зон, он будет приводить к тому, что отрицательный потенциал будет загибать энергетическую диаграмму вверх и мы будем делать потенциальный барьер в области для электронов (там, где обедненная). Таким образом электроны будут этим потенциальным барьером отжиматься (отталкиваться) от Д/Э слоя, от управляющего электрода вглубь пленки. т.о. граница потока электронов (полная ПРОСТРАНСТВЕННОГО заряда) будет отделена от границы раздела Д/Э П/П (в область п/п -п/п). И мы сможем говорить, что модель распространения свободная. Если мы подаем положительный потенциал, то мы, наоборот, можем притянуть электроны. Создав не потенциальный барьер, а потенциальную яму и электроны, приблизившись будут двигаться, в рамках модели жёсткой границы. т.о. можем наблюдать способ электронного управления коэф. усиления такого усилителя, при этом расчетные и экспериментальные измерения показали, что такой усилитель может давать коэф усиления до 30дб, это неплохо.
АМПЛИТУДНОЧАСТОТНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА
Это погонный Коэф. усиления, т.е. на единицу длины структуры {дБ/мкм} Верхняя линия показывает нулевое приближение. Для нее имеем нарастание и выход в насыщение. Если
мы говорим об учете влияния диффузии, то должны понимать, что у нас растет растет коэф усиления потом возникает максимум и с ростом частоты влияние ДИФФУЗИИ становится все сильнее и коэф усиления начинает снижаться. Можно достигнуть предельного значения, при котором кожф усиления равен 0, и при большИх частотах диффузия будет оказывать новодел более серьезное влияние чем процесс усиления, и мы не будем видеть никакого усиления будет только затухание.
Если сравнивать модели жёсткой и свободной границы потока то можно говорить, что даст модели жесткой границы в силу того что коэффициент ДИФФУЗИи весь работает на то чтобы погасить волну (снизить коэф усиления), то и во всем частотном диапазоне он будет ниже и ВЛИЯНИЕ его начнется чуть раньше на меньших частотах и амплитуда максимальная (Макс коэф усиления) во всем диапазоне ачх тоже будет меньше, только потому что коэф диффузии в данном процессе будет выше.
Из-за использования модифицированного коэф диффузии с меньшим значения для свободной (квазисвободной) границе потока будет меньше влияние ДИФФУЗИИ, больше коэффициент усиления. Если говорить о влиянии толщины пленки на процесс распространения волны.
Если мы говорим об очень тонкой пленке, то в этой пленке весь поток электронов будет распространяться вблизи границы те все электроны всего электронного потока (волны пространственного заряда), все будет двигаться в рамках модели жёсткой границы. Для них для всех КОЭФФИЦИЕНТ диффузии будет большим. И соответственно в тонкой пленке весь поток электронов, вся волна пространственного заряда работает в рамках модели жёсткой границы.
Если говорить о Толстой пленке, то даже если волна прижата к поверхности, то за счёт того, что поток электронов будет распределен в большЕм объеме пленки, в рамках модели свободной границы и жёсткой, двигаться будет разное количество электронов. Т.е. те, которые двигаются вблизи поверхности в рамках модели жёсткой границы, те кто движутся вдали от границы в рамках свободной границы. Резкого перехода между этими моделями нет. И чем толще пленка, тем больше электронов может двигаться в рамках свободной границы с меньшим коэффициентом усиления???наверно диффузии (тем выше коэф усиления).
Если говорить про тоненькую границу, из-за того, что очень малое число электронов может двигаться в такой структуре в рамках свободной границы, то и влияние самой модели (жёсткой или свободной) очень сильное. Потому что в тонких пленках, если мы берём модель жёсткой границы, то все электроны будут двигаться в рамках этой жёсткой границы, и мы не сможем выделить сколько-либо электронов чтобы они двигались в рамках свободной. Поэтому влияние модели очень сильное.
7.Энергонезависимые элементы памяти: E2 P ROM – flash-память. Конструкция, принцип действия, электрическая схема.
8.Энергонезависимые элементы памяти: E2 P ROM – flash-память. Архитектура NOR, NAND, многоуровневые ячейки (MLC).
9.Энергонезависимые элементы памяти: E2 P ROM – flash-память. Операции «запись», «стирание», «хранение» - пояснить с помощью энергетических диаграмм.
ВСЕ 3 ВОПРОСА(7,8,9)
Обычный затвор – это затвор, который мы подсоединяем к некой электрической схеме, на которой мы можем подавать потенциал Плавающий затвор — это такой же затвор только он ни к чему не подключен, а просто плавает в д/э.
Пороговое напряжение – это напряжение на затворе при котором в п/п подзатворной области инвертируется канал, но появление электронов в индуцированном канале происходит и до порогового напряжения. Концентрация электронов в канале соизмерима с концентрацией дырок в п-подложке.
По входной хар-ки если мы не подаем заряд на плавающий электрод (лог 0), то пороговое напряжение не меняется. Если появится заряд на ПЭ (лог 1), наличие отрицательного заряда на ПЭ то пороговое напряжение увеличится и надо подать на затвор больший потенциал, чтобы индуцировать канал.
(считывание)Ток не будет течь так как заряд отрицательный сдвинет пороговое напряжение в большую величину.
