3391
.pdfОкончание табл. 6.2
Операция |
|
Требования к контролируемым и из- |
Средства кон- |
Объем выбор- |
||
|
|
|
|
меряемым параметрам |
троля и изме- |
ки, периодич- |
|
|
|
|
|
рения |
ность контроля |
24. Измерение |
Длина дополнительного среза (мм) |
То же |
То же |
|||
длины допол- |
должна соответствовать указанной в |
|
|
|||
нительного |
ТД для соответствующих диаметров |
|
|
|||
среза |
|
|
пластины (мм) |
|
|
|
25. |
|
Контроль |
Не допускается наличие неисчезаю- |
Микроскопы |
Цех, ОТК — |
|
качества |
обра- |
щих рисок, трещин, микротрещин, ис- |
МВС-1, |
выборочно |
||
ботки |
рабочей |
чезающих рисок длиной 0,5–1,0 диа- |
МБС-2, |
(10% от пар- |
||
поверхности |
метра, ямок более 0,3 шт/см2, более |
стол СМП-1 |
тии) |
|||
пластины |
|
трех–четырех краевых сколов разме- |
|
|
||
|
|
|
|
ром от 0,5×0,5 до 1,5×1,5 мм. Пласти- |
|
|
|
|
|
|
ны, имеющие исчезающие риски или |
|
|
|
|
|
|
большее количество сколов, ямок, пе- |
|
|
|
|
|
|
редают на доработку |
|
|
26. |
|
Контроль |
Не допускается наличие следов резки, |
Микроскопы |
Цех — 100%, |
|
качества |
обра- |
приклеивающего материала, матовых |
МБС-1, |
ОТК — |
||
ботки |
нерабо- |
серых пятен |
МБС-2 |
выборочно (5– |
||
чей |
поверхно- |
|
|
|||
|
|
10% от партии) |
||||
сти пластины |
|
|
||||
|
|
|
||||
27. |
Контроль, |
Не допускается наличие пятен, подте- |
Микроскопы |
То же |
||
чистоты |
по- |
ков, следов абразивного и приклеи- |
МБС-1, |
|
||
верхности пла- |
вающего материалов |
МБС-2, |
|
|||
стины |
|
|
|
стол СМП-1 |
|
|
28. |
|
Контроль |
Шероховатость рабочей поверхности |
Профилограф |
Цех, ОТК — |
|
шероховатости |
пластины Rz = 0,050, нерабочей по- |
|
выборочно |
|||
поверхности |
верхности — Rz = 0,040 |
|
(одна пластина |
|||
пластины |
|
|
|
из партии) |
||
29. Контроль |
Не допускается наличие исчезающих |
Визуально, |
Цех, ОТК — |
|||
нарушенного |
рисок общей длиной, превышающей |
микроскопы |
выборочно |
|||
слоя на по- |
диаметр пластины, а также микровы- |
МИМ-7, |
(5% от партии) |
|||
верхности пла- |
колов |
ММУ-1, |
|
|||
стины |
|
|
|
ММУ-3, |
|
|
|
|
|
|
|
МБС-1, |
|
|
|
|
|
|
МБС-2 |
|
30. |
Измерение |
Удельное сопротивление должно соот- |
Измеритель |
Цех, ОТК — |
||
удельного |
со- |
ветствовать указанному в ТД |
удельного со- |
выборочно |
||
противления |
|
противления |
(одна пластина |
|||
|
|
|
|
|
|
из партии) |
171
Анализ технологического процесса изготовления и обработки пластин по табл. 6.1 и 6.2 показывает, что только при механической обработке кремниевых пластин в целях их подготовки к наращиванию эпитаксиальной структуры осуществляют 29 контрольно-измерительных операций, каждая из которых необходима для обеспечения требуемого качества проведения последующих технологических операций.
