
Методы оптимизации эксперимента в химической технологии
..pdf+ |
2 |
Am + |
2 |
dWh + |
2 |
+ |
|
1 < i < f < k < q |
1< « f < k < q |
|
K * < j < k < q |
|
|
|
|
+ |
2 |
dUkl |
|
(VI.92) |
|
|
1<i<f<k<l<q |
|
|
|
Так как в выражениях (VI.89) —(VI.92) ^ зависит только от состава смеси, для трехкомпонентных смесей можно заранее построить линии равного значения £ для полиномов различных степеней (рис. 63, 64).
Рис. 63. Изолинии ^ для полиномов второго порядка (а) и неполного третьего порядка (б)
а |
*3 ХЧ0 |
о |
х |
' |
• |
|
|||
Рис. 64. Изолинии £ для полиномов |
третьего |
порядка (а) |
и четвертого порядка (б) |
Зная дисперсию воспроизводимости, число параллельных опытов п, лег ко найти ошибку предсказанных значений отклика в любой точке
диаграммы |
состав —свойство, воспользовавшись для этого соответ |
|
ствующей |
величиной |
снятой с графика. Проверку адекватности |
Коэффициенты уравнений рассчитаны по формулам (VI.26). Для зависимости реак ционной способности от состава шихты имеем:
= 1.48, pt = 0,32, р8= 0,50, Р4= 0,53,
Рм = tyi* — 2yt — 2yt = 4- 0,63 — 2-1,48 — 2- 0,32 = — 1,08,
Pw = 4^18 — 2уг — 2(/з = 4-0,92 — 2-1,48 — 2-0,50 = — 0,22, Рм = *Уи — 2у! — 2yt = 4-1,08 — 2-1,48 — 2- 0,53 = 0,30,
?2з= 4^23 — 2«/2 — 2|/з = 4*0,39 — 2-0,32 — 2*0,50 —— 0,08, Р24= 4{/г* ”™2{/й— 2{/4 = 4* 0,38 — 2*0,32 — 2*0,53 = — 0,18, р84= 4{/34— 2уа— 2{/4= 4*0,54 — 2*0,50 — 2*0,53= 0,1.
Таким образом, полином второго порядка для реакционной способности в четырех компонентной системе имеет вид
у9 = |
1,48 хх+ |
0,32 х* + 0,50 х3 + 0,53 ж4— 1,08ххха — 0,22 ^*3+ |
|||
|
-J- 0,3 ххх4— 0,08 xtXa— 0,18 х2х4+ 0,1 х3х4. |
(VI .97) |
|||
Для пористости |
|
|
Рм = —6,4, |
||
|
р4 = 54,0, ps = 55,2, |
Ра = 43,3, р4=45,3, |
|||
р18 = |
— 2 ,6 , |
Э14 = — 2 . 6 , |
Раз = — 1 1 ,8 , р*4 = |
1 2 ,6 , |
Р34 = - 1 , 2 |
иуравнение регрессии
=54,0 + 55,2 х2+ 43,3 х8+45,Зх4— 6,4 xjx*—2,6 х ^ —
|
|
— 2,6 Х!**— 11,8X2X3—12,6X2X4— 1,2 X3X4. |
|
(VI.98) |
||||||
Для проверки адекватности полученных уравнений были использованы 25 контроль |
||||||||||
ных точек (таблица ниже). |
|
|
|
|
|
|
|
|
||
Н о м е р |
О б о з н а ч е |
'vpэ к с |
|
Д ур |
Уэкс |
|
Д уп |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
о п ы т а |
н и е |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
о т к л и к а |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
1 |
112 |
0,77 |
0,99 |
0,22 |
53,5 |
53.1 |
0,4 |
0,72 |
3,16 |
0,3 |
|
1,15 |
1.19 |
0,04 |
51.0 |
50.8 |
0,2 |
0,72 |
0,575 |
0,15 |
|
2 |
/1 1 1 3 |
51.3 |
1,0 |
0,72 |
0,72 |
0,72 |
||||
3 |
y U \ A |
1,25 |
1.20 |
0,05 |
50.3 |
0,80 |
||||
|
0,31 |
0,34 |
0,03 |
49.0 |
50.1 |
1,1 |
0,72 |
0,43 |
||
4 |
/2 2 2 3 |
1,37 |
||||||||
|
0,39 |
0,34 |
0,05 |
52.3 |
50.4 |
1.9 |
0,72 |
0,72 |
||
5 |
/2 2 2 4 |
45.0 |
43,6 |
1.4 |
0,72 |
0,43 |
0,5 |
|||
6 |
