2815
.pdf
Рис. 11. Выходные характеристики смоделированного прозрачного металлооксидного транзистора
70
Рис. 12. Передаточные характеристики смоделированного прозрачного металлооксидного транзистора
71
6. ЗАДАНИЯ НА ЛАБОРАТОРНЫЕ РАБОТЫ Задание 1.
Задание 2.
Задание 3.
72
Задание 4.
Задание 5.
Задание 6.
Задание 7.
73
Задание 8.
Задание 9.
Задание 10.
74
Задание 11.
Задание 12.
Задание 13.
75
Задание 14.
Задание 15.
Задание 16.
76
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК
1.Технология СБИС: в 2-х кн. пер. с англ./Под ред.
С.Зи. – М.: Мир, 1986. Кн.1. – 404 с., ил.
2.Технология СБИС: В 2-х кн. пер. с англ./Под ред.
С.Зи. – М.: Мир, 1986. Кн.2.– 453 с., ил.
3.Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники. В 10 кн.: учебник для ПТУ. Кн. 1. Общая технология / И.Я. Козырь, Ю.И. Горбунов и др. – М.:
Высш. шк., 1989. – 223 с., ил.
4.Athena User’s Manual. Silvaco, Inc. 4701 Patrick Henry Drive, Bldg. 2 September 4, 2013, Santa Clara, CA 95054, 438 с.
5.Atlas User’s Manual DEVICE SIMULATION SOFTWARE. Silvaco, Inc. 4701 Patrick Henry Drive, Bldg. 2 January 30, 2015, Santa Clara, CA 95054, 1669 с.
6.DeckBuild User’s Manual. Silvaco, Inc.4701 Patrick Henry Drive, Bldg. 2 January 30, 2015, Santa Clara, CA 95054, 220с.
77
|
|
|
ОГЛАВЛЕНИЕ |
|
|
|
||
Введение. Синтаксис редактора Atlas |
|
|
|
3 |
||||
1. |
Операторы и параметры |
|
|
|
|
3 |
||
|
Список команд Atlas |
|
|
|
|
4 |
||
2. |
Задание структуры прибора |
|
|
|
5 |
|||
|
2.1. |
Использование команд Athena |
|
|
6 |
|||
|
2.2. |
Использование команд DevEdit |
|
|
7 |
|||
|
2.3. Использование языка для задания структуры |
7 |
||||||
|
|
2.3.1. |
Определение начальных настроек |
8 |
||||
|
|
сетки прибора |
|
|
|
|
||
|
|
2.3.2. Задание областей и материалов |
10 |
|||||
|
|
2.3.3. Работа в цилиндрических координатах |
10 |
|||||
|
|
2.3.4. |
Задание электродов |
|
|
11 |
||
|
|
2.3.5. |
Задание профиля легирования областей 12 |
|||||
|
|
2.3.6. |
Аналитические профили легирования |
12 |
||||
|
|
2.3.7. |
Импорт |
профилей |
легирования |
из |
||
|
|
1D SSUPREM3 |
|
|
|
|
15 |
|
|
2.4. |
Автоматическая |
|
настройка |
сетки |
|||
(Auto-meshing) |
|
|
|
|
|
16 |
||
|
|
2.4.1. Задание сетки и областей |
|
|
16 |
|||
|
|
2.4.2. Новые подходы к работе в TCAD |
17 |
|||||
|
|
2.4.3. |
Неравномерная настройка координат сетки |
|||||
|
|
по оси Х и автомасштабирование сетки |
19 |
|||||
|
|
2.4.4. |
Определение |
состава |
легирующей |
|||
|
|
примеси |
|
|
|
|
23 |
|
|
|
2.4.5. |
Сверхрешетки |
и |
|
распределённые |
||
|
|
брэгговские отражатели (DBR) |
|
|
24 |
|||
2.5.Изменение областей, заданных из стороннего
файла |
26 |
78
|
2.6. Перенастройка сетки |
с использованием |
языка |
программирования |
|
26 |
|
|
2.6.1 Перенастройка |
сетки на легируемой |
|
|
области |
|
27 |
|
2.6.2. Перенастройка сетки с использованием |
||
|
рассчитанных переменных |
28 |
|
|
2.6.3. Основные поправки к настройке сетки |
||
|
моделирования |
|
28 |
|
2.7. Задание областей четырехугольной формы |
29 |
|
3. |
Определение параметров материалов и моделей |
30 |
|
3.1.Задание параметров контактов (CONTACT).
Работа выхода затвора и контактов Шоттки |
|
|
30 |
|||
|
3.1.1. |
Задание |
параметров |
управления |
||
|
электродами по току |
|
|
|
31 |
|
|
3.1.2. |
Задание |
внешних |
резисторов, |
||
|
конденсаторов и индуктивностей |
|
32 |
|||
|
3.1.3. |
Плавающие контакты |
|
|
32 |
|
|
3.1.4. |
Закорачивание двух контактов |
|
33 |
||
|
3.1.5. |
Изготовление |
контакта |
разомкнутой |
||
|
цепи |
|
|
|
|
35 |
3.2. |
Настройка свойств материалов |
|
|
36 |
||
|
3.2.1. |
Полупроводники, |
диэлектрики |
и |
||
|
проводники |
|
|
|
36 |
|
|
3.2.2. |
Задание параметров |
|
|
36 |
|
|
3.2.3. |
Гетеропереходные материалы |
|
37 |
||
3.3. |
Определение параметров границ областей |
38 |
||||
3.4. |
Настройка физических моделей |
|
38 |
|||
|
3.4.1. |
Модель энергетического баланса |
40 |
|||
|
3.4.2. |
Сводные таблицы по моделям |
|
41 |
||
79