6.2. Операции контроля и измерения в технологическом процессе формирования кремниевых эпитаксиальных структур с островковой топологией скрытого диффузионного слоя
Технологический процесс изготовлений кремниевых эпитаксиальных структур со скрытым диффузионным слоем включает следующие технологические и контрольно-измерительные операции:
1)формирование партии пластин после механической обработки;
2)освежение поверхности пластин;
3)химическую обработку пластин;
4)контроль пластин после химической обработки;
5)окисление пластин;
6)контроль пластин после окисления;
7)нанесение слоя фоторезиста на рабочую поверхность пластины;
8)сушку слоя фоторезиста;
9)совмещение и экспонирование слоя фоторезиста;
10)проявление фоторезиста;
11)контроль пластин после проявления фоторезиста;
12)задубливание фоторезиста;
13)нанесение фоторезиста на нерабочую поверхность пластины;
14)задубливание фоторезиста на нерабочей поверхности пластины;
15)травление окисла кремния;
16)снятие слоя фоторезиста;
17)контроль пластин после снятия слоя фоторезиста;
18)химическую обработку пластин;
19)контроль после химической обработки (перед I стадией диффузии);
20)сборку ампулы на загонку диффузанта;
21)стадию диффузии примеси (загонку);
22)вскрытие ампулы после загонки примеси;
23)1 стадию диффузии примеси (разгонку);
24)снятие окисла кремния;
25)химическую обработку пластин;
26)контроль после химической обработки (после II стадии диффузии);
27)контроль после формирования локальных диффузионных n+-областей;
28)формирование партии пластин с диффузионными n+-областями для эпитаксии;
172
29)наращивание эпитаксиального слоя кремния;
30)контроль после формирования эпитаксиального слоя.
Перечень контрольно-измерительных операций согласно пп. 4, 6, 11, 17, 19, 26, 27, 30 приведен в табл. 6.3.
При 100%-ном контроле продукции кремниевые пластины, не соответствующие требованиям, перечисленным в табл. 6.3, бракуют.
При выборочном контроле продукции несоответствие кремниевых пластин требованиям, представленным в табл. 6.3, является основанием для контроля удвоенной выборки, а несоответствие качества пластин в удвоенной выборке — основанием для браковки всей предъявленной в ОТК продукции.
6.3. Операций контроля и измерения в технологическом процессе формирования полупроводниковых структур
Как отмечалось, основные технологические операции изготовления эпитаксиальных и полупроводниковых структур (окисление, фотолитография, диффузия) являются общими для этих процессов и повторяются многократно в технологическом процессе формирования полупроводниковых структур, а следовательно, повторяются и контрольно-измерительные операции, которые по существу являются типовыми для второго этапа производства ИМС.
Таблица 6.3
Контрольно-измерительные операции в технологическом процессе формирования кремниевых эпитаксиальных структур со скрытым n+-слоем
|
Требования к контролируемым и из- |
Средства кон- |
Объем выбор- |
|
Операция |
троля и изме- |
ки, периодич- |
||
меряемым параметрам |
||||
|
рения |
ность контроля |
||
|
|
|||
1. Контроль пластин после химической обработки |
|
|
||
1. Контроль |
Не допускается наличие подтеков, раз- |
Визуально, |
Цех — 100%, |
|
чистоты по- |
