1993

студентам-магистрантам шестого курса специализации 140402 «Физика и техника полупроводников» (направление 140400 «Техническая физика»).

БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК

1.Постников В. С. Внутреннее трение в металлах. – М.: Металлургия, 1974. – 352 с.

2.Александров Л. Н.., Зотов М. И. Внутреннее трение и дефекты в полупроводниках. – Новосибирск: Наука, 1979. – 159 с.

3.Новик А., Берри Б. Релаксационные явления в кристаллах. – М.: Атомиздат, 1975. –

472 с.

4.Forster F. Neue Messmethode Bestimmung des Elastitats-moduls // Z. Metallkunde, 1937.

–V. 29. – P. 109 – 119.

5.Абаев М. И., Корнфельд М. И. Измерение внутреннего трения твердых тел // Приборы и техника эксперимента, 1964. – № 2. – С. 150 – 152.

6.Митрохин В. И., Ярославцев Н. П., Рембеза С. И., Песоцкий Г.С., Измайлов Н. В. Устройство для измерения внутреннего трения твердых тел. Авторское свидетельство СССР

№ 1054742 МКИ G 01 N,11/16 от 9.07.82.

7.Шелонин Е. А. Исследование состояния и поведения атомов меди в твердом растворе германий – медь: Автореф. дис. … канд. физ.-мат. наук, 1986. – 26 с.

8.Bruner L. Q., Keyes R. W. Electronic Effect in the Elastic Constants of Germanium. //

Phys. Rev. Letts., 1961. – V. 7, – №2. – P. 55 – 56.

9.Pomerantg M., Keyes R. W., Sieden P. E. Propagation of Microwave Phonons in Germanium. // Phys. Rev. Letts., 1962. – V. 9. – № 7. – P. 312 – 313.

10.Mason W. P., Babeman T.B. Ultrasonic Wave Propagation in Doped n-Germanium and p-

Silicon // Phys. Rev. Letts., 1984. – V. 134. – № 5A. – P. 1387 – 1396.

11.Попов В. В., Чаплик А. В. Ионизация мелких примесей ультразвуком. // ФТП. – 1976. – Т. 10. – Вып. 9. – С. 1780 – 1781.

12.Маделунг О. Физика полупроводниковых соединений элементов Ш и V групп. – M.: Мир, 1977. – 477 с.

13.Чайковский И. А., Гитис М. Б. ―Прыжковый‖ механизм поглощения звука в пьезо-

полупроводниках // ФТТ. – 1980. – Т. 22. – № 8. – С. 2434 – 2436.

14.Гитис М. Б., Чайковский И. А. Поглощение звука в легированных пьезополупроводниках // Журнал экспериментальной и теоретической физики. – 1981. – Т. 81. – № 1. – С. 263 – 276.

15.Кeyes R. W. Elastic Properties of Diamond-type Semiconductors. // Appl. Phys. –1965. – V. 36. – № 7. – P. 2317.

16.Arlt Y.,Quadflieq P. Piezoelectricity in Ш-V сompound with a рhenomenological аnalyze is of the рiezoelectric еffect // Phys. Status Sol. (a). – 1990. – V. 119. – № 2. – P. 578 – 86.

17.Митрохин В. И., Рембеза С. И., Ярославцев Н. П. Внутреннее трение в полуизолирующем арсениде галлия // ФТТ. – 1984. – Т. 26. – № 7. – С. 2228 – 2229.

18.Митрохин В. И., Рембеза С. И., Свиридов В. В., Ярославцев Н. П. Электронномеханическая релаксация в пьезополупроводниках с глубокими уровнями // В кн. ―Внутреннее трение в исследовании металлов, сплавов и неметаллических материалов‖. – М.: Наука,

1989. – С. 266 – 271.

19.Омельяновский Э. М., Фистуль В. И. Примеси переходных металлов в полупровод-

никах // М.: Металлургия, 1983. – 192с.

20. Lagouski G, Jatos H. C., Parsey G. M., Wada K., Kaminska M., Walukiewicz W. Origin

of the 0.82 eV electron trap in GaAs and its annihilation by shallow donors // Appl. Phys. Letts. – 1982. – V. 40. – № 4. – P. 342 – 344.

21.Митрохин В. И., Рембеза С. И., Свиридов В. В., Ярославцев Н. П. Внутреннее трение, связанное с глубокими уровнями в полярных полупроводниках // ФТТ. – 1985. – Т. 27. –

№7. – С. 2081 – 2085.

22.Mitrokhin V. I., Rembeza S. I., Sviridov V.V., Yaroslavtsev N. P., Acoustic Probing of Deep Centers in Ш-V semiconductors // Phys. Status Sol. (a). – 1990. – V. 119. – № 2. – P. 535 – 544.

