Световые характеристикифотосопротивления

Таблица 12.2

Напряжение U, В	I, мкА	Расстояниеа, см
		10	15	20	25	30	35	40
10	Темновой,Iт
	При освещении,I
	Фототок,Iф
15	Темновой,Iт
	При освещении,I
	Фототок,Iф
ОсвещенностьЕ, лк

3. Снять световые характеристики фотосопротивления при напряжении 10 и 15 В. Для этого, поддерживая напряжение постоянным, изменять рас- стояниеамежду фотосопротивлением и источником света от 10 до 40 см че- рез 5 см и измерять токI. Результаты измерений записать в табл.12.2.

Указания по обработке результатов

1. Построить графики зависимости темнового тока и фототока от напря- жения при двух значениях освещенности (трикривые расположить на одном

чертеже). Освещенность вычислять по формуле

ЕJ a², гдеJ– сила света

(указана на приборе);а– расстояние от лампы до фотосопротивления.

2. Вычислить

I_фI–I_т.Построитьграфикзависимостифототока

I_фот

освещенностиЕдля двух напряжений (10 и 15 В).

3. Вычислить удельную чувствительность фотосопротивления (12.7) при рабочем напряженииU= 15 В и освещенностиE= 500 лк. Площадь сечения полупроводникового слояSуказана наустановке.

4. Приняв заr₀

минимальное расстояние

r_min, а за

^Iф0

фототок при этом

ф

^I  ^

минимальном расстоянии, построитьзависимостьln 

_r^

.

_I 

f_{lnr}

_ф0

_ 0_

Таблица 12.3

Определение зависимости фототока от освещенности

r0=rmin=			Iф0=Iф max=
r, см	r/r0	lnr/r0		Iф, В	IфIф0	ln(IфIф0)

5. Используя экспериментальные значения, соответствующие линейно- му участку зависимости, вычислитьи его погрешность. Результаты расче- тов занести в табл.12.3.

7. Сделать заключение по полученным результатам.