водов, пятен |
установка ви- |
ОТК — |
|
верхности пла- |
|
зуального |
выборочно |
|
стины |
|
контроля |
||
|
(5% от партии) |
|||
|
|
микроскопы |
||
|
|
|
||
|
|
МБС-1, |
|
|
|
|
МБС-2 |
|
|
|
|
|
|
|
2. Контроль |
Не допускается наличие более двух |
То же |
То же |
|
качеству обра- |
светящихся точек для пластин диамет- |
|
|
|
ботки поверх- |
ром 40 мм и четырех светящихся точек |
|
|
|
ности пласти- |
для пластин диаметром 60 мм |
|
|
|
ны |
|
|
|
|
|
|
|
|
173
Продолжение табл. 6.3
Операция |
Требования к контролируемым и из- |
Средства кон- |
Объем выбор- |
|
меряемым параметрам |
троля и изме- |
ки, периодич- |
|
|
рения |
ность контроля |
II. Контроль пластин после окисления |
|
|
|
3. Контроль |
Окисная пленка на рабочей поверхно- |
Визуально, |
То же |
качества окис- |
сти пластины должна быть однород- |
ЛБ-30 |
|
ной пленки |
ной по цвету, без дефектов, различае- |
|
|
|
мых невооруженным глазом (допуска- |
|
|
|
ется неоднородность цвета в перифе- |
|
|
|
рийной области пластины не далее |
|
|
|
3 мм от края) |
|
|
4. Контроль |
Толщина окисной пленки должна со- |
Визуально, |
То же |
толщины окис- |
ответствовать ТД |
цветовая таб- |
|
ной пленки |
|
лица |
|
5. Контроль |
При осмотре поверхности пластины |
Визуально, |
Цех — |
чистоты по- |
под коллимированным пучком света с |
установка ви- |
выборочно |
верхности пла- |
изменением угла зрения допускается |
зуального |
(5% от партии) |
стины |
наличие восьми светящихся точек для |
контроля |
|
|
пластин диаметром 40 мм и 22 светя- |
микроскопы |
|
|
щихся точек для пластин диаметром |
МБС-1, |
|
|
60 мм |
МБС-2 |
|
III. Контроль пластин после проявления фоторезиста |
|
|
|
6. Контроль |
Все элементы модулей должны быть |
Визуально, |
Цех — 100%, |
внешнего вида |
полностью проявлены и иметь ровные |
микроскопы |
ОТК — |
рисунка |
края. Не допускается наличие грязе- |
МБС-1, |
выборочно |
|
вых подтеков, остатков фоторезиста, |
МБС-2, мик- |
|
|
(5% от партии) |
||
|
разводов, пятен |
роинтер- |
|
|
|
||
|
|
ферометр |
|
|
|
МИИ-4 |
|
7. Контроль |
Уход размеров элементов рисунка не |
Визуально, |
Цех, ОТК — |
ухода размера |
должен превышать величины, указан- |
микроскоп |
выборочно |
элемента ри- |
ной в ТД |
|
(5% от партии) |
сунка |
|
|
|
IV. Контроль пластин после снятия слоя фоторезиста |
|
|
|
8. Контроль |
На поверхности пластины не допуска- |
Визуально, |
Цех — 100%, |
целостности |
ется наличие рисок, сколов, трещин |
микроскопы, |
ОТК — |
пластины |
|
интерферо- |
выборочно |
|
|
метр |
|
|
|
(5% от партии) |
|
|
|
|
|
9. Контроль |
На рабочей и нерабочей поверхностях |
Визуально, |
То же |
чистоты рабо- |
пластины не допускается наличие под- |
микроскоп |
|
чей и нерабо- |
теков, пятен, остатков фоторезиста. |
УВК-2, мик- |
|
чей поверхно- |
После обработки рабочей поверхности |
рометр |
|
стей пластины |
пластины струей очищенного азота |
|
|
|
допускается наличие не более девяти |
|
|
|
светящихся точек для пластин диамет- |
|
|
|
ром 40 мм и 22 светящихся точек для |
|
|
|
пластин диаметром 60 мм |
|
|
174
Продолжение табл. 6.3
Операция |
Требования к контролируемым и из- |
Средства |
Объем выбор- |
|
меряемым параметрам |