/3 3 3 4 |
0,55 |
0,52 |
0,03 |
0,72 |
0,86 |
0,7 |
|||
7 |
/1 2 2 2 |
0,35 |
0,41 |
0,06 |
57.2 |
53.8 |
2,6 |
|
||
/1 3 3 3 |
0,75 |
0,70 |
0,05 |
44.0 |
45.5 |
1.5 |
0,72 |
0,72 |
1,2 |
|
8 |
|
0,94 |
0,82 |
0,12 |
48,9 |
47.0 |
1.9 |
0,72 |
1,72 |
0,4 |
9 |
/1 4 4 4 |
43.4 |
44.0 |
0,7 |
0,72 |
1,0 |
0,75 |
|||
10 |
/2 3 3 3 |
0,51 |
0,44 |
0,07 |
0,74 |
0,8 |
||||
|
0,36 |
0,45 |
0,09 |
46.3 |
45.4 |
0,9 |
0,72 |
|||
И |
/2 4 4 4 |
44.5 |
44.6 |
0,1 |
0,72 |
1,34 |
0,6 |
|||
12 |
/3 4 4 4 |
0,57 |
0,50 |
0,07 |
0,59 |
0,74 |
1,95 |
|||
/1 1 2 3 |
0,82 |
0,77 |
0,05 |
52.4 |
49.8 |
2.6 |
1,3 |
1,2 |
||
13 |
|
0,90 |
0,81 |
0,09 |
51.5 |
50.1 |
1.4 |
0,59 |
||
14 |
/1 1 2 4 |
0,17 |
47.0 |
48.4 |
1.4 |
0,59 |
2,54 |
0,3 |
||
15 |
/1 1 3 4 |
0,17 |
1,00 |
50.6 |
49.5 |
1,1 |
0,59 |
0,3 |
0,5 |
|
16 |
|
0,49 |
0,51 |
0,02 |
0,59 |
0,15 |
0,4 |
|||
/1 2 2 3 |
0,52 |
0,53 |
0,01 |
48.0 |
49.8 |
1,8 |
||||
17 |
/1 2 2 4 |
46.7 |
45.8 |
0,9 |
0,59 |
0,15 |
1,3 |
|||
18 |
/1 3 3 4 |
0,76 |
0,75 |
0,01 |
1.9 |
0.59 |
0,6 |
0,7 |
||
/2 2 3 4 |
0,44 |
0,40 |
0,04 |
48,4 |
46.5 |
|
|
|||
19 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Рис. 66. Системы эвтектического типа
Симплекс-решетчатые планы Шеффе наиболее успешно используют для описания закономерностей в однофазных системах, для однофаз ных участков сложных систем или если изучаемое свойство опреде ляется только одной фазой. Попытки использовать метод симплекс ных решеток для построения зависимостей свойств от состава цели ком во всей многофазной системе часто оказываются неудачными. Точки симплекс-решетчатого плана могут не совпадать с критически ми точками диаграммы, и аналитическое описание не улавливает участки скачкообразного изменения свойств. Например, попытки построения зависимости температуры начала кристаллизации целиком для всей системы эвтектического типа Pb - Cd - Bi не привели к успе ху, хотя были построены полиномы от второй до четвертой степени включительно (рис. 66, а и б). При построении зависимости свойств от состава для многофазной системы необходимо учитывать априор ную информацию о строении изучаемой системы. Поверхность ликвидуса в системе эвтектического типа представляет собой три пересекающиеся поверхности первичной кристаллизации каждой фазы. Предлагается аналитически описать каждую из этих поверхностей, применяя симплекс-решетчатые планы, затем найти линии их пере сечения и точку пересечения этих линий. Поверхности первичной кристаллизации можно выделить при помощи вспомогательного треугольника,, вершинами которого служат точки двойных эвтектик двойных диаграмм (рис. 66, в). Образовавшиеся новые треугольники I, II и III рассматриваются как исходные. Для рассматриваемой
системы Pd - Cd - Bi внутри каждого треугольника был реализован неполно-кубический симплекс-решетчатый план (табл. 78).
