Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования
«ТОМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ СИСТЕМ УПРАВЛЕНИЯ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ» (ТУСУР)
Кафедра комплексной информационной безопасности электронно-вычислительных систем (КИБЭВС)
ИССЛЕДОВАНИЕ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
Отчет по практической работе №2 по дисциплине «Электроника и схемотехника»
Вариант №1
Студент гр. 710-2
02.12.2021
Руководитель Преподаватель КИБЭВС
_______Семенов А.С __.__.2021
Томск 2021
ЦЕЛЬ РАБОТЫ
Цель работы: изучить работу биполярного транзистора
ПОСТАНОВКА ЗАДАЧИ
1.Анализ зависимости коэффициента усиления по постоянному току от тока коллектора.
2.Исследование работы биполярного транзистора в активном режиме и насыщения.
3.Исследование работы биполярного транзистора в режиме отсечки.
4.Исследование работы биполярного транзистора в инверсном режиме.
2
1. ИССЛЕДОВАНИЕ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА В АКТИВНОМ
РЕЖИМЕ И РЕЖИМЕ НАСЫЩЕНИЯ
Схемы собираются в компьютерной программе Electronics Workbench.
Для исследования биполярного транзистора в активном режиме и в режиме насыщения была собрана схема, изображенная на рисунке 1.1
Рисунок 1.1 - Схема для исследования транзистора в активном режиме и в режиме насыщения
Таблица 1.1 отображает показания для Uбэ, Uкэ, ток коллектора, Rкэ и коэффициент усиления по току βDC при разном сопротивлении R1.
3
Таблица 1.1 - Показания с приборов при разном сопротивлении
|
|
|
|
|
|
Rкз, |
|
|
R, Ом |
Uбэ, мВ |
Uкэ, мВ |
Iэ, мА |
Iб, мА |
Iк, мА |
Ом |
βDC |
режим |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
0,4 |
830,7 |
201,3 |
58,41 |
10,42 |
47,99 |
4,1946 |
4,6055 |
А |
|
|
|
|
|
|
2388 |
66219 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
0,6 |
794,2 |
209,5 |
54,91 |
7,01 |
47,9 |
4,3736 |
6,8330 |
А |
|
|
|
|
|
|
95198 |
95578 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
0,8 |
775,6 |
216,1 |
53,12 |
5,281 |
47,839 |
4,5172 |
9,0587 |
А |
|
|
|
|
|
|
34892 |
01004 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
1 |
764,3 |
221,5 |
52,02 |
4,236 |
47,784 |
4,6354 |
11,280 |
А |
|
|
|
|
|
|
42826 |
45326 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
2 |
741,5 |
240,6 |
49,72 |
2,129 |
47,591 |
5,0555 |
22,353 |
А |
|
|
|
|
|
|
77735 |
68718 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
3 |
733,8 |
254,1 |
48,88 |
1,422 |
47,458 |
5,3542 |
33,374 |
А |
|
|
|
|
|
|
07931 |
12096 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
4 |
729,8 |
265,6 |
48,41 |
1,068 |
47,342 |
5,6102 |
44,327 |
А |
|
|
|
|
|
|
40379 |
71536 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
5 |
727,4 |
276,6 |
48,09 |
0,855 |
47,235 |
5,8558 |
55,245 |
А |
|
|
|
|
|
|
27247 |
61404 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
6 |
725,8 |
288,1 |
47,83 |
0,712 |
47,118 |
6,1144 |
66,176 |
А |
|
|
|
|
|
|
36097 |
96629 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
7 |
724,6 |
301,7 |
47,59 |
0,611 |
46,979 |
6,4220 |
76,888 |
А |
|
|
|
|
|
|
18349 |
70704 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
8 |
723,6 |
320,9 |
47,33 |
0,535 |
46,795 |
6,8575 |
87,467 |
А |
|
|
|
|
|
|
70253 |
28972 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
9 |
722,6 |
365,4 |
46,82 |
0,475 |
46,345 |
7,8843 |
97,568 |
А |
|
|
|
|
|
|
45668 |
42105 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
10 |
719,9 |
641 |
44,02 |
0,428 |
43,592 |
14,704 |
101,85 |
А |
|
|
|
|
|
|
53294 |
04673 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
20 |
698,8 |
2507 |
25,15 |
0,215 |
24,935 |
100,54 |
115,97 |
Н |
|
|
|
|
|
|
14077 |
67442 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
40 |
678,2 |
3671 |
15,98 |
0,1339 |
15,846 |
231,66 |
118,34 |
Н |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
4
|
|
|
|
|
1 |
58358 |
27931 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
60 |
666,3 |
3910 |
9,008 |
0,0722 |
8,9357 |
437,56 |
123,71 |
Н |
|
|
|
|
3 |
7 |
72158 |
27232 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
80 |
658 |
4333 |
6,723 |
0,0542 |
6,6687 |
649,74 |
122,85 |
Н |
|
|
|
|
8 |
2 |
9877 |
77745 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
100 |
651,4 |
4471 |
5,33 |
0,043 |
5,287 |
845,65 |
122,95 |
Н |
|
|
|
|
|
|
9164 |
34884 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
По таблице видно, что на промежутке от 10 кОм до 20 кОм находится
граница между активным режимом и режимом насыщения.
2. ИССЛЕДОВАНИЕ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА В РЕЖИМЕ ОТСЕЧКИ
Схемы собираются в компьютерной программе Electronics Workbench.
Для исследования транзистора в режиме отсечки была собрана схема,
изображенная на рисунках 2.1 и 2.2. На первом рисунке режим отсечки, а во втором
5
Рисунок 2.1 - Схема для исследования режима отсечки
Рисунок 2.2 - Схема для исследования активного режима
В режиме отсечки Uкэ равен 5 Вольтам, а все остальные приборы показывают 0. В активном режиме совпадают с показаниями в таблице 1.1.
3. ИССЛЕДОВАНИЕ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА В
ИНВЕРСНОМ РЕЖИМЕ
Для исследования транзистора в инверсном режиме была собрана схема,
изображенная на рисунках 3.1 и 3.2.
6
Рисунок 3.1 - Транзистор в активном режиме
Рисунок 3.2 - Транзистор в инверсном режиме
По показаниям приборов видно, что Uн = 917,7 мВ, а Iу = 760,4 мкА.
7
4.ВЫВОДЫ
Входе работы были выполнены все задачи, была изучена работа биполярного транзистора в разных режимах.
Были собраны схемы, в которых транзистор работал в активном, насыщения,
отсечки и в инверсном режиме. Была построена таблица исходя из показаний амперметров и вольтметров при разном сопротивлении.
8