контроля и |
ки, периодич- |
|
|
измерения |
ность контроля |
10. Контроль |
На рабочей поверхности пластины |
Визуально, |
Цех — 100%, |
качества окис- |
должен быть сформирован фотоли- |
ЛБ-30 |
ОТК — |
ной пленки на |
тографический рисунок, на нерабо- |
|
выборочно |
рабочей и не- |
чей — сплошная окисная пленка. |
|
(5% от партии) |
рабочей по- |
Окисная пленка на обеих сторонах |
|
|
верхностях |
должна быть однородной окраски |
|
|
пластины |
|
|
|
11. Контроль |
Не допускается наличие проколов в |
Визуально, |
Цех, ОТК — |
дефектности |
окисной пленке, остатков окисной |
микроскоп |
выборочно |
элементов мо- |
пленки в окнах. Выступы и впадины |
ММУ-3. |
(5% от партии) |
дуля |
по контуру элемента должны соот- |
микрометр |
|
|
ветствовать табл. 6.4 |
МОВ-1×16, |
|
|
|
микроинтер- |
|
|
|
ферометр |
|
|
|
МИИ-4 |
|
12. Контроль |
Уход размеров контрольного элемен- |
То же |
То же |
ухода размера |
та модуля должен быть не более |
|
|
элемента мо- |
1,5 мкм, если эта величина не огово- |
|
|
дуля |
рена в ТД |
|
|
V. Контроль пластин после химической обработки |
перед I стадией диффузии |
||
13. Контроль |
Не допускается наличие подтеков, |
Визуально, |
Цех — 100%, |
чистоты по- |
разводов, пятен |
микроскопы |
ОТК — |
верхности |
|
МБС-1, |
выборочно |
пластины |
|
МБС-2 |
(5% от партии) |
14. Контроль |
Не допускается наличие более девяти |
Визуально, |
То же |
качества обра- |
светящихся точек для пластин, диа- |
установка ви- |
|
ботки поверх- |
метром 40 мм и 12 светящихся точек |
зуального: |
|
ности пласти- |
для пластин диаметром 60 мм |
контроля |
|
ны |
|
УВК-2, мик- |
|
|
|
роскопы |
|
|
|
МБС-1, |
|
|
|
МБС-2 |
|
|
|
|
|
175
Продолжение табл. 6.3
Операция |
Требования к контролируемым и из- |
Средства кон- |
Объем выбор- |
|
|
меряемым параметрам |
троля и изме- |
ки, периодич- |
|
|
|
рения |
ность контро- |
|
|
|
|
|
ля |
VI. Контроль пластин после химической обработки после П стадии диффузии и сня- |
||||
тия окисной пленки |
|
|
|
|
15. Контроль |
Не допускается наличие подтеков, раз- |
Визуально, |
Цех — 100%, |
|
чистоты по- |
водов, пятен |
микроскопы |
ОТК — |
|
верхности пла- |
|
МБС-1, |
выборочно |
|
стины |
|
МБС-2 |
||
|
(5% от пар- |
|||
|
|
|
|
тии) |
16. Контроль |
Не допускается наличие более 12 све- |
Визуально, ус- |
То же |
|
качества обра- |
тящихся точек для пластин, диаметром |
тановка визу- |
|
|
ботки поверх- |
40 мм и 28 светящихся точек для пла- |
ального: кон- |
|
|
ности пласти- |
стин диаметром 60 мм |
троля УВК-2, |
|
|
ны |
|
микроскопы |
|
|
|
|
МБС-1, |
|
|
|
|
МБС-2 |
|
|
VII. Контроль пластин после формирования локальных |
диффузионных областей |
|||
17. Измерение |
Поверхностное сопротивление не |
Измеритель |
|
Цех, ОТК вы- |
поверхност- |
должно отличаться от указанного в ТД |
удельного |
|
борочно (одна |
ного сопротив- |
более чем на ± 20% |
электриче- |
|
пластина- |
ления диффу- |
|
ского сопро- |
|
спутник из ка- |
зионной облас- |
|
тивления |
|
ждой партий) |
ти |
|
|
|
|
18. Измерение |
Глубина: диффузионной области не |
Установка для |
|
Цех, ОТК вы- |
глубины диф- |
должна отличаться от указанной в ТД |
получения |
|
борочно (одна |
фузионной об- |
