PVD_method
.pdf
D100 – Ионно-плазменное распыление.
Диодный источник на постоянномтоке: 1 – вакуумная камера, 2 – экран, 3 – мишень, 4 – подложка, 5 – подложкодержатель, 6 – натекатель.
D101 – Ионно-плазменное распыление.
Диодный источник на переменном высокочастотном (ВЧ) токе.
S(E) |
3 |
|
E |
|
0 |
; |
ji= Qi.qe, А/м2 |
Qi |
|
kT |
|
ji M кг |
||
4 2 |
U |
ni Mi |
Vр S qeNA ,м2с |
|||||||||||
|
|
|
|
max |
|
|
|
|
i |
|
|
|
|
|
Частота изменения полярности на электродах (D101): f > 1/te, где время пробега электронов te = d/ve (при d=0,1 м , f > 1Е7 Гц). Стандартная частота f = 13,56 МГц, при которой время пробега ионов ti расстояния d равно ti= d/vi, а величина пробега ионов за ti составляет di = vi /f (di =3,7.10-5 м или 37 мкм).
D102 – Ионно-плазменное распыление. |
D103 – Ионно-плазменное распыление. |
|
Трехэлектродный источник: 1 – |
Магнетронный источник на постоянном |
|
токе: 1 – экран, 2 – мишень, 3 – |
||
электромагнит, 2 – мишень, 3 – анод, 4 – |
||
подложкодержатель, 4 – постоянный |
||
термокатод, 5 – подложкодержатель. |
||
магнит. |
||
|
Магнетронный разряд в вакууме
D104 – Ионно-плазменное распыление. Магнетронный источник на переменном высокочастотном токе.
D105 – Ионно-плазменное распыление. Магнетронный сверхвысокочастотный (СВЧ) источник с электронно-
циклотронным резонансом (ЭЦР): 1 – резонатор.
Длина свободного пробега электрона в плазме =1/(Se.n), (Se - сечение столкновения электрона с атомами плазмообразующего газа, м2; n=p/kT - концентрация атомов или молекул газа (м-3)
D110 – Ионно-лучевое распыление.
Ионный источник с горячим катодом: 1 – электромагнит, 2 – термокатод, 3 – анод, 4 – катод-нейтрализатор, 5 – мишень, 6 – подложка, 7 – датчик скорости осаждения, 8 – рабочая камера.
D111 – Ионно-лучевое распыление.
Ионный источник с холодным катодом: 1 – электромагнит, 2 – первый катод, 3 – второй катод, 4 – вытягивающий электрод, 5 – фокусирующий электрод.
D200 – Осаждение взрывом.
Лазерный импульсный источник: 1 – вакуумная камера, 2 – подложка, 3 – мишень, 4 – поток пара, 5 – кварцевое стекло, 6 – фокусирующая линза, 7 – полупрозрачное зеркало, 8 – поляроид, 9 – ячейка Керра, 10 – монокристалл, 11 – управляемый разрядник, 12 – лампа накачки лазерного излучения, 13 – конденсатор, 14 –
непрозрачное зеркало.
рвак=10 -10 Па;
ТП=293 К;
Vоmax 103 мкм/с;
Е=1-1000эВ; КИ=0,1-0,5
D210 – Осаждение взрывом.
Электронный импульсный источник: 1 – мишень, 2 – подложка, 3 – управляемый разрядник, 4 – конденсор или генератор импульсного тока, 5 – нагреватель катода электронной пушки, 6 – катод, 7 – фокусирующий электрод, 8 – анод.
D220 – Осаждение взрывом.
Электроразрядный конденсаторный источник: 1 – взрываемый образец, 2 – подложка, 3 – поток продуктов взрыва, 4 – конденсаторная батарея, 5 – управляемый разрядник.
D300 – Осаждение дуговым разрядом.
Дуговой источник с холодным катодом (разряд в парах катода): 1 – катод, 2 – система охлаждения катода, 3 – анод, 4 – электростатический экран, 5 – постоянные магниты, 6 – электрод поджига.
D301 – Осаждение дуговым разрядом.
Дуговой источник с холодным катодом (в парах катода и анода): 1 – катод, 2 – анод.
V”max qдоп М 102
Еопт
Катодные пятна
