Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Физика / Изучение работы полупроводниковых диодов и выпрямителей

.docx
Скачиваний:
4
Добавлен:
18.08.2022
Размер:
465.16 Кб
Скачать

Цель лабораторной работы: Исследование свойств (в т.ч. и выпрямительных) контакта p–n-полупроводников.

Принадлежности: Электрическая установка.

Краткие теоретические сведения: Полупроводники – особый класс веществ, по удельному сопротивлению занимающие положение между металлами и изоляторами. Их характерная особенность – рост электропроводности прямо пропорционален его температуре и может сильно изменяться под влиянием примесей.

Проводимость химически чистых полупроводников называется собственной. Она обуславливается свободными носителями заряда двух знаков – отрицательными электронами и положительными дырками.

Введением в химически чистый полупроводник атомов примеси можно получить вещества с электронной или дырочной проводимостью (валентность атомов примеси должна отличаться на единицу).

Для придания полупроводнику электронной или дырочной проводимости в него вводят соответственно донорные или акцепторные примеси.

Основой всякого полупроводникового выпрямителя является переход между двумя различными типами проводимости, называемый p–n-переходом.

При соприкосновении двух полупроводников различного типа проводимости начинается диффузия дырок из p-области в n-область и диффузия электронов в обратном порядке. В пограничной области дырки и электроны рекомбинируют друг друга. Таким образом на границе между двумя полупроводниками имеется тонкий слой с очень большим сопротивлением, который получил название контактного запирающего слоя.

Сопротивление p-n-перехода мало в прямом направлении и велико в обратном. На этой особенности и основано их применение качестве детекторов и выпрямителей.

Зависимость тока через контактный запирающий слой от приложенного напряжения подчиняется уравнению:

Лабораторная работа №8

Изучение работы полупроводниковых диодов и выпрямителей.

Выполнили студентки 211 группы фКНиИТ

Горбачева Марина, Филатова Ольга

Саратов 2019 г.