2299

ОГЛАВЛЕНИЕ

Условные обозначения

3

Введение

5

1. Собственные и примесные дефекты в кристаллах

6

1.1. Реальные кристаллы. Классификация дефек-

тов

6

1.2. Точечные дефекты и физические свойства

кристаллов

7

2. Тепловой беспорядок в кристалле.

Тепловые дефекты

15

2.1. Феноменологическая характеристика

тепловых дефектов

15

2.2. Зависимость концентрации тепловых дефек-

тов от температуры

16

2.3. Термодинамическая и экспериментальная

оценка концентрации тепловых дефектов

20

2.4. Дефекты нестехиометрии

26

3. Квазихимический метод описания дефектов

29

3.1. Квазихимический метод. Основные опреде-

ления

29

3.2. Принципы квазихимического метода

30

3.3. Отображение реакций дефектов на зонной

диаграмме кристалла

35

3.4. Равновесие собственных (тепловых) дефек-

тов с учетом их ионизации

37

3.5. Определение температурной зависимости

концентрации собственных дефектов квазихимиче-

ским методом

40

3.6. Зависимость равновесной концентрации де-

фектов в кристалле от давления паров над кристал-

лом

44

3.7. Физический смысл показателя степени в

уравнении зависимости равновесной концентрации

48

130

дефектов от давления пара

4. Беспорядок в кристалле, обусловленный посто-

ронними примесями

50

4.1. Неизбежность загрязнения кристалла посто-

ронними примесями

50

4.2. Равновесие дефектов в однокомпонентном

кристалле, обогащенном посторонними примесями

52

4.2.1. Условия, благоприятствующие образова-

нию твердых растворов

52

4.2.2. Однокомпонентные кристаллы с одной по-

сторонней примесью

53

4.3. Равновесие дефектов в бинарных кристаллах,

обогащенных посторонними примесями

60

4.4. Основные квазихимические уравнения и зон-

ные диаграммы в кристалле, обусловленные посто-

ронними примесями

66

5. Ассоциаты

68

5.1. Общие представления

68

5.2. Ассоциаты с электростатическим взаимодей-

ствием

69

5.3. Взаимодействие нейтральных дефектов

70

5.4. Физико-химические основы управления

процессами ассоциации

73

6. Внутреннее равновесие собственных и примесных

дефектов

79

6.1. Реальные кристаллы

79

6.2. Взаимное влияние заряженных собственных

и примесных дефектов

80

6.3. Растворимость примесей в полупроводниках

с учетом ионизации примесных атомов

83

6.4. Управление собственными дефектами путем

отжига кристаллов в парогазовой среде

88

6.5. Распределение амфотерной примеси в кри-

сталлической решетке полупроводников

93

131

7. Явление переноса в кристаллах с дефектами

97

7.1. Общие положения

97

7.2. Диффузия

98

7.3. Хаотическая самодиффузия

99

7.4. Влияние температуры на коэффициент

хаотической самодиффузии

104

7.5. Коэффициент собственной хаотической

самодиффузии в кристаллах с нарушенной

стехиометрией

106

7.6. Влияние посторонних примесей на коэффи-

циент самодиффузии. «Несобственная» самодиффу-

зия

109

7.7. Направленная диффузия. Законы Фика

113

8. Некоторые сведения из химической термодина-

мики

115

Заключение

120

Приложение

122