование параметров и характеристик светодиодов

Параметры

GaAs

GaP

InP

Ширина запрещенной зоны,

1,428

2,27

1,34

при Т = 300 К, эВ

Диэлектрическая проницаемость: статическая,

13,1

11,1

12,4

высокочастотная

11,0

9,1

9,5

Температура плавления, оС

1237

1467

1058

Подвижность носителей заряда при Т=300 К,

см2/В*с: электронов,

до 8500

до 190

до 4600

дырок

до 400

до 150

до 150

Характер оптического перехода в точке К=0

прямой

непря-

прямой

мой

Постоянная решетки, Å

5,65

5,45

5,86

Показатель преломления

3,5

3,3

3,1