Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

PVD_method

.pdf
Скачиваний:
13
Добавлен:
10.02.2015
Размер:
4.58 Mб
Скачать

D100 – Ионно-плазменное распыление.

Диодный источник на постоянномтоке: 1 – вакуумная камера, 2 – экран, 3 – мишень, 4 – подложка, 5 – подложкодержатель, 6 – натекатель.

D101 – Ионно-плазменное распыление.

Диодный источник на переменном высокочастотном (ВЧ) токе.

S(E)

3

 

E

 

0

;

ji= Qi.qe, А/м2

Qi

 

kT

 

ji M кг

4 2

U

ni Mi

Vр S qeNA ,м2с

 

 

 

 

max

 

 

 

 

i

 

 

 

 

Частота изменения полярности на электродах (D101): f > 1/te, где время пробега электронов te = d/ve (при d=0,1 м , f > 1Е7 Гц). Стандартная частота f = 13,56 МГц, при которой время пробега ионов ti расстояния d равно ti= d/vi, а величина пробега ионов за ti составляет di = vi /f (di =3,7.10-5 м или 37 мкм).

D102 – Ионно-плазменное распыление.

D103 – Ионно-плазменное распыление.

Трехэлектродный источник: 1 –

Магнетронный источник на постоянном

токе: 1 – экран, 2 – мишень, 3 –

электромагнит, 2 – мишень, 3 – анод, 4 –

подложкодержатель, 4 – постоянный

термокатод, 5 – подложкодержатель.

магнит.

 

Магнетронный разряд в вакууме

D104 – Ионно-плазменное распыление. Магнетронный источник на переменном высокочастотном токе.

D105 – Ионно-плазменное распыление. Магнетронный сверхвысокочастотный (СВЧ) источник с электронно-

циклотронным резонансом (ЭЦР): 1 – резонатор.

Длина свободного пробега электрона в плазме =1/(Se.n), (Se - сечение столкновения электрона с атомами плазмообразующего газа, м2; n=p/kT - концентрация атомов или молекул газа (м-3)

D110 – Ионно-лучевое распыление.

Ионный источник с горячим катодом: 1 – электромагнит, 2 – термокатод, 3 – анод, 4 – катод-нейтрализатор, 5 – мишень, 6 – подложка, 7 – датчик скорости осаждения, 8 – рабочая камера.

D111 – Ионно-лучевое распыление.

Ионный источник с холодным катодом: 1 – электромагнит, 2 – первый катод, 3 – второй катод, 4 – вытягивающий электрод, 5 – фокусирующий электрод.

D200 – Осаждение взрывом.

Лазерный импульсный источник: 1 – вакуумная камера, 2 – подложка, 3 – мишень, 4 – поток пара, 5 – кварцевое стекло, 6 – фокусирующая линза, 7 – полупрозрачное зеркало, 8 – поляроид, 9 – ячейка Керра, 10 – монокристалл, 11 – управляемый разрядник, 12 – лампа накачки лазерного излучения, 13 – конденсатор, 14 –

непрозрачное зеркало.

рвак=10 -10 Па;

ТП=293 К;

Vоmax 103 мкм/с;

Е=1-1000эВ; КИ=0,1-0,5

D210 – Осаждение взрывом.

Электронный импульсный источник: 1 – мишень, 2 – подложка, 3 – управляемый разрядник, 4 – конденсор или генератор импульсного тока, 5 – нагреватель катода электронной пушки, 6 – катод, 7 – фокусирующий электрод, 8 – анод.

D220 – Осаждение взрывом.

Электроразрядный конденсаторный источник: 1 – взрываемый образец, 2 – подложка, 3 – поток продуктов взрыва, 4 – конденсаторная батарея, 5 – управляемый разрядник.

D300 – Осаждение дуговым разрядом.

Дуговой источник с холодным катодом (разряд в парах катода): 1 – катод, 2 – система охлаждения катода, 3 – анод, 4 – электростатический экран, 5 – постоянные магниты, 6 – электрод поджига.

D301 – Осаждение дуговым разрядом.

Дуговой источник с холодным катодом (в парах катода и анода): 1 – катод, 2 – анод.

Vmax qдоп М 102

Еопт

Катодные пятна

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]