
- •Оптика и атомная физика
- •Лабораторная работа 1. Определение фокусных расстояний линз
- •Общие сведения
- •Указания по проведению эксперимента и обработке результатов
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа 2. Определение длины световой волны с использованием бипризмы
- •Общие сведения
- •Указания по проведению эксперимента
- •Указания по обработке результатов
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа 3. Интерференция при наблюдении колец ньютона
- •Общие сведения
- •Указания по проведению эксперимента
- •Указания по обработке результатов
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа 4. Дифракционная решетка
- •Общие сведения
- •Указания по проведению эксперимента
- •Указания по обработке результатов
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа 5. Исследование дифракции света на отражательной дифракционной решетке
- •Общие сведения
- •Указания по проведению эксперимента
- •Измерение углов
- •Указания по обработке результатов
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа 6. Измерение показателя преломления по углу наименьшего отклонения луча в призме
- •Общие сведения
- •Указания по проведению эксперимента
- •Указания по обработке результатов
- •Измерение угла наименьшего отклонения
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа 7. Исследование линейно поляризованного света
- •Общие сведения
- •Указания по проведению эксперимента
- •Проверка закона Малюса
- •Указания по обработке результатов
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа 8. Исследование частично поляризованного света
- •Общие сведения
- •Указания по проведению эксперимента
- •Указания по обработке результатов
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторнаяработа9.Исследование поляризации световыхволнприотраженииотповерхности диэлектрика
- •Общие сведения
- •Указания по проведению эксперимента
- •Указания по обработке результатов
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа 10. Исследование закономерностей теплового излучения нагретого тела
- •Общие сведения
- •Исследуемые закономерности
- •Задание по подготовке к работе
- •Указания к выполнению работы
- •Указания для обработки результатов
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа 11. Исследование внешнего фотоэффекта
- •Общие сведения
- •Исследуемые закономерности
- •Задание для подготовки к работе
- •Указания к выполнению работы
- •Указания по обработке результатов
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа 12. Исследование внутреннего фотоэффекта
- •Общие сведения
- •Исследуемые закономерности
- •Указания по выполнению работы
- •Световые характеристикифотосопротивления
- •Указания по обработке результатов
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа 13. Исследование эффекта зеемана методом индуцированных квантовых переходов электронов в атоме
- •Общие сведения
- •Исследуемые закономерности
- •Установка исследования эффекта резонансного поглощения, индуцированного магнитным полем
- •Задание для подготовки к работе
- •Указания по выполнению наблюдений
- •Исследование эпр
- •Указания по обработке результатов
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа 14. Исследование ядерного магнитного резонанса и определение магнитного
- •Общие сведения и исследуемые закономерности
- •Экспериментальная установка и методика наблюдения ямр. Иссле-
- •Задание по подготовке к работе
- •Указания по выполнению наблюдений
- •Указания по обработке результатов
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа 15. Исследование туннельного эффекта в вырожденноМp–n-переходе
- •Общие сведения
- •Указания по подготовке к работе
- •Указания по выполнению наблюдений
- •Указания по обработке результатов и содержанию отчета
- •Списоклитературы
- •Оглавление
- •Оптика и атомная физика
- •96 197376, С.-Петербург, ул. Проф. Попова,5
Световые характеристикифотосопротивления
Таблица 12.2
Напряжение U, В |
I, мкА |
Расстояниеа, см |
||||||
10 |
15 |
20 |
25 |
30 |
35 |
40 |
||
10 |
Темновой,Iт |
|
|
|
|
|
|
|
При освещении,I |
|
|
|
|
|
|
|
|
Фототок,Iф |
|
|
|
|
|
|
|
|
15 |
Темновой,Iт |
|
|
|
|
|
|
|
При освещении,I |
|
|
|
|
|
|
|
|
Фототок,Iф |
|
|
|
|
|
|
|
|
ОсвещенностьЕ, лк |
|
|
|
|
|
|
|
Снять световые характеристики фотосопротивления при напряжении 10 и 15 В. Для этого, поддерживая напряжение постоянным, изменять рас- стояниеамежду фотосопротивлением и источником света от 10 до 40 см че- рез 5 см и измерять токI. Результаты измерений записать в табл.12.2.
Указания по обработке результатов
Построить графики зависимости темнового тока и фототока от напря- жения при двух значениях освещенности (трикривые расположить на одном
чертеже). Освещенность вычислять по формуле
ЕJ a2, гдеJ– сила света
(указана на приборе);а– расстояние от лампы до фотосопротивления.
Вычислить
IфI–Iт.Построитьграфикзависимостифототока
Iфот
освещенностиЕдля двух напряжений (10 и 15 В).
Вычислить удельную чувствительность фотосопротивления (12.7) при рабочем напряженииU= 15 В и освещенностиE= 500 лк. Площадь сечения полупроводникового слояSуказана наустановке.
Приняв заr0
минимальное расстояние
rmin, а за
Iф0
фототок при этом
ф
I минимальном расстоянии, построитьзависимостьln
r
.
I
flnr
ф0
0
Таблица 12.3
Определение
зависимости фототока от освещенности
r0=rmin= |
Iф0=Iф max= |
|||||
r, см |
r/r0 |
lnr/r0 |
Iф, В |
IфIф0 |
ln(IфIф0) |
|
|
|
|
|
|
|
Используя экспериментальные значения, соответствующие линейно- му участку зависимости, вычислитьи его погрешность. Результаты расче- тов занести в табл.12.3.
7. Сделать заключение по полученным результатам.