Физика полупроводниковых приборов [РТФ, Смирнов, 4 семестр] / 2_Полупроводниковые диоды
.pdf
2.20 |
Туннельные и обращенные диоды |
Обращенный диод представляет собой полупроводниковый диод, в |
|
котором при обратном напряжении из-за туннельного эффекта |
|
проводимость существенно выше, чем при прямом напряжении. |
|
Зонная диаграмма обращенного диода (слева);
ВАХ обращенного диода (справа)
Степень легирования (порядка 1018 см-3) подбирается такой, чтобы уровень Ферми Fp практически совпадал с Ev, а уровень Fn – с Ес.
Если к p-n-переходу приложить U<0, то уровни в полупроводнике p-типа сместятся вверх, а в n-типа – вниз. В результате возникнет туннельный ток, направленный из n- в p-область (обратный ток). При этом даже при Uобр на уровне несколько десятков милливольт будет довольно большим.
Если к p-n-переходу приложить U>0, то туннельного тока не будет, но будет протекать диффузионный ток. При U~ несколько десятков мВ диффузионный (прямой) ток существенно меньше туннельного (обратного) ток. Особенность обращенных диодов – малая инерционность.