Отчет по лабораторной работе № 8
.docxФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО СВЯЗИ
Федеральное государственное бюджетное образовательное
учреждение высшего образования
«Санкт-Петербургский государственный университет телекоммуникаций
им. проф. М. А. Бонч-Бруевича»
_____________________________________________________________________________
Кафедра электроники и схемотехники
Дисциплина «Электроника»
Лабораторная работа № 8
«Исследование биполярного транзистора в импульсном режиме»
Исследование полупроводниковых диодов в динамическом и импульсном режимах.
Цель работы:
Освоить методику экспериментального исследования полупроводниковых приборов в импульсном режиме.
Исследовать статические характеристики транзисторного ключа.
Измерить параметры, характеризующие инерционность работы транзисторного ключа.
Исследование статических характеристик транзисторного ключа.
Таблица 8.1
Uвх |
В |
0 |
0,45 |
0,55 |
0,6 |
0,65 |
0,7 |
0,75 |
0,8 |
0,85 |
0,9 |
1 |
1,5 |
3 |
Iвх |
мкА |
0 |
0 |
3 |
9 |
18 |
29 |
42 |
54 |
69 |
83 |
115 |
250 |
730 |
Uвых |
В |
5 |
5 |
4,9 |
4,5 |
3,8 |
2,95 |
1,75 |
0,65 |
0,15 |
0,1 |
0,08 |
0,05 |
0,03 |
График 8.1 Входная и передаточная характеристика транзисторного ключа.
Измерение параметров, характеризующих инерционность транзисторного ключа.
График 8.2. (а) Осциллограмма входного и выходного импульсов при размахе импульса 2В.
График 8.2. (б) Осциллограмма входного и выходного импульсов при размахе импульса 4В.
График 8.2. (в) Осциллограмма входного и выходного импульсов при размахе импульса 8В.
Таблица 2.
Uвх |
2 |
4 |
8 |
tз,мкс |
1 |
0,75 |
0,5 |
tф,мкс |
1,75 |
0,5 |
0,25 |
tр,мкс |
0,25 |
1,125 |
1,5 |
tс,мкс |
1,5 |
1,75 |
1,5 |
Исследование зависимостей времени нарастания фронта и времени рассасывания от глубины насыщения транзистора.
Таблица 3.
Uмакс |
В |
2 |
4 |
8 |
tф |
мкс |
1,75 |
0,5 |
0,25 |
tр |
мкс |
0,25 |
1,125 |
1,5 |
Iб |
мкА |
300 |
600 |
1200 |
n |
- |
2,5 |
5 |
10 |
График 8.3. Зависимость времени нарастания фронта и времени рассасывания от глубины насыщения.
Выводы
Когда Uвх достигает порогового значения транзисторный ключ открывается.
На высоких частотах наблюдается инерционность транзисторного ключа (время задержки и рассасывания становится заметны).
С ростом глубины насыщения транзистора время нарастания фронта уменьшается, а время рассасывания увеличивается.