Та б л и ц а 78. Матрица планирования для получения неполно-кубических полиномов
втреугольниках I, II, III
Н о м е р |
|
В к о д и р о в а н н о м м а с ш т а б е |
|
В н а т у р а л ь н о м |
Т е м п е р а т у р а л и к в и |
||||||||||
о п ы т а |
|
|
|
|
|
|
|
м а с ш т а б е |
|
|
д у с а у , °С |
||||
|
|
|
*2 |
*3 |
*4 |
*в |
|
РЬ |
C d |
|
Bi |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
1 |
|
1 |
0 |
|
0 |
0 |
0 |
0 |
100 |
0 |
|
0 |
|
у \ - |
327 |
2 |
|
0 |
1 |
|
0 |
0 |
0 |
0 |
82 |
18 |
|
0 |
|
у г - 2 4 8 |
|
3 |
|
0 |
0 |
|
1 |
0 |
0 |
0 |
45 |
0 |
|
55 |
|
. у з - 1 2 7 |
|
4 |
|
Уг |
Уг |
|
0 |
0 |
0 |
0 |
91 |
9 |
|
0 |
У12— 276 |
||
5 |
|
Уг |
0 |
|
Уг |
0 |
0 |
0 |
72,5 |
0 |
|
27,5 |
у 13 = 2 2 8 |
||
6 |
|
0 |
Уг |
|
Уг |
0 |
0 |
0 |
63,5 |
9 |
|
27,5 |
угз — 180 |
||
7 |
|
Уз |
Уз |
|
Уз |
0 |
0 |
0 |
75,7 |
6 |
|
18,3 |
у 12з — 230 |
||
8 |
|
0 |
0 |
|
0 |
1 |
0 |
0 |
0 |
100 |
0 |
|
У 4 - 3 2 1 |
||
9 |
|
0 |
0 |
|
0 |
0 |
1 |
0 |
0 |
40 |
|
60 |
|
ув — 149 |
|
10 |
|
0 |
Уг |
|
0 |
Уг |
0 |
0 |
41 |
59 |
|
0 |
У24 - |
278 |
|
11 |
|
0 |
У2 |
|
0 |
0 |
Уг |
0 |
41 |
29 |
|
30 |
у г б - 2 2 0 |
||
12 |
|
0 |
0 |
|
0 |
'6 |
Я |
0 |
0 |
70 |
|
30 |
У45 - |
254 |
|
13 |
|
0 |
Уз |
|
0 |
Уз |
Уз |
0 |
27 |
53 |
|
20 |
У245 |
257 |
|
14 |
|
0 |
0 |
|
0 |
0 |
0 |
1 |
0 |
0 |
|
100 |
|
ув — 271 |
|
15 |
|
0 |
0 |
|
14 |
0 |
Уг |
0 |
22,5 |
20 |
|
57,5 |
у з б - 1 2 7 |
||
16 |
|
0 |
0 |
|
Уг |
0 |
0 |
'/2 |
22,5 |
0 |
|
77,5 |
у зв - 2 0 4 |
||
17 |
|
0 |
0 |
|
0 |
0 |
Уг |
Уг |
0 |
20 |
|
80 |
У5в — 185 |
||
18 |
|
0 |
0 |
|
Уз |
0 |
1/4 |
Уз |
15 |
13,3 |
71,7 |
У35в — 160 |
|||
По результатам опытов (табл. 78) были найдены неполные куби |
|||||||||||||||
ческие полиномы: |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
треугольник I |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
у = 327 хх-f- 248 х2+ |
127 х3— 46 ххх2+ 4 ххх3— 30 х2х3+ 108ххх2х3\ |
(VI .99) |
|||||||||||||
|
треугольник II |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
у = 248 х2+ 321 *4+ |
149 хь— 26 х2х4+ 86 х2хь |
76 х4х5+ 69 х2 х4 хь\ |
(VI. 100) |
||||||||||||
|
треугольник III |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
у = |
127х3-}■*149 л* + 271 хв — 44 *3*5-f- 20 х3хв -f- 100 x6xe-f~39 х3хъх8> |
(VI. 101) |
|||||||||||||
где |
у |
температура |
ликвидуса, |
°С, |
х -Р Ь ; |
х2—сплав РЬ |
с |
18% Cd; |
|||||||
х3 —сплав |
Bi с |
45% Pb; |
х4 —Cd; |
х5 —сплав |
Bi |
с |
40% |
Cd; |
xe-B i. |
||||||
|
Все |
полиномы |
оказались |
адекватными. |
Затем |
была |
проведена |
графическая экстраполяция (рис. 66, г), давшая возможность весьма точно определить линии кристаллизации двойных эвтектик в тройных сплавах и координаты точки тройной эвтектики.