23.Ярославцев Н. П., Митрохин В. И., Глушков Н. А.. Рембеза С. И., Измайлов Н. В., Логинов В. А. Способ определения концентрации свободных носителей заряда в пьезоэлектрических полупроводниковых кристаллах. Авторское свидетельство СССР № 1222146 МКИ Н 01 L 21/66. 1985 Б. И. № 14

24.Ярославцев Н. П., Митрохин В. И., Литвин А. А., Глушков Е. А., Свиридов В. В., Рембеза С. И., Измайлов Н. В. Способ определения энергии ионизации глубоких уровней в полупроводниковых кристаллах. Авторское свидетельство СССР № 1248482 МКИ Н 01 L

21/66. (1986).

25.Ярославцев Н. П., Митрохин В. И., Глушков Н. А.. Рембеза С. И., Измайлов Н. В., Логинов В. А. Способ определения концентрации свободных носителей заряда в пьезоэлектрических полупроводниковых кристаллах. Авторское свидетельство СССР № 1222146 МКИ Н 01 L 21/66. 1985 Б. И. № 14

26.Митрохин В. И., Рембеза С. И., Свиридов В. В., Ярославцев Н. П. Диэлектрическая релаксация, связанная с глубокими уровнями в высокоомных полупроводниках // ФТП. – 1986. – Т. 20. – Вып. 12. – С. 2230 – 2233.

27. Митрохин В. И., Арсенов А. В., Кавецкий В. С., Измайлов Н. В., Ярославцев Н. П. Внутреннее трение и диэлектрические потери в монокристаллах CdP2 // Тез. докл. VП Всесоюзного координационного совещания ―Материало-ведение полупроводниковых соединений группы А3В5‖. – Воронеж, 1987. – С. 66.

28.Губкин А. Н. Физика диэлектриков. – М:. Высшая школа, 1971. – 271 с.

29.Орешкин П. Т. Физика полупроводников и диэлектриков. – М.: Высшая школа,

1977.

30.Постников В. С., Борисов В. С, Капустин Ю. А. Кириллов В. И. Диэлектрическая релаксация в компенсированном кремнии // ФТП. – 1996. – Т. 30. – Вып. 4. – С. 635 – 639.

31.Митрохин В. И., Лебедев А. А., Рембеза С. И. , Свиридов В. В., Ярославцев Н. П., Степанова М. Н. Применение электронн-механического резонанса для исследовния глубоких центров в p-i-n структурах полярных полупрводников // Тез. докл. Х1 Всесоюзной конференции по физике полупроводников. – Кишинев, 1988. – Т. 3. – С. 43 – 44.

32.Митрохин В. И., Лебедев А. А., Рембеза С. И. , Свиридов В. В., Ярославцев Н. П.,

Степанова М. Н. Электронно-механический резонанс на глубоких центрах в p+-p0- -n0– структурах арсенида галлия // ФТП. – 1989. – Т. 23. – Вып. 5. – С. 897 – 899.

33.Lagouski G, Jatos H. C., Parsey G. M., Wada K., Kaminska M., Walukiewicz W. Origin of the 0.82 eV Electron Trap in GaAs and its Annihilation by Shallow Donors // Appl. Phys. Letts.

–1982. – V. 40. – № 4. – P. 342 – 344.

34.Мартин Г. М. Основные электрофизические параметры полуизолирующих материалов и методы их определения в арсениде галлия // В кн.: ―Полуизолирующие соединения

А3В5‖. – М.: Металлургия, 1984. – С. 18 – 32.

35. Исследование спектра глубоких уровней в эпитаксиальных структурах методом релаксационной спектроскопии индуцированных токов / В.П. Кузнецов, Э.М. Омельяновский, А. Я. Поляков, В.А. Фридман, Г.В. Шепекина // ФТП. – 1985. – Т. 19. – Вып. 4. – С. 735 –

737.

36.Берман Л.С., Лебедев А.А. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках. – Л.: Наука, 1981. – 176 с.

37.Берман Л.С. Емкостные методы исследования полупроводников. – Л.: Наука, 1972.

–104 с.

38.Aronov D. A., Mamatkulov V. V. The Capacitance and Characteristics Relaxation Times it Carrier Exclussion in Compensated Semiconductors with Deep Traps and Non-Injecting Contacts. // Phys. Stat. Sol. – 1984. – V. 81. – № 1. – P. – 85 – 89.

39.Weiner J. S., Ju P. J. Tree Carrier Lifetime in Semiin-sulating GaAs from Time-Resolved Band to Band Photoluminescence // J. Appl. Phys. – 1984. – V. 5. – № 10. – P. – 3889 – 3891.

2.5.Наблюдение электронно-механической релаксации, обусловленной глубокими центрами, в ионно-имплантированных слоях арсе-

T, K

Рис. 2.13. Температурная зависимость диэлектрических потерь в раличных типах полуизолирующего арсенида галлия: 1 – GaAs <Fe>; 2 – GaAs, нелегировванный;

3 – GaAs <Co>; 4 – GaAs <Cr>.Частота 20 кГц