более чем на ± 20% |
сферических |
|
пластина- |
ласти |
|
шлифов |
|
спутник из ка- |
|
|
|
|
ждой партий) |
19. Контроль |
Коэффициент наполнения структуры |
Селективный |
|
Цех, ОТК — |
наполнения |
линиями скольжения должен быть не |
травитель, |
|
выборочно од- |
структуры ли- |
более 0,2 |
линейка |
|
на пластина из |
ниями сколь- |
|
|
|
партии) |
жения |
|
|
|
|
20. Контроль |
На поверхности пластины не допуска- |
Визуально, |
|
Цех — 100%, |
целостности |
ется наличие рисок, сколов, трещин |
микроскопы |
|
ОТК — |
пластины |
|
МБС-1, |
|
выборочно |
|
|
МБС-2 |
|
|
|
|
|
(5% от партии) |
|
|
|
|
|
|
21. Контроль |
На рабочей поверхности пластины не |
То же |
|
Цех, ОТК — |
чистоты рабо- |
допускается наличие подтеков, разво- |
|
|
выборочно |
чей поверхно- |
дов, пятен, остатков окисла, эрозий- |
|
|
(одна пласти- |
сти пластины |
ных дефектов в n+-области (темных |
|
|
на-спутник из |
|
штрихoв, точек, искривлений линий) |
|
|
каждой партий) |
|
должно быть не более чем в эталонном |
|
|
|
|
образце |
|
|
|
176
Продолжение табл. 6.3
Операция |
Требования к контролируемым и из- |
Средства |
Объем выбор- |
|
меряемым параметрам |
контроля и |
ки, периодич- |
|
|
измерения |
ность контроля |
22. Измерение |
Прогиб пластины (мкм) должен соот- |
Индикатор |
Цех, ОТК — |
прогиба пла- |
ветствовать указанному в ТД |
МИГ-1 |
выборочно |
стины |
|
|
(5% от партии) |
VIII. Контроль эпитаксиальных структур со скрытым |
n+-слоем |
|
|
23. Измерение |
Толщина эпитаксиального слоя (мкм) |
Спектрофо- |
Цех — 100%, |
толщины эпи- |
должна быть в пределах (6–13) ± 10% |
тометры |
ОТК — |
таксиального |
|
ИКС-14, |
выборочно |
слоя |
|
ИКС-22 |
|
|
(5% от партии) |
||
|
|
|
|
24. Измерение |
Удельное поверхностное сопротивле- |
Измеритель |
Цех, ОТК — |
удельного по- |
ние должно быть в пределах 0,1– |
удельного |
выборочно |
верхностного |
2 Ом∙см. Отклонение от номинала |
электрическо- |
(одна пласти- |
сопротивления |
для ρ = 0,1–0,8 Ом∙см — ±10%; |
го сопротив- |
наспутник из |
эпитаксиаль- |
для ρ = 0,81–2,0 Ом∙см — ±20% |
ления |
каждой партии |
ного слоя |
|
|
|
25. Измерение |
Поверхностное сопротивление скры- |
То же |
То же |
поверхностно- |
того n+-слоя должно быть равно |
|
|
го сопротивле- |
12 Ом/ , если его значение не огово- |
|
|
ния скрытого |
рено в ТД |
|
|
n+-слоя |
|
|
|
26. Измерение |
Глубина скрытого n+-слоя должна |
Установка для |
Цех, ОТК — |
глубины скры- |
быть равна (7±1,5) мкм |
получения |
выборочно |
того n+-слоя |
|
сферических |
(одна пласти- |
|
|
шлифов |
на-спутник из |
|
|
|
нескольких |
|
|
|
партий) |
27.Контроль |
Плотность дислокаций должна быть не |
Визуально, |
Цех, ОТК — |
плотности дис- |
более 104 см−2 |
микроскопы |
выборочно |
локаций в эпи- |
|
ММУ-1, |
(одна пластина |
таксиальном |
|
ММУ-3 |
из партии) |
слое |
|
|
|
28.Контроль |
Плотность дефектов упаковки должна |
То же |
То же |
плотности де- |
быть не более 103 см−2 |
|
|
фектов упаков- |
|
|
|
ки в эпитакси- |
|
|
|
альном слое |
|
|
|
29. Контроль |
Плотность дефектов роста должна |
Визуально, |
Цех — 100%, |
плотности де- |
быть не более 2 см−2 |
микроскопы |
ОТК — |
фектов роста |
|
ММУ-1, |
выборочно |