В симплекс-решетчатых планах при получении полиномов невы соких степеней коэффициенты определяют по результатам опытов, в большинстве которых присутствуют не все компоненты. Естествен но, что результаты опытов с чистыми компонентами несут мало информации о свойствах изучаемой системы. Для систем компонен
тов |
4 можно использовать паланы Ламбра- |
*t |
||
киса—обычные симплексные решетки Шеффе, |
|
|||
но не включать в эти решетки чистые компо |
|
|||
ненты, а вместо них ставить опыты в q точках |
|
|||
с координатами |
|
|
||
|
|
|
1 |
|
|
|
*1=- * 2 = ••• = xq = -------: • |
|
|
Например, при построении полинома второй |
|
|||
степени в четырехкомпонентной системе сле |
|
|||
дует |
четыре точки с координатами xi = хг = |
|
||
=х3=х4 = 1 |
(см. рис. 61, а) заменить четырьмя |
|
||
точками с |
координатами |
xi = хг = хз = х а = Уз |
Рис. 67. План Ламбракиса |
|
(рис. |
67). |
Таким образом, |
план Ламбракиса |
|
вместо четырех опытов в вершинах тетраэдра включает четыре опыта
в центрах треугольников, образующих данный |
тетраэдр (xi23, Х124, |
||
Х134 и Х234), и шесть опытов |
в центрах граней |
тетраэдра (Х12, xi3, |
|
Х14, Х23, |
Х24 и Х34). |
планирование. В |
симплекс-центроидных |
3. |
Симплекс-центроидное |
планах Шеффе содержится 2q- 1 точек, q из которых приходится на чистые компоненты, Q —на двухкомпонентные смеси, Q —на трех компонентные смеси и т. д. и одно наблюдение —на ^-компонентную смесь. Координаты точек в симплекс-центроидных планах (1, 0,...,0), 0/2, 1/г, 0,...,0),...,(1/<7, 1/<7,...,1/<?), а также все точки, которые можно полу чить из этих перестановками координат. Таким образом, план содержит точку в центре (центроид) симплекса и центроиды всех симплексов низшей размерности, его составляющих.
Полиномы, получаемые по симплекс-центроидным планам, содер
жат столько |
же коэффициентов, сколько точек |
в плане, и для |
|||
^-компонентной смеси имеют вид |
|
|
|||
у = 2 |
М< + |
2 |
h i *i *]+ |
2 |
Pw *i xi xk + |
1< l <q |
\<i< J <q |
l < i < J <k <q |
|||
|
|
+ |
?12 ... q*1*2 |
V |
(VI. 102) |
Для данного числа компонентов q можно составить единственный симйлекс-центроидный план. Симплекс-решетчатый план для построе ния полинома неполной третьей степени является симплекс-центроид ным планом для трехкомпонентных систем (см. рис. 61, б). Построим в качестве примера симплекс-центроидный план для четырехкомпонент
ной |
системы |
(q «= 4). |
Число |
опытов |
в плане |
N=2q- 1 = 24 - 1 = 15. |
||||
Расположение |
точек |
на |
концентрационном тетраэдре |
показано |
на |
|||||
рис. |
61, в, |
а соответствующий симплекс-центроидный план при |
||||||||
веден в табл. 79. |
для |
qa 4 содержит |
15 |
членов |
и имеет |
вид |
||||
Полином |
(VI. 102) |
|||||||||
У = $1*1 + |
$2Х2 + Рз*3 “Ь ?4*4 + |
?12Х1Х2 + |
Pl3*l*8 + |
Pl4*l*4 + |
р23*2*3 + |
|
||||
+ |
024*2*4+ |
Рз4*8*4 + |
Pl23*l*2*3 + Pl24*l*2*4 + |
Pl84*l*3*4+ ?234*2*3*4 + |
|
|||||
|
|
|
|
+ |
Pl234*l*2*3*4- |
|
|
(VI. 103) |