- •Кафедра мвэ
- •8.5 Балла
- •Рассчитаем токовую чувствительность дд с коэффициентом идеальности .
- •Рассчитаем, каково будет приращение тока при подаче на диод микроволновой мощности
- •Оценим тангенциальную чувствительность (выразим в дБм), если эффективная шумовая температура диода составляет , а полоса усилителя
- •Охарактеризуйте основные сходства и отличия в функциональной роли, структуре, параметрах микроволновых приборов с номерами:
- •Опишем схемотехнические модели микроволновых диодов с положительным динамическим сопротивлением (произвольный выбор).
- •3.5 Балла
- •2.1. Представим типовое распределение по координате легирующей примеси, концентрации подвижных носителей заряда, статического поля и скорости дрейфа.
- •Определить частоту генерации лпд и дг с бегущим доменом при длине активной области . .
- •1.5 Балла Транзисторы
- •3.1. Сравним максимальную возможную толщину базы Биполярного транзистора и длину затвора полевого транзистора при работе на частоте . Оценим угол пролета в обоих случаях.
- •Обоснуйте тенденцию использования в современных транзисторах таких материалов как GaN, InP, SiC, алмаз с.
- •Нарисуем (качественно) входные и выходные вах трех птбш с одинаковыми размерами, уровнем легирования, но изготовленными из Si, GaN, GaAs. Обоснуем зависимости.
- •3.6. Как связаны нч шумы с технологией изготовления транзистора.
- •3.5 Балла Список использованной литературы.
3.5 Балла Список использованной литературы.
Григорьев А.Д., Иванов В.А., Молоковский С.И. Микроволновая электроника: Учебник - СПб.: Издательство «Лань», 2015. – 635 с.
Club155 [Электронный ресурс]: информация по схемотехнике. – Режим доступа: http://www.club155.ru/diods-uhf-common (дата обращения 30.05.2022)
Лекции кандидата технических наук, доцента Иванова В. А. по микроволновой электронике.
Левинщтейн М.Е., Пожела Ю.К., Шур М. Эффект Ганна. М.: Сов. радио, 1975
Титце У., Кристоф Ш., Полупроводниковая схемотехника. 12-е изд. Том 1. ДМК Пресс, 2008. – 832 с.
Подстригаев А. С. П44 Проектирование СВЧ-устройств: практикум в 2 ч. Ч. 1. СПб: Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2018. 120 с.
Гонсалес Э., Modeling and design aspects of millimeter-wave and submillimeter-wave Schottky diode varactor frequency multipliers, 13 с.
Club155 [Электронный ресурс]: информация по схемотехнике. – Режим доступа: https://www.club155.ru/diods-uhf-generator (дата обращения 30.05.2022)
GenDocs [Электронный ресурс]: лекции по ТТЭ – Режим доступа: https://gendocs.ru/v1388/?cc=11&page=6 (дата обращения 30.05.2022)
О. В. Константинов, О. А. Мезрин, “Теория баллистического переноса горячих носителей в биполярном гетеротранзисторе с тонкой базой”, Физика и техника полупроводников, (1988), 2025–2034
Шахнович И. Твердотельные СВЧ-приборы и технологии. Состояние и перспективы/ ЭЛЕКТРОНИКА: Наука, Технология, Бизнес 5/2005
Данилин В., Жукова Т. и др. Транзистор на GaN. Пока самый "крепкий орешек". – ЭЛЕКТРОНИКА: НТБ, 2005, №4, с.20–29.
Горлов М., Емельянов А., Смирнов Д. Возможность отбраковки полупроводниковых приборов по уровню нч шума/ Компоненты и технологии
№8, 2005.