типа треуголь- |
|
ММУ-3 |
|
|
(5% от партии) |
||
ных пирамид и |
|
|
|
|
|
|
|
бугорков |
|
|
|
177
Окончание табл. 6.3
Операция |
Требования к контролируемым и из- |
Средства |
Объем выбор- |
|
|
меряемым параметрам |
контроля и |
ки, периодич- |
|
|
|
измерения |
ность контроля |
|
30. Контроль |
Плотность сыпи не должна превышать |
Визуально: |
Цех — 100%, |
|
плотности сыпи |
значение на пластине-эталоне |
сравнение с |
ОТК — |
|
в окнах |
|
пластиной- |
выборочно |
|
|
|
эталоном, мик- |
(5% от партии) |
|
|
|
роскопы |
|
|
|
|
МБС-1, |
|
|
|
|
МБС-2 |
|
|
31. Контроль |
Четкость рельефа должна быть не хуже |
То же |
То же |
|
четкости релье- |
имеющегося на пластине-эталоне |
|
|
|
фа |
|
|
|
|
32. Контроль |
На поверхности пластины не допускается |
Визуально |
Цех, ОТК — |
|
целостности |
наличие рисок, сколов, трещин |
|
100% |
|
пластины |
|
|
|
|
33. Измерение |
Стрела прогиба по выпуклости и по во- |
Индикатор |
Цех, ОТК — вы- |
|
стрелы прогиба |
гнутости должна быть не более 20 мкм |
МИГ-1 |
борочно (5% от |
|
пластин |
|
|
партии) |
|
34. Контроль |
Качество нерабочей поверхности должно |
Визуально, |
Цех — 100%, |
|
качества обра- |
соответствовать пластине-эталону |
сравнение с |
ОТК — |
|
ботки нерабочей |
|
пластиной- |
выборочно |
|
поверхности |
|
эталоном |
(5% от партии) |
|
35. Проверка |
Рисунок эпитаксиальной структуры дол- |
Визуально, |
То же |
|
соответствия |
жен соответствовать топологическому |
сравнение с |
|
|
рисунка эпитак- |
рисунку шаблона |
топологиче- |
|
|
сиальной струк- |
|
ским рисунком |
|
|
туры шаблону |
|
шаблона, мик- |
|
|
|
|
роскопы |
|
|
|
|
МБС-1, |
|
|
|
|
МБС-2 |
|
|
36. Измерение |
Отклонение диаметра от номинального |
Штангенцир- |
То же |
|
диаметра пла- |
должно быть не более 0,5 мм |
куль |
|
|
стины |
|
|
|
|
|
|
|
Таблица 6.4 |
Допустимые размеры дефектов при контроле дефектности элементов модуля
Размеры |
|
Размеры вы- |
Допустимое |
|
Неровность |
число вы- |
|||
элемента, |
ступов и |
|||
края, мкм |
ступов и |
|||
мкм |
впадин, мкм |
|||
|
впадин |
|||
|
|
|
||
0,8–2,0 |
0,3 |
— |
— |
|
2,0–5,0 |
0,5 |
0,7 |
1 |
|
5,0–10 |
0,8 |
1,5 |
1 |
|
10–30 |
1,0 |
3,0 |
1 |
|
30–100. |
1,0 |
6,0 |
1 |
|
>100 |
1,2 |
10,0 |
1 |
178
Таблица 6.5
Контрольно-измерительные операции качества металлических межсоединений
|
Требования к контролируемым и из- |
Средства кон- |
Объем выбор- |
|
Операция |
троля и изме- |
ки, периодич- |
||
меряемым параметрам |
||||
|
рения |
ность контроля |
||
|
|
|||
1. Контроль |
Пленка алюминия не должна иметь |
Визуально, |
Цех — 100%, |
|
чистоты по- |
пористости, царапин, капель алюми- |
микроскопы |
ОТК — 20% |
|
верхности ме- |
ния. Поверхность должна быть зер- |
ММУ-1, |
|
|
таллической |
кальной. |
ММУ-3 |
|
|
пленки межсо- |
|
|
|
|
единений (на- |
|
|
|
|
пыления алю- |
|
|
|
|
миния) |
|
|
|
|
2. Измерение |
Толщина алюминиевой пленки должна |
Микроинтер- |
Цех, ОТК — |
|
толщины алю- |
быть равной (1,2±0,15) мкм, в специ- |
ферометр |
100% |
|
миниевой |
альных случаях — значению, указан- |
МИИ-4 |
|
|
пленки |
ному в ТД |
|
|
|
3. Проверка |
Царапина, прочерченная на алюми- |
Визуально, |
Цех, ОТК — |
|
