Факт что здесь: альфа обр = - беттад , стоит минус не должен смущать потому что волна направляется в другую сторону. Если рассматривать как выглядит амплитуда волны обратной, это нарастающая слева направо экспонента, и тк волна в обратную сторону то и амплитуда должна рассматриваться в обратную сторону, как затухающий процесс.
Альтернативой является свободной границей
В случае свободной границы у нас есть распространение волны и существует как продольная, так и поперечная составляющие диффузионного тока. Сумма их определяется коэффициентом ДИФФУЗИИ D. То продольная составляющая, негативно влияющая на процесс распространения, уменьшается, соответственно при рассмотрении волнового процесса мы должны коэффициент ДИФФУЗИи сделать поменьше. По сути, использовать модифицированный КОЭФФИЦИЕНТ диффузии
Модифицированный КОЭФФИЦИЕНТ диффузии, в нем используется исходный коэф. диффузии который уменьшается в соответствии с геометрией структуры и коэффициентом анизотропии. Новое обозначение бетта д с чертой это то же беттад но делкнное на модиф. Коэф диффузии. (В0/д).
Уравнение выглядит более сложно, потому что мы должны использовать модиф коэф дифф. Но все равно уравнение по-прежнему квадратное.
Корня два и по-прежнему распространяется две волны, но в случае свободной границы одно из уравнений решения имеют сильно отличающийся вид. (Первый ответ такой же, как и при жесткой границе только беттад с чертой).
Это говорит о том, что одна из волн остаётся такой же прямой волной с такими же самыми характеристики, с одним лишь дополнением беттад становится другим. (Т.к. модиф коэф дифф это коэф лиф уменьшенный на величину соответственно и бетад увеличилось, раз так то немного уменьшилась дробь (бета е^2 на бетад с чертой)
, значит влияние ДИФФУЗИИ стало меньше. И с частотой ВЛИЯНИЕ не так сильно сказывается, особенно на низких частотах, на высоких не могу на то, что беттад немного меньше все равно ВЛИЯНИЕ оказывается уже очень сильное.
Поэтому про прямую волну тоже самое: она усиливается, влияет диффузия, влияет с частотой, направление прямо, скорость распространения волны (фазлвая) равна скорости дрейфа.
А вторая волна имеют форму отличную от жесткой границы.
Разница от первого ответа что мы здесь видим каппу, а там нет. Это говорит о том, что первая скобка (сумма слагаемых) — это альфа (амплитудная постоянная для данной волны, всегда больше нуля, просто здесь нет отрицательного слагаемого. Т.е. амплитуда волны номер 2 (не путать со второй модой, это второй вид волны) она все время снижается. При этом рассматривая вторую часть уравнения, можно сказать, что она все равно прямая, скорость распространения очень близка к скорости дрейфа, но она затухающие.
По сути, не вносит влияния в процесс распространения волн в такой структуре.
Он состоит из п/п-ой пленки (зелёный прямоугольник). Выращенной на полу изолирующей подложке. Сделали два омических контакта (1,6), подавая разность потенциалов на контакты эти контакты, мы создаём пространственный заряд, который дрейфует (голубая волна) из истока к стоку. Происходит дрейф электронов. Т.е. пространственный заряд движется. Элемент 2 это барьер Шоттки. Подавая на него СВЧ сигнал, мы можем регулировать глубину обеднения и таким образом модулировать поток электронов, движущийся вдоль пленки. Получается волна.
В области (которая выделена красным), за счёт различных эффектов может происходить затухание или усиление. Контакт 5 построен по принципу барьера Шоттки. Он позволяет детектировать волну, превратив ее обратно в электромагнитную, в электрический сигнал по сути. И передать куда-то дальше после того, как произошло усиление. Элемент 3 это элемент для управления коэффициента усиления. Этот электрод отделен от всей структуры диэлектрическим слоем. Т.е. он гальванически отвязан от потока электронов и даже если поток электронов двигался вдоль границы раздела П/П Д/Э электроны все равно на управляющий электрод не попадали.
Если мы на такой затвор (упр электрод) начинаем подавать отрицательный потенциал, то он, как и в случае с мдп начинает создавать в этой области (под ним и Д/Э) дополнительный изгиб энергетических зон, он будет приводить к тому, что отрицательный потенциал будет загибать энергетическую диаграмму вверх и мы будем делать потенциальный барьер в области для электронов (там, где обедненная). Таким образом электроны будут этим потенциальным барьером отжиматься (отталкиваться) от Д/Э слоя, от управляющего электрода вглубь пленки. т.о. граница потока электронов (полная ПРОСТРАНСТВЕННОГО заряда) будет отделена от границы раздела Д/Э П/П (в область п/п -п/п). И мы сможем говорить, что модель распространения свободная. Если мы подаем положительный потенциал, то мы, наоборот, можем притянуть электроны. Создав не потенциальный барьер, а потенциальную яму и электроны, приблизившись будут двигаться, в рамках модели жёсткой границы. т.о. можем наблюдать способ электронного управления коэф. усиления такого усилителя, при этом расчетные и экспериментальные измерения показали, что такой усилитель может давать коэф усиления до 30дб, это неплохо.
41.Технологические особенности создания ПТШ на арсениде галлия. Формирование контактов.
