2909
.pdfТаблица П10 Данные для расчета интеграла столкновений неполярных газов (дипольный момент меньше 0,4 Дебая) и молекулярные
массы газов
Таблица П11 Данные для расчета интеграла столкновений полярных
молекул и молекулярные массы газов
Газ |
, |
/k, |
1 |
Ткип, |
, |
М, |
|
нм |
К |
|
К |
Дебай |
г/моль |
HCl |
0,336 |
328 |
0,34 |
138,1 |
1,1 |
36,5 |
HBr |
0,341 |
417 |
0,14 |
206,1 |
0,8 |
80,9 |
HI |
0,423 |
313 |
0,03 |
237,6 |
0,5 |
127,9 |
H2O |
0,252 |
775 |
1,0 |
373,2 |
1,8 |
18,0 |
H2S |
0,349 |
343 |
0,21 |
212,8 |
0,9 |
34,0 |
NH3 |
0,315 |
358 |
0,7 |
239,7 |
1,5 |
17,0 |
SO2 |
0,404 |
347 |
0,42 |
263,0 |
1,6 |
64,0 |
120
Таблица П12 Физические свойства некоторых газов при Т0 = 273 К,
Р0 = 1,01325∙105 Па
|
Значение коэффициентов D0 |
|
Таблица П13 |
|||
|
и т |
|
||||
Компонент |
D , см2/с |
|
Компонент |
|
D , см2/с |
|
|
0 |
т |
|
|
0 |
т |
Si |
0,660 |
0,768 |
SiH2Cl2 |
|
0,245 |
1,145 |
SiCl |
0,375 |
0,857 |
SiH3Cl |
|
0,372 |
1,070 |
SiCl2 |
0,246 |
1,067 |
Cl |
|
0,600 |
0,883 |
SiCl3 |
0,201 |
1,089 |
Cl2 |
|
0,365 |
0,989 |
SiCl4 |
0,172 |
1,115 |
H2 |
|
0,904 |
0 |
SiH |
0,660 |
0,790 |
H |
|
1,000 |
0,256 |
SiH4 |
0,650 |
0,942 |
HCl |
|
0,596 |
0,753 |
SiHCl3 |
0,200 |
1,216 |
- |
|
- |
- |
121
Таблица П14 Коэффициенты температурной зависимости давления
насыщенного пара элементов (2) (подстрочная цифра после «0» обозначает число нулей после запятой), и их атомные массы, плотность в твердом состоянии
и температура плавления
122
Продолжение табл. П14
123
Таблица П15 Радиусы некоторых элементов (К – ковалентный, М – металлический); валентность ионных радиусов
обозначена цифрами
124
ОГЛАВЛЕНИЕ |
|
Введение |
3 |
Лабораторная работа № 1 |
|
Исследование фотоприемников на основе |
|
наногетероструктур |
5 |
Лабораторная работа № 2 |
|
Исследование технологии создания гетеролазерной |
|
структуры методом жидкостной эпитаксии |
30 |
Лабораторная работа № 3 |
|
Исследование технологии создания эпитаксиальных |
|
слоев методом газофазной эпитаксии из |
|
металлоорганических соединений |
58 |
Лабораторная работа № 4 |
|
Термовакуумное напыление металлов |
80 |
Заключение |
107 |
Библиографический список |
108 |
Приложение |
109 |
125
Учебное издание
Свистова Тамара Витальевна
АКТУАЛЬНЫЕ ПРОБЛЕМЫ СОВРЕМЕННОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ И НАНОЭЛЕКТРОНИКИ: ЛАБОРАТОРНЫЙ ПРАКТИКУМ
В авторской редакции
Подписано к изданию 30.06.2017. Объем данных 2,5 Мб.
ФГБОУ ВО «Воронежский государственный технический университет»
394026 Воронеж, Московский просп., 14
126