адгезии алю- |
ниевой пленке на расстоянии не далее |
микроскоп |
выборочно |
|
миниевой |
3 мм от края должна быть ровной |
ММИ-4 |
(одна–две пла- |
|
пленки (прово- |
|
|
стины из пар- |
|
дится на рабо- |
|
|
тии) |
|
чей пластине) |
|
|
|
В предыдущем разделе был описан перечень технологических и кон- трольно-измерительных операций, с тем чтобы показать большую значимость и объем операций контроля и измерения (около 40% от общей трудоёмкости). В технологическом процессе формирования полупроводниковых структур объем операций контроля и измерения увеличивается соответственно увеличению числа технологических операций и, кроме того, добавляется ряд операций, контроля, специфичных для рассматриваемого процесса, а именно контроль качества металлизации и контроль электрических параметров полупроводниковых структур на пластине. В табл. 6.5 приведен перечень контрольноизмерительных операций качества металлических межсоединений.
6.4. Операции контроля и измерения в технологических процессах скрайбирования, сборки и герметизации ИМС
Технологические, процессы скрайбирования пластин, сборки и герметизации кристаллов ИМС включают следующие технологические и контрольноизмерительные операции:
1)скрайбирование пластин;
2)отмывку пластин;
3)ломку пластин на кристаллы;
179
4)контроль кристаллов по внешнему виду;
5)позиционирование кристаллов для присоединения к основанию корпуса или к выводной рамке (укладка на стёкла);
6)присоединение (посадку) кристалла к основанию корпуса или к выводной рамке;
7)контроль оснований корпуса или выводных рамок после посадки кри-
сталла;
8)соединение контактных площадок кристалла с траверсами выводов;
9)контроль собранного основания корпуса перед герметизацией;
10)контроль прочности сварных соединений;
11)термообработку собранного основания перед герметизацией;
12)герметизацию;
13)отмывку ИМС после герметизации;
14)контроль качества герметизации;
15)контроль внешнего вида.
Таким образом, технологические процессы скрайбирования пластин, сборки и герметизации кристаллов ИМС содержат пять контрольноизмерительных операций, соответствующих пп. 4, 7, 9 ,10, 15. Контроль кристаллов по внешнему виду (п. 4) включает следующие девять операций:
1)контроль царапин, пустот и. т. д.;
2)контроль коррозии или отслаивания металлизации;
3)контроль невытравленных участков металлизации;
4)контроль смещения металлизации;
5)контроль дефектов окисла и диффузии;
6)контроль поверхности перехода;
7)контроль дефектов скрайбирования;
8)контроль дефектов защитного слоя;
9)контроль чистоты поверхности.
Перечень контрольно-измерительных операций согласно пп. 4, 7, 9, 10, 15 приведен в табл. 6.6.
Таблица 6.6
Контрольно-измерительные операции в технологических процессах скрайбирования пластин, сборки и герметизации кристаллов ИМС
|
Требования к контролируемым и из- |
Средства кон- |
Объем выбор- |
|
Операция |
троля и изме- |
ки, периодич- |
||
меряемым параметрам |
||||
|
рения |
ность контроля |
||
|
|
|||
I. Контроль кристаллов по внешнему виду |
|
|
||
Операции 1–9 |
Требования к внешнему виду кристал- |
Визуально, |
Цех — 100% |
|
|
ла по перечисленным параметрам ука- |
микроскоп |
|
|
|
заны в ТД |
ММУ-3 |
|
|
|
|
|
|
180