Добавил:
lipton15
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз:
Предмет:
Файл:коэ / коэ экз / КОЭ презентации и какая-то теория / KOE-06_-_SD-LD-FP
.pdf
78 
Диаграмма направленности
Технологический цикл производства ИПЛ |
||
Рост гетероструктуры |
Нанесение |
Пайка чипов на теплоотводы |
|
омических контактов |
|
|
|
Колка на чипы |
80 
Корпусирование лазеров
81 |
Лазерная линейка на медном теплоотводе |
GaAs |
AuZn |
In |
2 m |
Ni |
Cu |
Лазеры разной мощности
83
Фотоприемники
84
Поглощение в полупроводниках
1.Фундаментальное поглощение
Поглощение при прямых или непрямых переходах
Экситонное поглощение
kω ~ wfjN(ħω)
kω = A(ħω – Eg)1/2
2.Примесное поглощение
3.Поглощение свободными носителями заряда.
4.Решеточное поглощение
85 |
Спектры собственного поглощени |
|
86 |
Поглощение в ПП |
|
87 
Спектр идеального фотоприемни
Соседние файлы в папке КОЭ презентации и какая-то теория